High-Field Saturation

低い電界ではドリフトは電界に比例する。高い電界では高電界効果を考慮する必要がある。 ここでは主に移動度に関係する式を紹介する。

Physics{
Mobility(
HighFieldSaturation ( ...) )}

(...)の中に使いたいmodelのkeywordを入れることでシミュレーションができる。

eHighFieldSaturation/hHighFieldSaturationとある場合、electron/holeとそれぞれ否定することができる。

Canali model

keyword: no keyword

(...)の中を指定しない場合、デフォルトではこのmodelである。

Canali modeleはCaughey-Thomas formulaからくる式で移動度の式である。

Transferred Electron Model

keyword : TransferredElectronEffect

Basic Model

keyword : CarrierTempDriveBasic

Article text.

-- Atlasj Silicon - 2018-08-24

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Topic revision: r1 - 2018-08-24 - AtlasjSilicon
 
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