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3日目(デバイスシミュレーション) -- 演習問題問題1電流電圧特性のシミュレーションを [0V, -10V] [-10V, -120V] [-120V-200V] の3ステップに分けて行い、 それぞれの間でPlotを表示させ、空乏層領域の発展や、電場、電子密度等の分布を比較せよ。問題2Plotに温度を加えて現在のシミュレーションで(特に指定していないので default値のはず)何度が使われているかを確認せよ。 また、ThermodynamicとRecGenHeatというPhysicsモデルを使って一様なSelf-Heatingによる温度分布もシミュレーションせよ。(anodeを293Kにすること。) ヒント : マニュアル 9章参照。Thermode sectionを追加してanodeの温度を指定。二つのPhysicsモデルを追加して、Coupled{}のリストに温度を加えるのを忘れずに 問題3 問題 4 Article text. -- Atlasj Silicon - 2020-05-26Comments |