Difference: TCADSiliconMobiliy (3 vs. 4)

META TOPICPARENT	name="Tutorial2ndTCADWorkshop"

Mobility

移動の設定。今回の再結合、高電界効果はすべてこの設定の中に書かれる。

Deleted:

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<

 
Physics{ Mobility (keyword) }

Mobiliy : electron/hole

eMobility : electron

hMobility : hole

keyword : Masetti

Changed:

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Doping-Dependence Mobilityのデフォルト。用いられている式は以下の通り。

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>

Doping-Dependence Mobilityのデフォルト。

Added:

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As-,P-,B-がdoopingされたsiliconデバイスのcarrierの移動度について記述したもの。

用いられている式は以下の通り。

parameter

carrierのscatteringの要素を移動度に導入する。

Carrier-Carrier Scatteringのデフォルト。

Added:

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>

クーロンポテンシャルのみを仮定した散乱。

Added:

>
>

不純物の電荷による遮蔽効果を考慮したキャリアの散乱モデル。

parameter

-- Atlasj Silicon - 2018-08-24

<--/commentPlugin-->

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