Difference: Tutorial5thTCADDay3 (3 vs. 4)

Revision 42020-05-21 - AtlasjSilicon

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META TOPICPARENT name="Tutorial4thTCADWorkshop"

3日目(デバイスシミュレーション)

Line: 44 to 43
 電場分布をy軸に沿った軸でカットしてみると3e5V/cmを超えていることがわかります。

field.png

Changed:
<
<

Simple2D のIVシミュレーションのコマンド

>
>

Simple2D のIVシミュレーションのコマンド

まず、デバイスシミュレーションに関しては膨大なオプションが準備されています。マニュアルは全1574ページ!!

もちろん今日だけで全部は説明できませんし、おそらく必要ないものがほとんどです。辞書的にマニュアルを使いながら理解してみてください。

  IV_des.cmdという名前のファイルを見てみましょう。以下のコンポーネントからできています。
Added:
>
>
 
File {...}
Electrode {...}
Physics {...}
Line: 84 to 89
  ただし、構造体をsdeで作った際に電極になる場所を作っておく必要があります。前回の sdegeo:define-contact-set を参照。
Changed:
<
<
Simple2D_des.cmdのなかでストリップ電極数(cathode1,2,3)+裏面(anode)の4つの電極を作って、それぞれを 0.0 Vに設定します。
>
>
Simple2D_des.cmdのなかでストリップ電極数(cathode1,2,3)+裏面(anode)の4つの電極を作って、それぞれを 0.0 Vに設定します。

eRecVelocity や hRecVelocityは再結合モビリティー(単位は cm/s)。

そのほかに直列に抵抗を入れたり、電流や電荷の境界条件や初期条件を入れることができる。

 
Electrode {
        !(
Line: 97 to 106
 }

Physics section

Changed:
<
<

Physics {
##AreaFactor=1e8
##Fermi
}

Physics (material="Silicon") {

Mobility(
DopingDep (Unibo)
HighFieldsat (GradQuasiFermi)
)
Recombination(
SRH(DopingDep TempDep)
Auger
##hAvalanche(UniBo) eAvalanche(UniBo)
hAvalanche eAvalanche
)
EffectiveIntrinsicDensity (OldSlotboom)

Traps(
(
name="state1" acceptor conc=@<fluence*1.613>@
Level FromConductionBand EnergyMid =0.42
eXsection=2E-15 hXsection=2E-14
##eJfactor=1.0 hJfactor=1.0
)
(
name="state2" acceptor conc=@<fluence*100.0>@
Level FromConductionBand EnergyMid =0.46
eXsection=5E-15 hXsection=5E-14
##eJfactor=1.0 hJfactor=1.0
)
(
name="state3" donor conc=@<fluence*0.9>@
Level FromValenceBand EnergyMid =0.36
eXsection=2.5E-14 hXsection=2.5E-15
##eJfactor=1.0 hJfactor=1.0
)
)



}
>
>
物理モデルを指定する。この部分は来週、再来週にまとめて話します。
Physics { 
        ##AreaFactor=1e8
        ##Fermi
 }
        
 Physics (material="Silicon") { 

        Mobility( 
                DopingDep (Unibo)
                HighFieldsat (GradQuasiFermi)
                )
        Recombination( 
                 SRH(DopingDep TempDep)
                 Auger
                ##hAvalanche(UniBo) eAvalanche(UniBo)           
                hAvalanche eAvalanche           
                )
        EffectiveIntrinsicDensity (OldSlotboom)

                Traps(
                        (
                        name="state1" acceptor conc=@<fluence*1.613>@
                        Level FromConductionBand        EnergyMid =0.42
                        eXsection=2E-15 hXsection=2E-14
                        ##eJfactor=1.0 hJfactor=1.0
                        )
                        (
                        name="state2" acceptor conc=@<fluence*100.0>@
                        Level FromConductionBand        EnergyMid =0.46
                        eXsection=5E-15 hXsection=5E-14
                        ##eJfactor=1.0 hJfactor=1.0
                        )
                        (
                        name="state3" donor conc=@<fluence*0.9>@
                        Level FromValenceBand   EnergyMid =0.36
                        eXsection=2.5E-14 hXsection=2.5E-15
                        ##eJfactor=1.0 hJfactor=1.0
                        )
                )



}
 
Changed:
<
<

CurrentPlot section

>
>

CurrentPlot section

 
CurrentPlot {
eLifeTime(Maximum(material="Silicon"))
hLifeTime(Maximum(material="Silicon"))
eAvalanche(Maximum(material="Silicon"))
hAvalanche(Maximum(material="Silicon"))
}

Math section

 
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