---+ 5日目 (物理モデルについて) %TOC% ---++ 物理モデル ---+++ 概要 デバイスシミュレーションで使う物理モデルは非常に複雑で1574ページのマニュアルのほとんどは物理モデルの解説です。 全部は解説できませんが、よく使う物理モデルに関して簡単に解説していきます。 ---+++ 既に出てきた物理モデル ---++++ !HeavyIonモデル (manual : chapter 22) ---++++ Traps モデル (manual : chapter 17) ---++++ その他 Exampleに定義されていたもの 昔の学生がまとめてくれたページです。 * 移動度 (manual : chapter 15) : TCADSiliconMobiliy * 高電界効果 : TCADHighFieldSaturation * driving force model(電場) : TCADDrivingForceModel * 再結合 (manual : chapter 16): TCADGeneralReconbination ---+++ 電極の温度の設定 | *温度* | *300k (27度)* | *273k (0度)* | *253k (-20度)* | | | <img alt="IV_TID.png" src="%ATTACHURLPATH%/IV_TID.png" width="600" /> | <img alt="IV_TID_0oC.png" src="%ATTACHURLPATH%/IV_TID_0oC.png" width="600" /> | | -- %USERSIG{AtlasjSilicon - 2020-06-02}%
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Topic revision: r1 - 2020-06-02 - AtlasjSilicon
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