Difference: TCADHighFieldSaturation (2 vs. 3)

META TOPICPARENT	name="Tutorial2ndTCADWorkshop"

High-Field Saturation

Changed:

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低い電界ではドリフトは電界に比例する。高い電界では高電界効果を考慮する必要がある。ここでは主に移動度に関係する式を紹介する。

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低い電界ではドリフトは電界に比例する。高い電界では高電界効果を考慮する必要がある。ここでは主に移動度に関係する式を紹介する。

Physics{
Mobility(
HighFieldSaturation ( ...) )}

(...)の中に使いたいmodelのkeywordを入れることでシミュレーションができる。

eHighFieldSaturation/hHighFieldSaturationとある場合、electron/holeとそれぞれ区別することができる。

keyword: Canali

(...)の中を指定しない場合、デフォルトではこのmodelである。

Canali modeleはCaughey-Thomas formulaからくる式で移動度の式である。

Added:

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高電界状態では温度による移動度の変化が重要になる。

パラメータとして電場Fがあるが後の電場の項目で紹介する電場の式を代入。

parameter

example

例として、hydrodynamic drving forceを使った場合

Added:

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温度に依存したモデル。

Article text.

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