Difference: Tutorial4thTCADDay5 (1 vs. 5)
Revision 52020-06-09 - KojiNakamura
| Line: 1 to 1 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
5日目 (物理モデルについて) | ||||||||
| Line: 13 to 13 | ||||||||
既に出てきた物理モデルHeavyIonモデル (manual : chapter 22) | ||||||||
| Added: | ||||||||
| > > | 既に説明しました。詳細はマニュアルの chapter 22を参考にしてください。 | |||||||
Traps モデル (manual : chapter 17) | ||||||||
| Added: | ||||||||
| > > | 既に説明しました。詳細はマニュアルの chapter 17を参考にしてください。 | |||||||
その他 Exampleに定義されていたもの昔の学生がまとめてくれたページです。 | ||||||||
| Line: 40 to 43 | ||||||||
| { Name="anode" Temperature=@<Temp+273>@ SurfaceResistance=5e-4 } } | ||||||||
| Changed: | ||||||||
| < < | さらにPhysicsに Thermodynamic と RecGenHeat の二つの物理モデルを加えます。 | |||||||
| > > | さらにPhysicsに Thermodynamic と RecGenHeat の二つの物理モデルを加えます。 | |||||||
| また、SolveセクションのCoupled{}や、ACCoupled{} にTemperatureを加えてみます。 | ||||||||
Revision 42020-06-04 - KojiNakamura
Revision 32020-06-04 - KojiNakamura
| Line: 1 to 1 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
5日目 (物理モデルについて) | ||||||||
| Line: 25 to 25 | ||||||||
電極の温度の設定 | ||||||||
| Added: | ||||||||
| > > | 放射線損傷後のデバイスを測定する際、大きな暗電流が問題になります。
前回の最後に見たMIP粒子のシミュレーションではMIP粒子の収集電荷による電流の増加と同等の暗電流が見られます。
この状態だと当然信号検出が難しくなります。
暗電流を少なくするには温度を下げることが効果的で、通常放射線損傷後のデバイスは-20度以下の環境で測定を行います。
IV_des.cmd , CV_des.cmd, MIP_des.cmd の三つのファイルに温度を加えます。
まず、Thermodeセクションを加えます。
Thermode{
{ Name="anode" Temperature=@<Temp+273>@ SurfaceResistance=5e-4 }
}
さらにPhysicsに Thermodynamic と RecGenHeat の二つの物理モデルを加えます。
また、SolveセクションのCoupled{}や、ACCoupled{} にTemperatureを加えてみます。
最後に
ワークベンチのfluenceパラメータの前にTempパラメータを加えて、20, 0, -20のValueをセットします。
結果が見たいノードを走らせてみて結果を見ていきます。
IV特性の温度依存性まずは未照射のIVカーブの温度比較です。約一桁ずつ減っていくことがわかります。 | |||||||
 | ||||||||
| Added: | ||||||||
| > > | CV特性の温度依存性CVカーブの照射量依存性も20度(左)に比べて-20度(右)は若干改善しているのが見られますが、１e15neq/cm2以上の照射量では測定が難しいことがわかります。 | |||||||
  | ||||||||
| Added: | ||||||||
| > > | MIP応答の温度依存性MIPシミュレーションの照射量依存性も比較してみましょう。 20度(左)だと暗電流の影響で電流のoffsetが大きかったものが、-20度(右)だと信号に対して十分小さくなっているのがわかります。 | |||||||
  | ||||||||
Revision 22020-06-03 - KojiNakamura
| Line: 1 to 1 | |||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
5日目 (物理モデルについて) | |||||||||||
| Line: 25 to 25 | |||||||||||
電極の温度の設定 | |||||||||||
| Changed: | |||||||||||
| < < |
| ||||||||||
| > > |
| ||||||||||
--  Atlasj Silicon - 2020-06-02
| |||||||||||
| Added: | |||||||||||
| > > |
| ||||||||||
Revision 12020-06-02 - AtlasjSilicon
| Line: 1 to 1 | |||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Added: | |||||||||||||||
| > > |
5日目 (物理モデルについて)物理モデル概要デバイスシミュレーションで使う物理モデルは非常に複雑で1574ページのマニュアルのほとんどは物理モデルの解説です。 全部は解説できませんが、よく使う物理モデルに関して簡単に解説していきます。既に出てきた物理モデルHeavyIonモデル (manual : chapter 22)Traps モデル (manual : chapter 17)その他 Exampleに定義されていたもの昔の学生がまとめてくれたページです。
電極の温度の設定
Atlasj Silicon - 2020-06-02
| ||||||||||||||
View topic | History: r5 < r4 < r3 < r2 | More topic actions...
Copyright © 2008-2023 by the contributing authors. All material on this collaboration platform is the property of the contributing authors. Ideas, requests, problems regarding TWiki? Send feedback