Difference: Tutorial4thTCADDay3Question (1 vs. 2)

META TOPICPARENT	name="Tutorial4thTCADWorkshop"

3日目(デバイスシミュレーション) -- 演習問題

電流電圧特性のシミュレーションを　[0V, -10V] [-10V, -120V] [-120V-200V] の3ステップに分けて行い、それぞれの間でPlotを表示させ、空乏層領域の発展や、電場、電子密度等の分布を比較せよ。

Plotに温度を加えて現在のシミュレーションで(特に指定していないので default値のはず)何度が使われているかを確認せよ。

また、ThermodynamicとRecGenHeatというPhysicsモデルを使って一様なSelf-Heatingによる温度分布もシミュレーションせよ。(anodeを293Kにすること。)

ヒント　 : マニュアル 9章参照。Thermode sectionを追加してanodeの温度を指定。二つのPhysicsモデルを追加して、Coupled{}のリストに温度を加えるのを忘れずに

Added:

>
>

Changed:

<
<

問題３

>
>

1/C^2の電圧依存性がいびつな形をしている理由を考えるために、大きな電極(例えば、電極のサイズを500um程度)が一つだけの構造を作ってシミュレーションをしてみて1/C^2の電圧依存性が比例関係になることを確認せよ。

Changed:

<
<

問題 4

>
>

Article text.

<--/commentPlugin-->

META TOPICPARENT	name="Tutorial4thTCADWorkshop"

Plotに温度を加えて現在のシミュレーションで(特に指定していないので default値のはず)何度が使われているかを確認せよ。

また、ThermodynamicとRecGenHeatというPhysicsモデルを使って一様なSelf-Heatingによる温度分布もシミュレーションせよ。(anodeを293Kにすること。)

問題３

問題 4

Article text.

<--/commentPlugin-->