3日目(デバイスシミュレーション) -- 演習問題

問題1(北)

電流電圧特性のシミュレーションを [0V, -10V] [-10V, -120V] [-120V-200V] の3ステップに分けて行い、 それぞれの間でPlotを表示させ、空乏層領域の発展や、電場、電子密度等の分布を比較せよ。

問題2(鈴木)

Plotに温度を加えて現在のシミュレーションで(特に指定していないので default値のはず)何度が使われているかを確認せよ。

また、ThermodynamicとRecGenHeatというPhysicsモデルを使って一様なSelf-Heatingによる温度分布もシミュレーションせよ。(anodeを293Kにすること。)

ヒント  : マニュアル 9章参照。Thermode sectionを追加してanodeの温度を指定。二つのPhysicsモデルを追加して、Coupled{}のリストに温度を加えるのを忘れずに

問題3(熊倉)

1/C^2の電圧依存性がいびつな形をしている理由を考えるために、大きな電極(例えば、電極のサイズを500um程度)が一つだけの構造を作ってシミュレーションをしてみて1/C^2の電圧依存性が比例関係になることを確認せよ。

問題 4 (石井)

MIPシミュレーションを変更して、Fe-55放射性同位体からのガンマ線を裏面から照射したときにおこる事象をシミュレーションせよ。

ヒント: Fe55は5.9 keV の光子を放出して崩壊する。シリコン裏面から入った5.9keVの光子は裏面の表面近くで光電吸収され、そのエネルギーはすべて電子・正孔対を作るのにつかわれる。一つの電子・正孔対を生成するのに必要なエネルギーは3.6eVとする。

-- Atlasj Silicon - 2020-05-26

Comments

Topic attachments
I Attachment History Action Size Date Who Comment
PDFpdf TCAD3-1.pdf r1 manage 266.5 K 2020-06-04 - 00:54 AtlasjSilicon 問題1(北)
Unknown file formatpptx TCAD31532322238.pptx r1 manage 1131.3 K 2020-06-04 - 00:57 AtlasjSilicon  
PDFpdf TCAD_day3_kadai4_ishii.pdf r1 manage 415.9 K 2020-06-03 - 23:56 AtlasjSilicon  
PDFpdf day3kadai3.pdf r1 manage 295.0 K 2020-06-04 - 01:34 AtlasjSilicon 熊倉
Edit | Attach | Watch | Print version | History: r6 < r5 < r4 < r3 < r2 | Backlinks | Raw View | Raw edit | More topic actions
Topic revision: r6 - 2020-06-04 - AtlasjSilicon
 
This site is powered by the TWiki collaboration platform Powered by PerlCopyright © 2008-2022 by the contributing authors. All material on this collaboration platform is the property of the contributing authors.
Ideas, requests, problems regarding TWiki? Send feedback