Mobility

移動の設定。今回の再結合、高電界効果はすべてこの設定の中に書かれる。

 
Physics{ Mobility (keyword) }

Mobiliy : electron/hole

eMobility : electron

hMobility : hole

Doping-Dependence Mobility Degradiation

Masetti Model

keyword : Masetti

Doping-Dependence Mobilityのデフォルト。

As-,P-,B-がdoopingされたsiliconデバイスのcarrierの移動度について記述したもの。

用いられている式は以下の通り。

parameter

Carrier-Carrier Scattering

keyword : CarrierCarrierScattering

carrierのscatteringの要素を移動度に導入する。

Conwell-Weisskopf Model

keyword : ConwellWeisskopf

Carrier-Carrier Scatteringのデフォルト。

クーロンポテンシャルのみを仮定した散乱。

Brooks-Herring Model

keyword : BrooksHerring

不純物の電荷による遮蔽効果を考慮したキャリアの散乱モデル。

parameter

-- Atlasj Silicon - 2018-08-24

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