Difference: SetupAtFujiB2 (2 vs. 3)

Revision 32016-04-03 - AtlasjSilicon

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SetupAtFujiB2

Motivation

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  発熱量[mW/cm^2] = Leak current[uA/cm^2] * HV[Volt]
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5.0E+15 1MeV neq/cm2 : 600V

1.3E+16 1MeV neq/cm2 : 900V, 1000V

のデータを用いて発熱量を計算。

-40degree、-35degreeのデータを-25degreeに変換したデータを用いて解析を行う(これより高い温度の時はinternal heatingの影響が見えることがあり、データがふらつく)

変換式(T0:変換したい温度、T:測定温度)

convert_ana.png

Setup

富士B2@KEKのクリーンルームにセットアップ

PC(Windows XP)にあるDAQ Programを使ってデータ取得

PCでは”温度”、”電圧”、”電流”、”時間”を取得 → これらのデータをもとに解析する

クーリングシステム(典型的なセットに関しては恒温槽に貼ってある)

  • 恒温槽 : 測りたい温度にセット
  • チラー : 
  • ペルチェ : Volt、Currentでセットする
これら3つの温度を調整することでセンサーの温度を設定する。以下セットアップイメージ

iv_setup.png

センサーに関しては表面に+V、裏面をGNDとする → 裏面が真空吸着用の銅と接していて、電圧をかけられないため

Measurement

現在の測定点

5.0E+15 1MeV neq/cm2 Proton irrad & Newtron Irrad | non-anneal & 5days room temperature anneal

1.3E+16 1MeV neq/cm2 Proton irrad & Newtron Irrad | non-anneal & 5days room temperature anneal

 -- Atlasj Silicon - 2016-03-31

Comments

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