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-- Sayuka Kita - 2021-01-07

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１. C1C2 センサーのgainの出る電圧（定義：50V以上かつ前との点の2倍以上になった点との中点）前後5Vを測定

→解析した結果、gainの出る電圧でパルハイを比較してもセンサーの種類に依らないことが分かった。

＝クロストーク測定はA、B、Cのどの番号を使ってもgainの出るところで比較すれば問題ない。

２. クロストーク測定

A2、B2、C2の3つで比較をすることに決定。

C2のデータをとった。

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昨日のクロストーク測定（Pad）の続き

1. B2

IV測定：データ点のばらつきが大きいがrangeのせい。breakdownvolt 229V

ソーステスト@229V

2. A2

IV測定：breakdownvolt 331V

ソーステスト@326V : 331Vまで電圧をあげるとノイズの影響が大きくなって信号が見えないため

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時間分解能測定の恒温槽下でのやり直し

0．信号の確認

ワイヤーボンドが取れていないか190Vをかけてセルフトリガーで波形を見た⇒正常に動いていそう

1．IV測定

breakdown電圧：183V　本来より高い、oparation volt は181V

2．時間分解能測定

183Vで測定

50psくらいだったので後日電圧を上げて再測定したい

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C2stripUP16の再測定（on FNALamp NO.1）

0．IV測定：breakdown電圧159V

1．ソーステスト＠183V：Padクロストークの結果と比較するため＆159Vだとイベントがなくて信号が読めない

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B2stripUP16の測定（on FNALamp NO.2）

0．IV測定：breakdown電圧187V

1．ソーステスト＠215V：187Vだとイベントがなくて信号が読めない、びりびりする直前の電圧

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A2stripUP16の測定（on FNALamp NO.3）

0．IV測定：breakdown電圧263V

1．ソーステスト＠360V：263Vだとイベントがなくて信号が読めない、びりびりする直前の電圧

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C2Padstackの時間分解能測定、前回breakdown電圧で計ったがびりびり直前の方が時間分解能よくでそうなので

0．IV測定 間違えて10degCで測定したがおおむね良好、確認のためだけに使った

1．ソーステスト＠185V

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Poly-Si電極の測定、PadC2

ぽりしり電極のサンプルはCcpが違うのでCcpとsignalsizeの違いをみられるか

0．IV測定2回 breakdownvolt : 1→157V、2→159V アルミ電極のものより早い

1. TCAD→Ccpが大きいとbreakdownが早い ： Ccpがバイパスコンデンサー的な役割をしてて全部がGNDに落ちてないため電場が強くなりづらくなっていたのか？

2．ソーステスト＠158V

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