Difference: Tutorial2ndTCADWorkshop (4 vs. 5)

Revision 52018-08-28 - AtlasjSilicon

  META TOPICPARENT 
 name="TCADSimulationInformation" 

 第二回TCADワークショップ
- META TOPICPARENT
+ name="TCADSimulationInformation"
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+  第二回TCADワークショップ 
  第一回の復習 (sdeとデバイスシミュレーション)
   (第一回の復習)デバイスシミュレーション
   物理モデルの紹介と実践 
 
 
  物理モデル
 
 
   放射線ダメージのシミュレーション
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+  第二回TCADワークショップ 
  第一回の復習 (sdeとデバイスシミュレーション)
   (第一回の復習)デバイスシミュレーション
   物理モデルの紹介と実践 
 
 
  物理モデル
 
 
   放射線ダメージのシミュレーション
  第一回の復習 (sdeとデバイスシミュレーション)
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->
>
+http://atlaspc5.kek.jp/do/view/Main/2ndTCADWSSDEtu
->
>
+ (第一回の復習)デバイスシミュレーション 

Pixel検出器を例にIV,CV,点電荷を置いた時の電荷分布のシミュレーションを行う.

なぜか写真をアップロードできないのでアップロードでき次第写真をあげます。

sdeファイルは/home/dharada/work/Sentaurus/Silicon/TCAD/2ndworkshop/sde_dvs.cmd にあります.

IVシミュレーション: IVsimulation(2ndWS) 


CVシミュレーション: CVsimulation(2ndWS)

点電荷シミュレーション: chargesimulation(2ndWS)
  物理モデルの紹介と実践 
 物理モデル
->
>
+今回のsample

/home/yunakamu/TCADWorkShop/yunakamu/example
 移動度 : TCADSiliconMobiliy

高電界効果 : TCADHighFieldSaturation

再結合 : TCADGeneralReconbination

driving force model(電場) : TCADDrivingForceModel
 放射線ダメージのシミュレーション 

表面電荷のシミュレーション : TCADIrradSurfaceDamage

バルク部のシミュレーション : TCADIrradBulkDamage

--   Koji Nakamura  - 2018-08-20
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+ META FILEATTACHMENT 
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- META FILEATTACHMENT
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