ELog for TCAD simulation study

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簡単な使い方など

中にたくさんのファイルがあるがほとんどがsimulationを行なったときに出来る中間ファイル。

とりあえずこの辺があれば問題なく走る。

sde_dvs.cmd        :  geometry & mesh  
sdevice_des.cmd    :  device simulation IV/CV curve Transient for MIP charge collection.
inspect_ins.cmd    :  analysis for device simulation output.
gtree.dat          :  Node ???
gvars.dat          :  ?????
gcomments.dat
.project
.database

その辺をまとめてproject を作った。

とりあえず、.projectとか.databaseがないところから始めるには

% export STROOT=/afs/cern.ch/eng/clic/software/Sentaurus
% export PATH=$STROOT/bin:$PATH
% export LM_LICENSE_FILE=1700@lnxmics1.cern.ch
% export STDB=~/work/Silicon/TCAD/Synopsys

% mkdir -p ~/work/Silicon/TCAD/Synopsys/tutorials

% swb&

Project -> New Projectとしてから Project -> Save As -> project

/home/[username]/work/Silicon/TCAD/Synopsys/tutorials/myexample

を選んで OK.

firstproject.png

myexampleが treeのアイコンで表示されて入ればok

次にsde_dvs.cmdを書く。これは最初はあるものをコピー

% cd ~/work/Silicon/TCAD/Synopsys/tutorials/myexample
% cp /home/kojin/work/Silicon/TCAD/Synopsys/tutorials/sample_v2/sde_dvs.cmd .

->kekのpcで行う場合は、lxatutからscpかrsyncで持ってくる。

右側 Project タブにある No Tools と表示されているところを右クリック Add。

Name のところ pull down menueから sdeを選択 Run Asは とりあえずbatchで。

Input Files でcommands がsde_dvs.cmdになっていることを確認して OK.
sde.png

sde_dvs.cmdの中で

tPSub : substrate の厚み

XMIP : MIPを inject する位置 (meshを切るときに必要。)

が変数となっているのでこれをセットする必要がある。

SDEのアイコンがあるすぐしたのcellで右クリック Addを選ぶ

tPSub/150/default0 とセットしてok

同じように XMIPもXMIP/30/default0 とする。

sdepar.png

走らせてみる。各表のマスがnodeと呼ばれるもので、各stepの一番右のNodeを走らせるとsimulationが出来る。

30のところで右クリック -> Run (Do you want to save it? と聞かれるので yes)

Node は1でOK. Queueは特別な環境でない限り local:default とする。

(Node 番号を表示させるには View -> tree Option -> Show Node Numbersとする XMIPの30は[n1]と表示されている)

sde の設定を interactive にするとSentaurus Structure Editor と言うのが自動的に立ち上がる。てでいろいろと修正したい場合はそれをつかう。

走っている間はnodeの色は青。終わると黄色になる。

ジオメトリを見るには。

Node 1 を右クリック->Visualize -> Sentaurus visual (selected file)

n1_msh.tdr を選択 -> OK


vis.png

Materials の Silicon の三つ目のチェックボックス(mesh)を on にすると mesh が見れる。

電極近くと、これからMIPを打ち込む場所(XMIP=30)の位置はメッシュを細かくしてある。

次はデバイス simulation

sdevice_des.cmdを使う。

% cp /home/kojin/work/Silicon/TCAD/Synopsys/tutorials/sample_v2/sdevice_des.cmd .

これをGUIから読み込む。

SDEのアイコンで右クリック-> Add ->Name をsdeviceにする。 OK。

IV scanをするdevice simulationなので どこまで上げるかVopを設定。SDEVICEの下で右クリック->Add -> Vop -30 と設定。

とりあえず走らせてみる。[n4]で右クリック Run。黄色くなったら終わり。


sdevice.png

結果を見るには [n4]で右クリック。Visualize -> Inspect (selected file)

横軸を裏面電極(ElectrodeP)の電圧、縦軸を電流にするには、

ElectrodeP OuterVoltage を選択して To X-Axis

ElectrodeP TotalCurrent を選択して To Left Y-Axis

insIV.png



2017.4.3-10 Pixel simulations

とりあえず、動くexampleから。

/data/maxi165/atljphys/kojin/Backup/List2017/hsawai/TCAD/0VPolySi_Nonirrad_xmipscan/

澤井さんのexampleを元に発展させる。


-- Koji Nakamura - 2017-04-08


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Topic revision: r7 - 2018-05-01 - KojiNakamura
 
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