5日目 (物理モデルについて)
物理モデル
概要
デバイスシミュレーションで使う物理モデルは非常に複雑で1574ページのマニュアルのほとんどは物理モデルの解説です。 全部は解説できませんが、よく使う物理モデルに関して簡単に解説していきます。既に出てきた物理モデル
HeavyIonモデル (manual : chapter 22)
Traps モデル (manual : chapter 17)
その他 Exampleに定義されていたもの
昔の学生がまとめてくれたページです。- 移動度 (manual : chapter 15) : TCADSiliconMobiliy
- 高電界効果 : TCADHighFieldSaturation
- driving force model(電場) : TCADDrivingForceModel
- 再結合 (manual : chapter 16): TCADGeneralReconbination
電極の温度の設定
| 温度 | 300k (27度) | 273k (0度) | 253k (-20度) |
|---|---|---|---|
 |
 |
Atlasj Silicon - 2020-06-02 
| I | Attachment | History | Action | Size | Date | Who | Comment |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 png |
IV_TID.png | r1 | manage | 88.3 K | 2020-06-02 - 03:04 | AtlasjSilicon | |
| png |
IV_TID_0oC.png | r1 | manage | 82.6 K | 2020-06-02 - 03:04 | AtlasjSilicon |
This topic: Main > TCADSimulationInformation > Tutorial4thTCADWorkshop > Tutorial7thTCADDay5
Topic revision: r1 - 2020-06-02 - AtlasjSilicon
Copyright © 2008-2025 by the contributing authors. All material on this collaboration platform is the property of the contributing authors. Ideas, requests, problems regarding TWiki? Send feedback