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3日目(デバイスシミュレーション) | ||||||||
Line: 44 to 43 | ||||||||
電場分布をy軸に沿った軸でカットしてみると3e5V/cmを超えていることがわかります。 | ||||||||
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< < | Simple2D のIVシミュレーションのコマンド | |||||||
> > | Simple2D のIVシミュレーションのコマンドまず、デバイスシミュレーションに関しては膨大なオプションが準備されています。マニュアルは全1574ページ!! もちろん今日だけで全部は説明できませんし、おそらく必要ないものがほとんどです。辞書的にマニュアルを使いながら理解してみてください。 | |||||||
IV_des.cmdという名前のファイルを見てみましょう。以下のコンポーネントからできています。 | ||||||||
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> > | ||||||||
File {...} Electrode {...} Physics {...} | ||||||||
Line: 84 to 89 | ||||||||
ただし、構造体をsdeで作った際に電極になる場所を作っておく必要があります。前回の sdegeo:define-contact-set を参照。 | ||||||||
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< < | Simple2D_des.cmdのなかでストリップ電極数(cathode1,2,3)+裏面(anode)の4つの電極を作って、それぞれを 0.0 Vに設定します。 | |||||||
> > | Simple2D_des.cmdのなかでストリップ電極数(cathode1,2,3)+裏面(anode)の4つの電極を作って、それぞれを 0.0 Vに設定します。 eRecVelocity や hRecVelocityは再結合モビリティー(単位は cm/s)。 そのほかに直列に抵抗を入れたり、電流や電荷の境界条件や初期条件を入れることができる。 | |||||||
Electrode { !( | ||||||||
Line: 97 to 106 | ||||||||
}
Physics section | ||||||||
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< < | Physics { ##AreaFactor=1e8 ##Fermi } Physics (material="Silicon") { Mobility( DopingDep (Unibo) HighFieldsat (GradQuasiFermi) ) Recombination( SRH(DopingDep TempDep) Auger ##hAvalanche(UniBo) eAvalanche(UniBo) hAvalanche eAvalanche ) EffectiveIntrinsicDensity (OldSlotboom) Traps( ( name="state1" acceptor conc=@<fluence*1.613>@ Level FromConductionBand EnergyMid =0.42 eXsection=2E-15 hXsection=2E-14 ##eJfactor=1.0 hJfactor=1.0 ) ( name="state2" acceptor conc=@<fluence*100.0>@ Level FromConductionBand EnergyMid =0.46 eXsection=5E-15 hXsection=5E-14 ##eJfactor=1.0 hJfactor=1.0 ) ( name="state3" donor conc=@<fluence*0.9>@ Level FromValenceBand EnergyMid =0.36 eXsection=2.5E-14 hXsection=2.5E-15 ##eJfactor=1.0 hJfactor=1.0 ) ) } | |||||||
> > | 物理モデルを指定する。この部分は来週、再来週にまとめて話します。
Physics { ##AreaFactor=1e8 ##Fermi } Physics (material="Silicon") { Mobility( DopingDep (Unibo) HighFieldsat (GradQuasiFermi) ) Recombination( SRH(DopingDep TempDep) Auger ##hAvalanche(UniBo) eAvalanche(UniBo) hAvalanche eAvalanche ) EffectiveIntrinsicDensity (OldSlotboom) Traps( ( name="state1" acceptor conc=@<fluence*1.613>@ Level FromConductionBand EnergyMid =0.42 eXsection=2E-15 hXsection=2E-14 ##eJfactor=1.0 hJfactor=1.0 ) ( name="state2" acceptor conc=@<fluence*100.0>@ Level FromConductionBand EnergyMid =0.46 eXsection=5E-15 hXsection=5E-14 ##eJfactor=1.0 hJfactor=1.0 ) ( name="state3" donor conc=@<fluence*0.9>@ Level FromValenceBand EnergyMid =0.36 eXsection=2.5E-14 hXsection=2.5E-15 ##eJfactor=1.0 hJfactor=1.0 ) ) } | |||||||
Changed: | ||||||||
< < | CurrentPlot section | |||||||
> > | CurrentPlot section | |||||||
CurrentPlot { eLifeTime(Maximum(material="Silicon")) hLifeTime(Maximum(material="Silicon")) eAvalanche(Maximum(material="Silicon")) hAvalanche(Maximum(material="Silicon")) } Math section |