Difference: Tutorial5thTCADDay3 (1 vs. 2)

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3日目(デバイスシミュレーション)

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最初の例題で見たグラフとずいぶん違う形になっていますが、これは130V付近で電場の集中による雪崩増幅が起こったことを示唆しています。

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一般的に、p-n 接合に大きな逆方向電圧がかけられると，接合は降伏現象(Break down)を起こし，大電流が流れます。

Y軸をログスケールにするともう少しわかりやすいかもしれません。上の方真ん中付近にある logYというボタンを押してみてください。

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130V付近までは依然見た様な電流電圧特性を示しますが、その後急に増えていることがわかります。

この降伏(Break down)が起こる電圧をBreak down voltageと呼びます。

Breakを起こしたときの電場分布と電子の密度分布を見てみましょう。

META FILEATTACHMENT	attachment="iv_break.png" attr="" comment="" date="1590030718" name="iv_break.png" path="iv_break.png" size="8871" user="AtlasjSilicon" version="1"

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META TOPICPARENT	name="Tutorial4thTCADWorkshop"

まずは、Simple2Dのプロジェクトを開いてください。

cd ~/work/Silicon/TCAD/Sentaurus/tutorials/Simple2D
swb . &

node 27だけ実行してあったと思います。

その構造に相当するIVシミュレーション(node 45)も実行して前回同様、Inspectorを使ってIV_n45_des.plt　を開いてみてください。

anodeの OuterVoltage をx軸に、anodeのTotalCurrentをy軸に指定してプロットを描くとしたの図のようになります。

最初の例題で見たグラフとずいぶん違う形になっていますが、これは130V付近で電場の集中による雪崩増幅が起こったことを示唆しています。

Y軸をログスケールにするともう少しわかりやすいかもしれません。上の方真ん中付近にある logYというボタンを押してみてください。

META FILEATTACHMENT	attachment="iv_break.png" attr="" comment="" date="1590030718" name="iv_break.png" path="iv_break.png" size="8871" user="AtlasjSilicon" version="1"
META FILEATTACHMENT	attachment="iv_break_ly.png" attr="" comment="" date="1590030951" name="iv_break_ly.png" path="iv_break_ly.png" size="8683" user="AtlasjSilicon" version="1"