第二回TCADワークショップ
第二回TCADワークショップ
第一回の復習 (sdeとデバイスシミュレーション)
(第一回の復習)デバイスシミュレーション
物理モデルの紹介と実践
物理モデル
放射線ダメージのシミュレーション
第一回の復習 (sdeとデバイスシミュレーション)
http://atlaspc5.kek.jp/do/view/Main/2ndTCADWSSDEtu
(第一回の復習)デバイスシミュレーション
Pixel検出器を例にIV,CV,点電荷を置いた時の電荷分布のシミュレーションを行う.
なぜか写真をアップロードできないのでアップロードでき次第写真をあげます。
sdeファイルは/home/dharada/work/Sentaurus/Silicon/TCAD/2ndworkshop/sde_dvs.cmd にあります.
デバイスシミュレーション:
Devicesimuation(2ndWS)
IVシミュレーション:
IVsimulation(2ndWS)
CVシミュレーション:
CVsimulation(2ndWS)
点電荷シミュレーション:
Chargesimulation(2ndWS)
物理モデルの紹介と実践
物理モデル
今回のsample
/home/yunakamu/TCADWorkShop/yunakamu/example
移動度 :
TCADSiliconMobiliy
高電界効果 :
TCADHighFieldSaturation
再結合 :
TCADGeneralReconbination
driving force model(電場) :
TCADDrivingForceModel
放射線ダメージのシミュレーション
表面電荷のシミュレーション :
TCADIrradSurfaceDamage
バルク部のシミュレーション :
TCADIrradBulkDamage
--
Koji Nakamura - 2018-08-20
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Topic revision: r7 - 2020-06-02 - AtlasjSilicon
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