Difference: IVsimulation(2ndWS) (2 vs. 3)

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IVsimulation

sdeviceファイルは以下のような構造からなる.

Electronode

電極の設定。sdeで作成した電極名を指定しどの場所でシミュレーションを行うかを指定する。

File

読み込むファイル、及び今回のアウトプットするファイルの指定。

読み込むファイルは拡張子“.tdr”。

Physics

今回の物理的なシミュレーションの指定。

ドリフト拡散輸送モデルを使用。このphysics全体がドリフト拡散輸送モデルの形になっている。

温度/MI粒子/放射線損傷/どのような統計に従うかなど。

Math

シミュレーションするときの条件設定。

Plot

シミュレーションの結果をsvisal上で表示するものの指定。

Solve

解析手法の設定。

シミュレーションの電圧のステップなどを指定できる。

Project>New>New Projectから新しいプロジェクトを作り、 Save asで保存する。(ファイル名はIVなど)

sde_dvs.cmdを作ったディレクトリにコピーする。

sdevice_des.cmdを作成。(/home/dharada/work/Sentaurus/Silicon/TCAD/2ndworkshop/IV/sdevice_des.cmdからコピー)

Added:

>
>

シミュレーションの結果の保存先plotをmkdirする。

No toolを右クリックしてAddを押し、sdeとsdeviceを加える。

sdeviceの一つ下のセルでAdd Parameterをし変数にパラメータを与える。Parameter に変数名、List of valueにパラメータを入力。

今回はVop(バイアス電圧)のみで-50Vくらいでいいと思います。

右上の走ってるマークをクリックしlimitedモードで走らせる。

シミュレーションが終わるとセルが黄色に変わる。

セルをクリックした状態で右上の目のマークからInspect(select File)をクリックする。

Changed:

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ElectrodePを選択し、x軸をOuter Voltage,y軸をTotal CurrentにするとIV曲線が見えるはず。

>
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ElectrodeP を選択し、x軸をOuter Voltage,y軸をTotal CurrentにするとIV曲線が見えるはず。

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