3日目(デバイスシミュレーション) -- 演習問題

問題1

電流電圧特性のシミュレーションを [0V, -10V] [-10V, -120V] [-120V-200V] の3ステップに分けて行い、 それぞれの間でPlotを表示させ、空乏層領域の発展や、電場、電子密度等の分布を比較せよ。

問題2

Plotに温度を加えて現在のシミュレーションで(特に指定していないので default値のはず)何度が使われているかを確認せよ。

また、ThermodynamicとRecGenHeatというPhysicsモデルを使って一様なSelf-Heatingによる温度分布もシミュレーションせよ。(anodeを293Kにすること。)

ヒント  : マニュアル 9章参照。Thermode sectionを追加してanodeの温度を指定。二つのPhysicsモデルを追加して、Coupled{}のリストに温度を加えるのを忘れずに

問題3

1/C^2の電圧依存性がいびつな形をしている理由を考えるために、大きな電極(例えば、電極のサイズを500um程度)が一つだけの構造を作ってシミュレーションをしてみて1/C^2の電圧依存性が比例関係になることを確認せよ。

問題 4

Article text.

-- Atlasj Silicon - 2020-05-26

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Topic revision: r3 - 2020-05-27 - AtlasjSilicon
 
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