---+ High-Field Saturation 低い電界ではドリフトは電界に比例する。高い電界では高電界効果を考慮する必要がある。 ここでは主に移動度に関係する式を紹介する。 <verbatim>Physics{ Mobility( HighFieldSaturation ( ...) )}</verbatim> (...)の中に使いたいmodelのkeywordを入れることでシミュレーションができる。 eHighFieldSaturation/hHighFieldSaturationとある場合、electron/holeとそれぞれ否定することができる。 ---+++ ---+++ Canali model keyword: no keyword (...)の中を指定しない場合、デフォルトではこのmodelである。 Canali modeleはCaughey-Thomas formulaからくる式で移動度の式である。 ---+++ ---+++ Transferred Electron Model keyword : TransferredElectronEffect ---+++ ---+++ Basic Model keyword : CarrierTempDriveBasic Article text. -- %USERSIG{AtlasjSilicon - 2018-08-24}% ---++ Comments <br />%COMMENT%
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Topic revision: r1 - 2018-08-24 - AtlasjSilicon
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