Difference: Tutorial5thTCADDay5 (1 vs. 6)
Revision 62022-07-13 - KojiNakamura
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5日目 (物理モデルについて)物理モデル概要デバイスシミュレーションで使う物理モデルは非常に複雑で1574ページのマニュアルのほとんどは物理モデルの解説です。 全部は解説できませんが、よく使う物理モデルに関して簡単に解説していきます。既に出てきた物理モデルHeavyIonモデル (manual : chapter 22)既に説明しました。詳細はマニュアルの chapter 22を参考にしてください。Traps モデル (manual : chapter 17)既に説明しました。詳細はマニュアルの chapter 17を参考にしてください。その他 Exampleに定義されていたもの昔の学生がまとめてくれたページです。
電極の温度の設定放射線損傷後のデバイスを測定する際、大きな暗電流が問題になります。 前回の最後に見たMIP粒子のシミュレーションではMIP粒子の収集電荷による電流の増加と同等の暗電流が見られます。 この状態だと当然信号検出が難しくなります。 暗電流を少なくするには温度を下げることが効果的で、通常放射線損傷後のデバイスは-20度以下の環境で測定を行います。 IV_des.cmd , CV_des.cmd, MIP_des.cmd の三つのファイルに温度を加えます。 まず、Thermodeセクションを加えます。Thermode{
{ Name="anode" Temperature=@<Temp+273>@ SurfaceResistance=5e-4 }
}
さらにPhysicsに Thermodynamic と RecGenHeat の二つの物理モデルを加えます。
また、SolveセクションのCoupled{}や、ACCoupled{} にTemperatureを加えてみます。
最後に
ワークベンチのfluenceパラメータの前にTempパラメータを加えて、20, 0, -20のValueをセットします。
結果が見たいノードを走らせてみて結果を見ていきます。
IV特性の温度依存性まずは未照射のIVカーブの温度比較です。約一桁ずつ減っていくことがわかります。
CV特性の温度依存性CVカーブの照射量依存性も20度(左)に比べて-20度(右)は若干改善しているのが見られますが、１e15neq/cm2以上の照射量では測定が難しいことがわかります。 
MIP応答の温度依存性MIPシミュレーションの照射量依存性も比較してみましょう。 20度(左)だと暗電流の影響で電流のoffsetが大きかったものが、-20度(右)だと信号に対して十分小さくなっているのがわかります。 
--  Atlasj Silicon - 2020-06-02
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Revision 52021-06-21 - KojiNakamura
5日目 (物理モデルについて)物理モデル概要デバイスシミュレーションで使う物理モデルは非常に複雑で1574ページのマニュアルのほとんどは物理モデルの解説です。 全部は解説できませんが、よく使う物理モデルに関して簡単に解説していきます。既に出てきた物理モデルHeavyIonモデル (manual : chapter 22) | |||||||||||||||||
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| > > | 既に説明しました。詳細はマニュアルの chapter 22を参考にしてください。 | ||||||||||||||||
Traps モデル (manual : chapter 17) | |||||||||||||||||
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| > > | 既に説明しました。詳細はマニュアルの chapter 17を参考にしてください。 | ||||||||||||||||
その他 Exampleに定義されていたもの昔の学生がまとめてくれたページです。
電極の温度の設定放射線損傷後のデバイスを測定する際、大きな暗電流が問題になります。 前回の最後に見たMIP粒子のシミュレーションではMIP粒子の収集電荷による電流の増加と同等の暗電流が見られます。 この状態だと当然信号検出が難しくなります。 暗電流を少なくするには温度を下げることが効果的で、通常放射線損傷後のデバイスは-20度以下の環境で測定を行います。 IV_des.cmd , CV_des.cmd, MIP_des.cmd の三つのファイルに温度を加えます。 まず、Thermodeセクションを加えます。 | |||||||||||||||||
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Thermode{
{ Name="anode" Temperature=@<Temp+273>@ SurfaceResistance=5e-4 }
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| > > | さらにPhysicsに Thermodynamic と RecGenHeat の二つの物理モデルを加えます。 | ||||||||||||||||
また、SolveセクションのCoupled{}や、ACCoupled{} にTemperatureを加えてみます。
最後に
ワークベンチのfluenceパラメータの前にTempパラメータを加えて、20, 0, -20のValueをセットします。
結果が見たいノードを走らせてみて結果を見ていきます。
IV特性の温度依存性まずは未照射のIVカーブの温度比較です。約一桁ずつ減っていくことがわかります。
CV特性の温度依存性CVカーブの照射量依存性も20度(左)に比べて-20度(右)は若干改善しているのが見られますが、１e15neq/cm2以上の照射量では測定が難しいことがわかります。
MIP応答の温度依存性MIPシミュレーションの照射量依存性も比較してみましょう。 20度(左)だと暗電流の影響で電流のoffsetが大きかったものが、-20度(右)だと信号に対して十分小さくなっているのがわかります。
-- Atlasj Silicon - 2020-06-02
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Revision 42020-06-04 - KojiNakamura
5日目 (物理モデルについて)物理モデル概要デバイスシミュレーションで使う物理モデルは非常に複雑で1574ページのマニュアルのほとんどは物理モデルの解説です。 全部は解説できませんが、よく使う物理モデルに関して簡単に解説していきます。既に出てきた物理モデルHeavyIonモデル (manual : chapter 22)Traps モデル (manual : chapter 17)その他 Exampleに定義されていたもの昔の学生がまとめてくれたページです。
電極の温度の設定放射線損傷後のデバイスを測定する際、大きな暗電流が問題になります。 前回の最後に見たMIP粒子のシミュレーションではMIP粒子の収集電荷による電流の増加と同等の暗電流が見られます。 この状態だと当然信号検出が難しくなります。 暗電流を少なくするには温度を下げることが効果的で、通常放射線損傷後のデバイスは-20度以下の環境で測定を行います。 IV_des.cmd , CV_des.cmd, MIP_des.cmd の三つのファイルに温度を加えます。 まず、Thermodeセクションを加えます。Thermode{
{ Name="anode" Temperature=@<Temp+273>@ SurfaceResistance=5e-4 }
}
さらにPhysicsに Thermodynamic と RecGenHeat の二つの物理モデルを加えます。
また、SolveセクションのCoupled{}や、ACCoupled{} にTemperatureを加えてみます。
最後に
ワークベンチのfluenceパラメータの前にTempパラメータを加えて、20, 0, -20のValueをセットします。
結果が見たいノードを走らせてみて結果を見ていきます。
IV特性の温度依存性まずは未照射のIVカーブの温度比較です。約一桁ずつ減っていくことがわかります。
CV特性の温度依存性CVカーブの照射量依存性も20度(左)に比べて-20度(右)は若干改善しているのが見られますが、１e15neq/cm2以上の照射量では測定が難しいことがわかります。
MIP応答の温度依存性MIPシミュレーションの照射量依存性も比較してみましょう。 20度(左)だと暗電流の影響で電流のoffsetが大きかったものが、-20度(右)だと信号に対して十分小さくなっているのがわかります。
-- Atlasj Silicon - 2020-06-02
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Revision 32020-06-04 - KojiNakamura
5日目 (物理モデルについて)物理モデル概要デバイスシミュレーションで使う物理モデルは非常に複雑で1574ページのマニュアルのほとんどは物理モデルの解説です。 全部は解説できませんが、よく使う物理モデルに関して簡単に解説していきます。既に出てきた物理モデルHeavyIonモデル (manual : chapter 22)Traps モデル (manual : chapter 17)その他 Exampleに定義されていたもの昔の学生がまとめてくれたページです。
電極の温度の設定 | |||||||||||||||
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| > > | 放射線損傷後のデバイスを測定する際、大きな暗電流が問題になります。
前回の最後に見たMIP粒子のシミュレーションではMIP粒子の収集電荷による電流の増加と同等の暗電流が見られます。
この状態だと当然信号検出が難しくなります。
暗電流を少なくするには温度を下げることが効果的で、通常放射線損傷後のデバイスは-20度以下の環境で測定を行います。
IV_des.cmd , CV_des.cmd, MIP_des.cmd の三つのファイルに温度を加えます。
まず、Thermodeセクションを加えます。
Thermode{
{ Name="anode" Temperature=@<Temp+273>@ SurfaceResistance=5e-4 }
}
さらにPhysicsに Thermodynamic と RecGenHeat の二つの物理モデルを加えます。
また、SolveセクションのCoupled{}や、ACCoupled{} にTemperatureを加えてみます。
最後に
ワークベンチのfluenceパラメータの前にTempパラメータを加えて、20, 0, -20のValueをセットします。
結果が見たいノードを走らせてみて結果を見ていきます。
IV特性の温度依存性まずは未照射のIVカーブの温度比較です。約一桁ずつ減っていくことがわかります。 | ||||||||||||||
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| > > | CVカーブの照射量依存性も20度(左)に比べて-20度(右)は若干改善しているのが見られますが、１e15neq/cm2以上の照射量では測定が難しいことがわかります。 | ||||||||||||||
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| > > | MIP応答の温度依存性MIPシミュレーションの照射量依存性も比較してみましょう。 20度(左)だと暗電流の影響で電流のoffsetが大きかったものが、-20度(右)だと信号に対して十分小さくなっているのがわかります。 | ||||||||||||||
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5日目 (物理モデルについて)物理モデル概要デバイスシミュレーションで使う物理モデルは非常に複雑で1574ページのマニュアルのほとんどは物理モデルの解説です。 全部は解説できませんが、よく使う物理モデルに関して簡単に解説していきます。既に出てきた物理モデルHeavyIonモデル (manual : chapter 22)Traps モデル (manual : chapter 17)その他 Exampleに定義されていたもの昔の学生がまとめてくれたページです。
電極の温度の設定 | |||||||||||
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Revision 12020-06-02 - AtlasjSilicon
5日目 (物理モデルについて)物理モデル概要デバイスシミュレーションで使う物理モデルは非常に複雑で1574ページのマニュアルのほとんどは物理モデルの解説です。 全部は解説できませんが、よく使う物理モデルに関して簡単に解説していきます。既に出てきた物理モデルHeavyIonモデル (manual : chapter 22)Traps モデル (manual : chapter 17)その他 Exampleに定義されていたもの昔の学生がまとめてくれたページです。
電極の温度の設定
Atlasj Silicon - 2020-06-02
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