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---+ SetupAtFujiB2 ---++ Motivation ATLASにインストールする際に検出器のクーリング能力の決定のためバルクからの発熱量を測っている。 ---++ IV measurement バルク部分のI-Vを測定し、計算から単位面積当たりの発熱量を求める。 IV measurement -25,-30,-35,-40degree の温度ごとに0~1000V(10V 1sec step)で測定する。 -25degreeに関してはInternal heatingの効果が見えていれば 10V 10sec stepで測定してみる。 if クーリング能力>発熱量, 1sec step と10sec stepで変化は見られない else if クーリング能力<発熱量, 10sec stepでの立ち上がりが顕著になるはず 発熱量[mW/cm^2] = Leak current[uA/cm^2] * HV[Volt] 5.0E+15 1MeV neq/cm2 : 600V 1.3E+16 1MeV neq/cm2 : 900V, 1000V のデータを用いて発熱量を計算。 -40degree、-35degreeのデータを-25degreeに変換したデータを用いて解析を行う(これより高い温度の時はinternal heatingの影響が見えることがあり、データがふらつく) 変換式(T0:変換したい温度、T:測定温度) <img alt="convert_ana.png" height="95" src="%ATTACHURL%/convert_ana.png" title="convert_ana.png" width="362" /> ---++ Setup 富士B2@KEKのクリーンルームにセットアップ PC(Windows XP)にあるDAQ Programを使ってデータ取得 PCでは温度、電圧、電流、時間を取得 → これらのデータをもとに解析する クーリングシステム(典型的なセットに関しては恒温槽に貼ってある) * 恒温槽 : 測りたい温度にセット * チラー :  * ペルチェ : Volt、Currentでセットする これら3つの温度を調整することでセンサーの温度を設定する。以下セットアップイメージ <img alt="iv_setup.png" height="168" src="%ATTACHURL%/iv_setup.png" title="iv_setup.png" width="460" /> センサーに関しては表面に+V、裏面をGNDとする → 裏面が真空吸着用の銅と接していて、電圧をかけられないため ---++ Measurement 現在の測定点 5.0E+15 1MeV neq/cm2 Proton irrad & Newtron Irrad | non-anneal & 5days room temperature anneal 1.3E+16 1MeV neq/cm2 Proton irrad & Newtron Irrad | non-anneal & 5days room temperature anneal -- %USERSIG{AtlasjSilicon - 2016-03-31}% ---++ Comments <br />%COMMENT%
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