Tags:
view all tags
---+ 1日目(最初の例題を動かす) -- 演習問題 %TOC% ---++ 問題1 同じ構造の検出器を用いて-300VまでのI-V特性を計算させる ---++ 問題2 バルクのシリコンの厚みを100um/150um/300um と変えてI-V特性を計算させてみて、暗電流の大きさの相対的な関係が理論的な計算と合っているかを確認する ---++ 問題3 (応用) デバイス構築(sde_dev.cmd)の中でPSub(バルク)のドープ量を 1e12から0.5e12に変えて150um厚の暗電流の大きさを比較せよ -- %USERSIG{KojiNakamura - 2020-05-11}% ---++ Comments %COMMENT%
Edit
|
Attach
|
Watch
|
P
rint version
|
H
istory
:
r8
|
r4
<
r3
<
r2
<
r1
|
B
acklinks
|
V
iew topic
|
Raw edit
|
More topic actions...
Topic revision: r1 - 2020-05-11
-
KojiNakamura
Home
Site map
Main web
Sandbox web
TWiki web
Main Web
Users
Groups
Index
Search
Changes
Notifications
RSS Feed
Statistics
Preferences
P
P
View
Raw View
Print version
Find backlinks
History
More topic actions
Edit
Raw edit
Attach file or image
Edit topic preference settings
Set new parent
More topic actions
Account
Log In
Edit
Attach
Copyright © 2008-2024 by the contributing authors. All material on this collaboration platform is the property of the contributing authors.
Ideas, requests, problems regarding TWiki?
Send feedback