Difference: Tutorial2ndTCADWorkshop (1 vs. 7)

Revision 72020-06-02 - AtlasjSilicon

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META TOPICPARENT name="TCADSimulationInformation"

第二回TCADワークショップ

Revision 62018-09-04 - AtlasjSilicon

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META TOPICPARENT name="TCADSimulationInformation"

第二回TCADワークショップ

Line: 16 to 16
  sdeファイルは/home/dharada/work/Sentaurus/Silicon/TCAD/2ndworkshop/sde_dvs.cmd にあります.
Added:
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デバイスシミュレーション: Devicesimuation(2ndWS)
 IVシミュレーション: IVsimulation(2ndWS)

CVシミュレーション: CVsimulation(2ndWS)

Revision 52018-08-28 - AtlasjSilicon

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META TOPICPARENT name="TCADSimulationInformation"

第二回TCADワークショップ

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第一回の復習 (sdeとデバイスシミュレーション)

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sde01.png
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http://atlaspc5.kek.jp/do/view/Main/2ndTCADWSSDEtu

(第一回の復習)デバイスシミュレーション

Pixel検出器を例にIV,CV,点電荷を置いた時の電荷分布のシミュレーションを行う.

なぜか写真をアップロードできないのでアップロードでき次第写真をあげます。

sdeファイルは/home/dharada/work/Sentaurus/Silicon/TCAD/2ndworkshop/sde_dvs.cmd にあります.

IVシミュレーション: IVsimulation(2ndWS)

CVシミュレーション: CVsimulation(2ndWS)

点電荷シミュレーション: chargesimulation(2ndWS)

 

物理モデルの紹介と実践

物理モデル

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今回のsample

/home/yunakamu/TCADWorkShop/yunakamu/example

 移動度 : TCADSiliconMobiliy

高電界効果 : TCADHighFieldSaturation

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 バルク部のシミュレーション : TCADIrradBulkDamage

-- Koji Nakamura - 2018-08-20

Deleted:
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META FILEATTACHMENT attachment="sde01.png" attr="" comment="" date="1535452982" name="sde01.png" path="sde01.png" size="38407" user="AtlasjSilicon" version="1"

Revision 42018-08-28 - AtlasjSilicon

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META TOPICPARENT name="TCADSimulationInformation"

第二回TCADワークショップ

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第一回の復習 (sdeとデバイスシミュレーション)

Added:
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sde01.png
 

物理モデルの紹介と実践

物理モデル

Line: 23 to 24
 バルク部のシミュレーション : TCADIrradBulkDamage

-- Koji Nakamura - 2018-08-20 \ No newline at end of file

Added:
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META FILEATTACHMENT attachment="sde01.png" attr="" comment="" date="1535452982" name="sde01.png" path="sde01.png" size="38407" user="AtlasjSilicon" version="1"

Revision 32018-08-24 - AtlasjSilicon

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META TOPICPARENT name="TCADSimulationInformation"

第二回TCADワークショップ

Line: 7 to 7
 

第一回の復習 (sdeとデバイスシミュレーション)

物理モデルの紹介と実践

Added:
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物理モデル

  移動度 : TCADSiliconMobiliy

Revision 22018-08-24 - AtlasjSilicon

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META TOPICPARENT name="TCADSimulationInformation"

第二回TCADワークショップ

Line: 8 to 8
 

物理モデルの紹介と実践

Added:
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移動度 : TCADSiliconMobiliy

高電界効果 : TCADHighFieldSaturation

再結合 : TCADGeneralReconbination

driving force model(電場) : TCADDrivingForceModel

 

放射線ダメージのシミュレーション

表面電荷のシミュレーション : TCADIrradSurfaceDamage

Revision 12018-08-20 - KojiNakamura

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META TOPICPARENT name="TCADSimulationInformation"

第二回TCADワークショップ

第一回の復習 (sdeとデバイスシミュレーション)

物理モデルの紹介と実践

放射線ダメージのシミュレーション

表面電荷のシミュレーション : TCADIrradSurfaceDamage

バルク部のシミュレーション : TCADIrradBulkDamage

-- Koji Nakamura - 2018-08-20

 
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