Difference: Tutorial4thTCADDay1 (1 vs. 4)

Revision 42021-05-22 - KojiNakamura

Line: 1 to 1
 
META TOPICPARENT name="Tutorial4thTCADWorkshop"

1日目(最初の例題を動かす)

Line: 146 to 147
 
sde_dvs.cmd        :  geometry & mesh  
sdevice_des.cmd : device simulation IV/CV curve Transient for MIP charge collection.
inspect_ins.cmd : analysis for device simulation output.
gtree.dat : simulation flow
gvars.dat
gcomments.dat
.project
.database

演習

Changed:
<
<
それでは演習課題をやってみてください。 Tutorial4thTCADDay1Question
>
>
それでは演習課題をやってみてください。 Tutorial5thTCADDay1Question
  -- Koji Nakamura - 2017-04-08

Revision 32020-05-14 - KojiNakamura

Line: 1 to 1
 
META TOPICPARENT name="Tutorial4thTCADWorkshop"

1日目(最初の例題を動かす)

Line: 147 to 146
 
sde_dvs.cmd        :  geometry & mesh  
sdevice_des.cmd : device simulation IV/CV curve Transient for MIP charge collection.
inspect_ins.cmd : analysis for device simulation output.
gtree.dat : simulation flow
gvars.dat
gcomments.dat
.project
.database

演習

Changed:
<
<
それでは演習課題をやってみてください。Tutorial4thTCADDay1Question
>
>
それでは演習課題をやってみてください。 Tutorial4thTCADDay1Question
  -- Koji Nakamura - 2017-04-08

Revision 22020-05-11 - KojiNakamura

Line: 1 to 1
 
META TOPICPARENT name="Tutorial4thTCADWorkshop"

1日目(最初の例題を動かす)

簡単な使い方など

Added:
>
>

環境の設定

 
Changed:
<
<
プロジェクトのディレクトリの中をみるとたくさんのファイルがあるがほとんどがsimulationを行なったときに出来る中間ファイル。

とりあえず必要なのはコマンドファイル(*.cmd)とgtree.dat gvar.dat gcomments.dat .project .database あたり。

sde_dvs.cmd        :  geometry & mesh  
sdevice_des.cmd    :  device simulation IV/CV curve Transient for MIP charge collection.
inspect_ins.cmd    :  analysis for device simulation output.
gtree.dat          :  simulation flow 
gvars.dat          
gcomments.dat
.project
.database
>
>
atlaspc7.kek.jpにログインします。ターミナルを二つ準備して両方ともログインをすると便利です。
  今回は何もないところから始めてプロジェクトを作る方法を説明します。
Added:
>
>
まずは環境を整えます。
 
source /home/software/scripts/common.sh 
source /home/software/scripts/vdec-license.sh 
Line: 33 to 26
 
Added:
>
>
次回からたくさんのコマンドを打たなくてよいように、別のターミナルで、
% mkdir ~/work/scripts/

emacsで~/work/scripts/tcad.shを開いて上のコマンドを書く。

もしくは

% cat > ~/work/scripts/tcad.sh << EOF 
source /home/software/scripts/common.sh 
source /home/software/scripts/vdec-license.sh 
source /home/software/scripts/synopsys2016sp2.sh 
export STDB=~/work/Silicon/TCAD 
EOF

次回からはログインした後、

source ~/work/scripts/tcad.sh
swb &

プロジェクトの作成

 Project -> New Projectとしてから Project -> Save As -> project

/home/[username]/work/Silicon/TCAD/Sentaurus/tutorials/myexample

Line: 42 to 53
 firstproject.png

myexampleが treeのアイコンで表示されて入ればok

Added:
>
>

構造を記述するファイルを読み込む(sde)

  次にsde_dvs.cmdを書く。これは最初はあるものをコピー
% cd ~/work/Silicon/TCAD/Sentaurus/tutorials/myexample
Line: 61 to 73
  が変数となっているのでこれをセットする必要がある。
Changed:
<
<
SDEのアイコンがあるすぐしたのcellで右クリック Addを選ぶ
>
>
SDEのアイコンがあるすぐしたのcellで右クリック Add Parameter/Valueを選ぶ
 
Changed:
<
<
tPSub/150/default0 とセットしてok
>
>
Parameter = tPSub List of Value = 150 とセットしてok
 
Changed:
<
<
同じように XMIPもXMIP/30/default0 とする。
>
>
同じように XMIPもXMIP/30 とする。
  sdepar.png
Line: 91 to 103
  Materials の Silicon の三つ目のチェックボックス(mesh)を on にすると mesh が見れる。
Added:
>
>
(小技 1) 左下のPlot Properties の Scalingタブで、X to Y ratio: 0.2のようにするとX方向に拡大されて見やすい。

(小技 2) 拡大はホイールマウスで、(もしくは右のtool barから虫眼鏡)。右クリックをしながら動かすと移動ができる。

 電極近くと、これからMIPを打ち込む場所(XMIP=30)の位置はメッシュを細かくしてある。
Added:
>
>

デバイスシミュレーション(sdevice)

  次はデバイス simulation
Line: 118 to 135
  insIV.png
Added:
>
>
このIVカーブが書けたら今日のTutorialは完了です。

(参考)プロジェクトを構成するファイル

プロジェクトのディレクトリの中を見ると、たくさんのファイルがあるがほとんどがsimulationを行なったときに出来る中間ファイル。

ToolbarのProject -> Operations -> Clean up とするとほとんどのファイルは消えてClean up されます。

とりあえず必要なのはコマンドファイル(*.cmd)とgtree.dat gvar.dat gcomments.dat .project .database あたり。

sde_dvs.cmd        :  geometry & mesh  
sdevice_des.cmd : device simulation IV/CV curve Transient for MIP charge collection.
inspect_ins.cmd : analysis for device simulation output.
gtree.dat : simulation flow
gvars.dat
gcomments.dat
.project
.database

演習

それでは演習課題をやってみてください。Tutorial4thTCADDay1Question

 -- Koji Nakamura - 2017-04-08

META FILEATTACHMENT attachment="firstproject.png" attr="" comment="" date="1588062524" name="firstproject.png" path="firstproject.png" size="9834" user="KojiNakamura" version="1"

Revision 12020-04-28 - KojiNakamura

Line: 1 to 1
Added:
>
>
META TOPICPARENT name="Tutorial4thTCADWorkshop"

1日目(最初の例題を動かす)

簡単な使い方など

プロジェクトのディレクトリの中をみるとたくさんのファイルがあるがほとんどがsimulationを行なったときに出来る中間ファイル。

とりあえず必要なのはコマンドファイル(*.cmd)とgtree.dat gvar.dat gcomments.dat .project .database あたり。

sde_dvs.cmd        :  geometry & mesh  
sdevice_des.cmd    :  device simulation IV/CV curve Transient for MIP charge collection.
inspect_ins.cmd    :  analysis for device simulation output.
gtree.dat          :  simulation flow 
gvars.dat          
gcomments.dat
.project
.database

今回は何もないところから始めてプロジェクトを作る方法を説明します。

source /home/software/scripts/common.sh 
source /home/software/scripts/vdec-license.sh 
#source /home/software/scripts/synopsys.sh
source /home/software/scripts/synopsys2016sp2.sh
export STDB=~/work/Silicon/TCAD

% mkdir -p ~/work/Silicon/TCAD/Sentaurus/tutorials/

% swb&

Project -> New Projectとしてから Project -> Save As -> project

/home/[username]/work/Silicon/TCAD/Sentaurus/tutorials/myexample

を選んで OK.

firstproject.png

myexampleが treeのアイコンで表示されて入ればok

次にsde_dvs.cmdを書く。これは最初はあるものをコピー

% cd ~/work/Silicon/TCAD/Sentaurus/tutorials/myexample
% cp /home/kojin/work/Silicon/TCAD/Synopsys/tutorials/sample_v2/sde_dvs.cmd .

右側 Project タブにある No Tools と表示されているところを右クリック Add。

Name のところ pull down menueから sdeを選択 Run Asは とりあえずbatchで。

Input Files でcommands がsde_dvs.cmdになっていることを確認して OK.
sde.png

sde_dvs.cmdの中で

tPSub : substrate の厚み

XMIP : MIPを inject する位置 (meshを切るときに必要。)

が変数となっているのでこれをセットする必要がある。

SDEのアイコンがあるすぐしたのcellで右クリック Addを選ぶ

tPSub/150/default0 とセットしてok

同じように XMIPもXMIP/30/default0 とする。

sdepar.png

走らせてみる。各表のマスがnodeと呼ばれるもので、各stepの一番右のNodeを走らせるとsimulationが出来る。

30のところで右クリック -> Run (Do you want to save it? と聞かれるので yes)

Node は1でOK. Queueは特別な環境でない限り local:default とする。

(Node 番号を表示させるには View -> tree Option -> Show Node Numbersとする XMIPの30は[n1]と表示されている)

sde の設定を interactive にするとSentaurus Structure Editor と言うのが自動的に立ち上がる。てでいろいろと修正したい場合はそれをつかう。

走っている間はnodeの色は青。終わると黄色になる。

ジオメトリを見るには。

Node 1 を右クリック->Visualize -> Sentaurus visual (selected file)

n1_msh.tdr を選択 -> OK


vis.png

Materials の Silicon の三つ目のチェックボックス(mesh)を on にすると mesh が見れる。

電極近くと、これからMIPを打ち込む場所(XMIP=30)の位置はメッシュを細かくしてある。

次はデバイス simulation

sdevice_des.cmdを使う。

% cp /home/kojin/work/Silicon/TCAD/Synopsys/tutorials/sample_v2/sdevice_des.cmd .

これをGUIから読み込む。

SDEのアイコンで右クリック-> Add ->Name をsdeviceにする。 OK。

IV scanをするdevice simulationなので どこまで上げるかVopを設定。SDEVICEの下で右クリック->Add -> Vop -30 と設定。

とりあえず走らせてみる。[n4]で右クリック Run。黄色くなったら終わり。


sdevice.png

結果を見るには [n4]で右クリック。Visualize -> Inspect (selected file)

横軸を裏面電極(ElectrodeP)の電圧、縦軸を電流にするには、

ElectrodeP OuterVoltage を選択して To X-Axis

ElectrodeP TotalCurrent を選択して To Left Y-Axis

insIV.png

-- Koji Nakamura - 2017-04-08

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