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Mobility | ||||||||
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keyword : Masetti | ||||||||
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< < | Doping-Dependence Mobilityのデフォルト。用いられている式は以下の通り。 | |||||||
> > | Doping-Dependence Mobilityのデフォルト。 As-,P-,B-がdoopingされたsiliconデバイスのcarrierの移動度について記述したもの。 用いられている式は以下の通り。 | |||||||
Line: 37 to 40 | ||||||||
Carrier-Carrier Scatteringのデフォルト。 | ||||||||
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> > | クーロンポテンシャルのみを仮定した散乱。 | |||||||
Brooks-Herring Modelkeyword : BrooksHerring | ||||||||
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> > | 不純物の電荷による遮蔽効果を考慮したキャリアの散乱モデル。 | |||||||
parameter |
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Mobility | |||||||||||||||
Line: 12 to 13 | |||||||||||||||
hMobility : hole | |||||||||||||||
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< < | Article text. | ||||||||||||||
> > | Doping-Dependence Mobility DegradiationMasetti Modelkeyword : Masetti Doping-Dependence Mobilityのデフォルト。用いられている式は以下の通り。 parameterCarrier-Carrier Scatteringkeyword : CarrierCarrierScattering carrierのscatteringの要素を移動度に導入する。Conwell-Weisskopf Modelkeyword : ConwellWeisskopf Carrier-Carrier Scatteringのデフォルト。Brooks-Herring Modelkeyword : BrooksHerring parameter | ||||||||||||||
-- Atlasj Silicon - 2018-08-24
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Mobility | ||||||||
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> > | 移動の設定。今回の再結合、高電界効果はすべてこの設定の中に書かれる。
Physics{ Mobility (keyword) }Mobiliy : electron/hole eMobility : electron hMobility : hole | |||||||
Article text.
-- Atlasj Silicon - 2018-08-24
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MobilityArticle text. -- Atlasj Silicon - 2018-08-24Comments |