Difference: Tutorial4thTCADDay3Question (3 vs. 4)

Revision 42020-05-27 - AtlasjSilicon

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3日目(デバイスシミュレーション) -- 演習問題

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問題 4

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MIPシミュレーションを変更して、Fe-55放射性同位体からのガンマ線を裏面から照射したときにおこる事象をシミュレーションせよ。

ヒント: Fe55は5.9 keV の光子を放出して崩壊する。シリコン裏面から入った5.9keVの光子は裏面の表面近くで光電吸収され、そのエネルギーはすべて電子・正孔対を作るのにつかわれる。一つの電子・正孔対を生成するのに必要なエネルギーは3.6eVとする。

  -- Atlasj Silicon - 2020-05-26
 
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