Difference: TCADHighFieldSaturation (1 vs. 2)

Revision 22018-08-26 - AtlasjSilicon

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META TOPICPARENT name="Tutorial2ndTCADWorkshop"

High-Field Saturation

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  (...)の中に使いたいmodelのkeywordを入れることでシミュレーションができる。
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eHighFieldSaturation/hHighFieldSaturationとある場合、electron/holeとそれぞれ否定することができる。
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eHighFieldSaturation/hHighFieldSaturationとある場合、electron/holeとそれぞれ区別することができる。
 

Canali model

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keyword: no keyword
>
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keyword: Canali
  (...)の中を指定しない場合、デフォルトではこのmodelである。

Canali modeleはCaughey-Thomas formulaからくる式で移動度の式である。

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Transferred Electron Model

 
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keyword : TransferredElectronEffect
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パラメータとして電場Fがあるが後の電場の項目で紹介する電場の式を代入。

cauil1.png

cauil2.png

parameter

 
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cauil_parameter.png

example

例として、hydrodynamic drving forceを使った場合

cauil_example.png

 

Basic Model

keyword : CarrierTempDriveBasic

Added:
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basic.png
 Article text.

-- Atlasj Silicon - 2018-08-24

Line: 36 to 48
 

Comments


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Added:
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META FILEATTACHMENT attachment="cauil1.png" attr="" comment="" date="1535245484" name="cauil1.png" path="cauil1.png" size="7042" user="AtlasjSilicon" version="1"
META FILEATTACHMENT attachment="cauil2.png" attr="" comment="" date="1535245484" name="cauil2.png" path="cauil2.png" size="3245" user="AtlasjSilicon" version="1"
META FILEATTACHMENT attachment="cauil_parameter.png" attr="" comment="" date="1535246255" name="cauil_parameter.png" path="cauil_parameter.png" size="19141" user="AtlasjSilicon" version="1"
META FILEATTACHMENT attachment="cauil_example.png" attr="" comment="" date="1535246255" name="cauil_example.png" path="cauil_example.png" size="18041" user="AtlasjSilicon" version="1"
META FILEATTACHMENT attachment="basic.png" attr="" comment="" date="1535247132" name="basic.png" path="basic.png" size="2837" user="AtlasjSilicon" version="1"

Revision 12018-08-24 - AtlasjSilicon

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META TOPICPARENT name="Tutorial2ndTCADWorkshop"

High-Field Saturation

低い電界ではドリフトは電界に比例する。高い電界では高電界効果を考慮する必要がある。 ここでは主に移動度に関係する式を紹介する。

Physics{
Mobility(
HighFieldSaturation ( ...) )}

(...)の中に使いたいmodelのkeywordを入れることでシミュレーションができる。

eHighFieldSaturation/hHighFieldSaturationとある場合、electron/holeとそれぞれ否定することができる。

Canali model

keyword: no keyword

(...)の中を指定しない場合、デフォルトではこのmodelである。

Canali modeleはCaughey-Thomas formulaからくる式で移動度の式である。

Transferred Electron Model

keyword : TransferredElectronEffect

Basic Model

keyword : CarrierTempDriveBasic

Article text.

-- Atlasj Silicon - 2018-08-24

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