ITk strip QA2 (配線の切り替えがHVケーブルのみのセットアップ)Under construction. | ||||||||
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> > | -- %USERSIG{ShigekiHirose - 2020-08-19} | |||||||
QAシステム概要TestChip+MD8(Halfmoon)で測定する8項目の測定ができるシステムです。 具体的な項目 バイアス抵抗、カップリング容量、ストリップ間抵抗、ストリップ間容量、PTP作動、カップリングの暗電流、酸化膜容量、MD8のIVCV測定 すべての測定には最低でもPC、LCRメーター2台、ソースメーター2台、スイッチ操作装置(TUSB-PIO)、Raspiを用いた温度計システムと測定サンプルを装着する基盤が必要です。 B4奥クリーンルームのデスク、左のWindowsマシン上で、StripQAControlGUIソフトウェアから機器を操作して測定する。 テストチップの測定サイクルは、
測定サンプルを装着する基盤恒温槽内に2つの測定サンプル装着用基板がある。
StripQAControlGUI ソフトウェアの起動 (To be updated)
テストチップ測定方法 | ||||||||
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< < | LCRメーターのcalibration | |||||||
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> > | 以下Calibration手順は、TestChipとMD8を繋ぎ変えていたころのもの。最近は同時に測定できるようになっている。(要編集)
注:それぞれのキャリブレーション後、"XXXXX measurement completed"が表示されていることを、必ず確認すること!時々、E43: measurement failedが出てしまうことがあり、その場合はキャリブレーションをやり直す必要があります。
キャリブレーションが終わったら、サンプルを基板に装着する。照射サンプルの場合は、-20度に冷やす。
LCRメーターのcalibration (TestChip基板接続時) | |||||||
Calibrationは、常温で行う。
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> > | Calibration(MD8接続時)配線を付け替えたら、再度Calibrationを行いましょう。testChip用でなくMD8用基板を使用することと、Shortサンプルに「MD8・MOS用」の方を使う以外は、TestChipのときのCalibrationと同じやり方。 Calibrationは、常温で行う。
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測定サンプルのセットアップ・冷却
StripQAControlGUI のパラメータ設定Sample Settingsで、測定するサンプルのBatchNo.(VPXもしくはVPAを除いた数字5桁)を記入した後、SETをクリックしてください。もし同じバッチで2つ以上のテストチップがある場合には、メッセージが表示されますので、その場合はWafer No.も入力してください。 忘れずにOperator Nameに名前を入力してください。 以下のスプレッドシートを開き、WaferNo.やSerialNo.が正しいものになっているかを確認してください。 https://docs.google.com/spreadsheets/d/1mlUcnUTPKlGmD6PUIn9hh5Zky5EJmUY1wDjHUVpYtlU/edit#gid=0![]() | ||||||||
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< < | バイアス抵抗、カップリング容量、ストリップ間容量/抵抗、PTP測定 | |||||||
> > | TestChip (5項目)とMD8(2項目)の測定 | |||||||
ここまで出来たら各測定に進めます。 | ||||||||
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< < | 必ず、以下の順番で測定を進めてください。ストリップ間抵抗は微妙な温度のふらつきに敏感なので、センサーの温度が十分に安定するよう、一番最後に測定します。 | |||||||
> > | TestChip4 項目(バイアス抵抗、カップリング容量、ストリップ間容量、PTP測定)→MD8の2項目(IVCV、カップリングに流れる暗電流)→TestChip1項目(ストリップ間抵抗) | |||||||
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< < | ※※※※※※HVケーブルがPCB3につながっていることを確認!※※※※※※ | |||||||
> > | の順に、全7項目を測定します。 | |||||||
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> > | 必ず、以下の順番で測定を進めてください。ストリップ間抵抗は微妙な温度のふらつきに敏感なので、センサーの温度が十分に安定するよう、一番最後に測定します。 | |||||||
(恒温槽が-20℃になってから測定を開始し、PTP測定後にRint測定のために1時間経過を待つ間にMD8のIVCV,カップリングの暗電流を測定をする#20230821) | ||||||||
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> > | TestChip の4項目の測定 | |||||||
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※※※※※※HVケーブルがPCB3につながっていることを確認!※※※※※※
バイアス抵抗(「Rbias」と書かれた緑のボタンをクリック) | |||||||
デフォルトでは-5~5Vまでを0.5Vステップで測定しています。 測定可能な抵抗3つすべての電流値が記録されます。 | ||||||||
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> > | カップリング容量(「Ccpl」と書かれた緑のボタンをクリック) | |||||||
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1kHzでの静電容量と複素インピーダンスの絶対値が記録されます。 この測定はGUI上で測定周波数を変更することができません。 | ||||||||
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> > | ストリップ間容量 | |||||||
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> > | 必ずnonirradかirradか、適切な方が選択されていることを確認! その後、「Cint」と書かれた緑のボタンをクリック) | |||||||
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照射前後でバイアス抵抗が異なります。 照射前は-150V 照射後は-500V 測定は、100kHzでの静電容量を測り、静電容量と複素インピーダンスの絶対値が記録されます。 測定するサンプルの特性に合わせてパラメーターを(ボタンで)変更してください。 | ||||||||
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> > | ※Cint測定中に、電流が測定できないことがある。アドレス15のKeithley2700で、通常は数μAの電流が流れる。これが起きた場合は、測定をStopし、再測定する。改善しない場合は、リレーを手動でつなぎ、再測定する。(リレーの手動でのつなぎ方は、本ページ終わりのほうのセクション「リレーを手動で接続する」を参照。)
PTP | |||||||
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< < | 照射前は-150V | |||||||
> > | 必ずnonirradかirradか、適切な方が選択されていることを確認! その後、「PTP」と書かれた緑のボタンをクリック | |||||||
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< < | 照射後は-500V
測定範囲はどちらも0~-40Vを0.2Vステップで測定します。
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照射前後でバイアス抵抗が異なります。 照射前は-150V 照射後は-500V | ||||||||
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< < | 測定範囲はどちらも-5~5Vを0.1Vステップで測定します。 | |||||||
> > | 測定範囲はどちらも0~-40Vを0.2Vステップで測定します。 | |||||||
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> > | MD8の測定:IVCVとカップリング漏れ電流 | |||||||
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< < | 測定するサンプルの特性に合わせてパラメーターを(ボタンで)変更してください。 | |||||||
> > | ここでMD8の測定を行う。カップリングの暗電流測定後に配線を戻してストリップ間抵抗を測定する。測定手順については「カップリング漏れ電流、MD8の測定」を参照してください。 | |||||||
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> > | ※※※※※※HVケーブルをHV-MD8に繋ぎ変えること※※※※※※ | |||||||
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< < | ここまで測定が終わったら、次にMD8とカップリング漏れ電流の測定のため、基板を切りかえます。基板切り替えのために恒温槽をあける場合には、常温まで戻すこと | |||||||
> > | ※※※Batch#をCLEAR、書き換えること!※※※ | |||||||
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> > | MD8のIVCV | |||||||
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< < | →基板の切り替えなく測定できるように変更。 | |||||||
> > | 0~-500Vを10Vステップで測定します。 | |||||||
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< < | PCB3にささっているHV2410の赤色タグの付いたケーブルを"HV-MD8"のタグが付いた緑色Lemoコネクタ(Iコネクタ付き)に繋ぐ。
Calibration | |||||||
> > | 電流、静電容量、複素インピーダンスの絶対値が記録されます。
カップリングの暗電流 | |||||||
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< < | 配線を付け替えたら、再度Calibrationを行いましょう。 testChip用でなくMD8用基板を使用することと、Shortサンプルに「MD8・MOS用」の方を使う以外は、TestChipのときのCalibrationと同じやり方。 | |||||||
> > | ※※※必ず、恒温槽の表示が-20度になってから1時間以上経過したことを確認して、測定を始めること!※※※ | |||||||
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< < | Calibrationは、常温で行う。 | |||||||
> > | GUIで、”Ccpl_leak”をクリック。 | |||||||
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< < | <!-- | |||||||
> > | 0~10Vまでは0.5Vステップ、0~100Vまで5Vステップで、カップリング部に電圧をかけたときの暗電流を測定します。 | |||||||
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> > | TestChip のRintの測定 | |||||||
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< < | Calibrationの前に、Local Windows Debuggerを押して最初に出てくるGUIにあるTUSB Formのボタンをクリックし、スイッチ操作用GUIを起動してください。 | |||||||
> > | ここまで終了したら"HV-MD8"に繋いだHV2410をPCB3に戻してRintの測定を行う。 | |||||||
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> > | ストリップ間抵抗
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< < | GUIでDev_Open、(PortA をOutputにしてDirectionSet)をクリックし、PortAのスイッチがすべてOnになっていること(数字の横の赤いランプが光ること)を確認します。 | |||||||
> > | 照射前は-150V | |||||||
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< < | 最初と同じ方法でCalibrationをしてください。 | |||||||
> > | 照射後は-500V | |||||||
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> > | 測定範囲はどちらも-1~1Vを0.1Vステップで測定します。 | |||||||
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< < | 注:それぞれのキャリブレーション後、"XXXXX measurement completed"が表示されていることを、必ず確認すること!時々、E43: measurement failedが出てしまうことがあり、その場合はキャリブレーションをやり直す必要があります。 | |||||||
> > | 測定するサンプルの特性に合わせてパラメーターを(ボタンで)変更してください。 | |||||||
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< < | キャリブレーションが終わったら、サンプルを基板に装着する。照射サンプルの場合は、-20度に冷やす。
カップリング漏れ電流、MD8の測定MD8のIVCV
カップリングの暗電流必ず、恒温槽の表示が-20度になってから1時間以上経過したことを確認して、測定を始めること!
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酸化膜容量(QA測定からは除外)注:酸化膜容量の測定は、陽子照射後にはうまくできないことがわかったので、やらないことになっています。 二枚目の基板、MOS HVにTestVからつながるケーブルがつながっていることを確認してください。 照射前後で測定が異なります 照射前 周波数10kHz、測定範囲-60~0V、0.1Vステップ γ線照射後 周波数100kHz、測定範囲-60~0V、0.1Vステップ 陽子照射後は測定しない予定です。 どちらも静電容量と複素インピーダンスの絶対値が記録されます。 サンプルの特性に合わせてパラメーターを変更してください。温湿度計について温湿度計のテクニカルな詳細はこちら→ 温湿度計 on Raspberry Pi Strip test chip QAで使っているものはラズベリーパイ(130.87.242.194)に接続されている。
![]() $ sudo apt update $ sudo apt install samba $ sudo apt install winbind $ sudo apt install libnss-winbind $ sudo apt install samba-client2. smbuserというユーザーを作り、共有フォルダ―へのアクセスを許可する。 $ sudo useradd smbuser $ sudo chown smbuser:smbuser /var/samba/ $ sudo pdbedit -a smbuser3. /etc/samba/smb.confに以下を書き込む。 [share] comment = Share Folder browseable = yes path = /var/samba writable = yes valid users = smbuser force user = smbuser書き込んだら、sudo /etc/init.d/samba restartでサービスをrestartする。 4. 共有フォルダーをマウントする。 sudo mount.cifs //130.87.243.248/shared /var/samba/ -o user=smbuserIPの直後の"shared"は、先ほどWindowsマシンでつくった共有フォルダーの名前になる。 測定結果をatlaspc7にアップロードする測定結果を定期的に主導でatlaspc7にアップロードする。
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> > | リレーを手動で接続するControl Panel で、左下にある「TUSB Form」を開く。
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測定ログ8月 (QAMeasurementLog202008) 以後はE-logへ → Strip E-logマニュアルなど
参考資料
メモ | ||||||||
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< < | 佐藤が編集するまえのバージョン:r19 | |||||||
> > | もともとTestChipとMD8の記述をべつべつにしていた(r32まで)が、現在の測定サイクルは、TestChipのRint以外4項目を測定→MD8の2項目測定→TestChipのRintを測定としている。作業中に時系列的に読めるように記述の順を変更する。 | |||||||
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