Difference: TCADHighFieldSaturation (1 vs. 3)

Revision 32018-08-28 - AtlasjSilicon

META TOPICPARENT	name="Tutorial2ndTCADWorkshop"

High-Field Saturation

Changed:

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低い電界ではドリフトは電界に比例する。高い電界では高電界効果を考慮する必要がある。ここでは主に移動度に関係する式を紹介する。

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低い電界ではドリフトは電界に比例する。高い電界では高電界効果を考慮する必要がある。ここでは主に移動度に関係する式を紹介する。

Physics{
Mobility(
HighFieldSaturation ( ...) )}

(...)の中に使いたいmodelのkeywordを入れることでシミュレーションができる。

eHighFieldSaturation/hHighFieldSaturationとある場合、electron/holeとそれぞれ区別することができる。

Canali model

keyword: Canali

(...)の中を指定しない場合、デフォルトではこのmodelである。

Canali modeleはCaughey-Thomas formulaからくる式で移動度の式である。

Added:

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>

高電界状態では温度による移動度の変化が重要になる。

パラメータとして電場Fがあるが後の電場の項目で紹介する電場の式を代入。

parameter

example

例として、hydrodynamic drving forceを使った場合

Basic Model

keyword : CarrierTempDriveBasic

Added:

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>

温度に依存したモデル。

Article text.

-- Atlasj Silicon - 2018-08-24

Comments

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Revision 22018-08-26 - AtlasjSilicon

META TOPICPARENT	name="Tutorial2ndTCADWorkshop"

High-Field Saturation

Changed:

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低い電界ではドリフトは電界に比例する。高い電界では高電界効果を考慮する必要がある。ここでは主に移動度に関係する式を紹介する。

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>

低い電界ではドリフトは電界に比例する。高い電界では高電界効果を考慮する必要がある。ここでは主に移動度に関係する式を紹介する。

Deleted:

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Physics{
Mobility(
HighFieldSaturation ( ...) )}

(...)の中に使いたいmodelのkeywordを入れることでシミュレーションができる。

Changed:

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eHighFieldSaturation/hHighFieldSaturationとある場合、electron/holeとそれぞれ否定することができる。

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eHighFieldSaturation/hHighFieldSaturationとある場合、electron/holeとそれぞれ区別することができる。

Canali model

Changed:

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<

keyword: no keyword

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keyword: Canali

(...)の中を指定しない場合、デフォルトではこのmodelである。

Canali modeleはCaughey-Thomas formulaからくる式で移動度の式である。

Deleted:

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Transferred Electron Model

Changed:

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keyword : TransferredElectronEffect

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>

パラメータとして電場Fがあるが後の電場の項目で紹介する電場の式を代入。

Added:

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>

parameter

example

例として、hydrodynamic drving forceを使った場合

Basic Model

keyword : CarrierTempDriveBasic

Added:

>
>

Article text.

-- Atlasj Silicon - 2018-08-24

Comments

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Added:

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>

META FILEATTACHMENT	attachment="cauil1.png" attr="" comment="" date="1535245484" name="cauil1.png" path="cauil1.png" size="7042" user="AtlasjSilicon" version="1"
META FILEATTACHMENT	attachment="cauil2.png" attr="" comment="" date="1535245484" name="cauil2.png" path="cauil2.png" size="3245" user="AtlasjSilicon" version="1"
META FILEATTACHMENT	attachment="cauil_parameter.png" attr="" comment="" date="1535246255" name="cauil_parameter.png" path="cauil_parameter.png" size="19141" user="AtlasjSilicon" version="1"
META FILEATTACHMENT	attachment="cauil_example.png" attr="" comment="" date="1535246255" name="cauil_example.png" path="cauil_example.png" size="18041" user="AtlasjSilicon" version="1"
META FILEATTACHMENT	attachment="basic.png" attr="" comment="" date="1535247132" name="basic.png" path="basic.png" size="2837" user="AtlasjSilicon" version="1"

Revision 12018-08-24 - AtlasjSilicon

META TOPICPARENT	name="Tutorial2ndTCADWorkshop"

High-Field Saturation

低い電界ではドリフトは電界に比例する。高い電界では高電界効果を考慮する必要がある。ここでは主に移動度に関係する式を紹介する。

Physics{
Mobility(
HighFieldSaturation ( ...) )}

(...)の中に使いたいmodelのkeywordを入れることでシミュレーションができる。

eHighFieldSaturation/hHighFieldSaturationとある場合、electron/holeとそれぞれ否定することができる。

Canali model

keyword: no keyword

(...)の中を指定しない場合、デフォルトではこのmodelである。

Canali modeleはCaughey-Thomas formulaからくる式で移動度の式である。

Transferred Electron Model

keyword : TransferredElectronEffect

Basic Model

keyword : CarrierTempDriveBasic

Article text.

-- Atlasj Silicon - 2018-08-24

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