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Poly-Si電極の測定、PadC2

ぽりしり電極のサンプルはCcpが違うのでCcpとsignalsizeの違いをみられるか

0．IV測定2回 breakdownvolt : 1→157V、2→159V アルミ電極のものより早い

1. TCAD→Ccpが大きいとbreakdownが早い ： Ccpがバイパスコンデンサー的な役割をしてて全部がGNDに落ちてないため電場が強くなりづらくなっていたのか？

2．ソーステスト＠158V

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A2stripUP16の測定（on FNALamp NO.3）

0．IV測定：breakdown電圧263V

1．ソーステスト＠360V：263Vだとイベントがなくて信号が読めない、びりびりする直前の電圧

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C2Padstackの時間分解能測定、前回breakdown電圧で計ったがびりびり直前の方が時間分解能よくでそうなので

0．IV測定 間違えて10degCで測定したがおおむね良好、確認のためだけに使った

1．ソーステスト＠185V

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B2stripUP16の測定（on FNALamp NO.2）

0．IV測定：breakdown電圧187V

1．ソーステスト＠215V：187Vだとイベントがなくて信号が読めない、びりびりする直前の電圧

50psくらいだったので後日電圧を上げて再測定したい

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C2stripUP16の再測定（on FNALamp NO.1）

0．IV測定：breakdown電圧159V

1．ソーステスト＠183V：Padクロストークの結果と比較するため＆159Vだとイベントがなくて信号が読めない

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時間分解能測定の恒温槽下でのやり直し

0．信号の確認

ワイヤーボンドが取れていないか190Vをかけてセルフトリガーで波形を見た⇒正常に動いていそう

1．IV測定

breakdown電圧：V　本来よりだがoparation volt はV

2．時間分解能測定

Vで測定

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昨日のクロストーク測定（Pad）の続き

1. B2

IV測定：データ点のばらつきが大きいがrangeのせい。breakdownvolt 229V

ソーステスト@229V

2. A2

IV測定：breakdownvolt 331V

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-- Sayuka Kita - 2021-01-07

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１. C1C2センサーのgainの出る電圧（定義：50V以上かつ前との点の2倍以上になった点との中点）前後5Vを測定

→解析した結果、gainの出る電圧でパルハイを比較してもセンサーの種類に依らないことが分かった。

＝クロストーク測定はA、B、Cのどの番号を使ってもgainの出るところで比較すれば問題ない。

２. クロストーク測定

A2、B2、C2の3つで比較をすることに決定。

C2のデータをとった。

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