Difference: TCADSiliconMobiliy (3 vs. 4)

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META TOPICPARENT	name="Tutorial2ndTCADWorkshop"

Mobility

Line: 18 to 17

keyword : Masetti

Changed:

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Doping-Dependence Mobilityのデフォルト。用いられている式は以下の通り。

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Doping-Dependence Mobilityのデフォルト。

As-,P-,B-がdoopingされたsiliconデバイスのcarrierの移動度について記述したもの。

用いられている式は以下の通り。

Line: 37 to 40

Carrier-Carrier Scatteringのデフォルト。

Added:

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クーロンポテンシャルのみを仮定した散乱。

Added:

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不純物の電荷による遮蔽効果を考慮したキャリアの散乱モデル。

parameter