1.3E+16 1MeV neq/cm2　：　900V, 1000V

のデータを用いて発熱量を計算。

-40degree、-35degreeのデータを-25degreeに変換したデータを用いて解析を行う（これより高い温度の時はinternal heatingの影響が見えることがあり、データがふらつく）

変換式(T0:変換したい温度、T:測定温度)

Setup

富士B2@KEKのクリーンルームにセットアップ

PC（Windows XP）にあるDAQ Programを使ってデータ取得

PCでは”温度”、”電圧”、”電流”、”時間”を取得 → これらのデータをもとに解析する

クーリングシステム（典型的なセットに関しては恒温槽に貼ってある）

• 恒温槽　：　測りたい温度にセット
• チラー　：　
• ペルチェ　：　Volt、Currentでセットする

センサーに関しては表面に+V、裏面をGNDとする → 裏面が真空吸着用の銅と接していて、電圧をかけられないため

Measurement

現在の測定点

5.0E+15 1MeV neq/cm2 Proton irrad & Newtron Irrad | non-anneal & 5days room temperature anneal

1.3E+16 1MeV neq/cm2 Proton irrad & Newtron Irrad | non-anneal & 5days room temperature anneal

IV measurement

バルク部分のI-Vを測定し、計算から単位面積当たりの発熱量を求める。

IV measurement -25,-30,-35,-40degree の温度ごとに0~1000V(10V 1sec step)で測定する。

-25degreeに関してはInternal heatingの効果が見えていれば 10V 10sec stepで測定してみる。

if クーリング能力＞発熱量, 1sec step と10sec stepで変化は見られない

else if クーリング能力<発熱量, 10sec stepでの立ち上がりが顕著になるはず

発熱量[mW/cm^2] = Leak current[uA/cm^2] * HV[Volt]

SetupAtFujiB2

Motivation

ATLASにインストールする際に検出器のクーリング能力の決定のためバルクからの発熱量を測っている。

-- Atlasj Silicon - 2016-03-31

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