ITk strip QA
Under construction.
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Shigeki Hirose - 2020-08-19
QAシステム概要
TestChip+MD8(Halfmoon)で測定する8項目の測定ができるシステムです。
具体的な項目
バイアス抵抗、カップリング容量、ストリップ間抵抗、ストリップ間容量、PTP作動、カップリングの暗電流、酸化膜容量、MD8のIVCV測定
すべての測定には最低でもPC、LCRメーター2台、ソースメーター2台、スイッチ操作装置(TUSB-PIO)、Raspiを用いた温度計システムと測定サンプルを装着する基盤が必要です。
To be written.
測定方法
測定は、VisualStudioのStripQAControl.slnを用いて行います。
ソリューションを開くと、接続したLCRメーターとソースメーターの選択画面が表示されるので、使用する機械を選択(Setを緑に)したのち、StripQAを選択します。
新たに表示されるQA測定の画面で、選択したLCRメーターとソースメーターがそれぞれ正しく設定されているかを確認してください。
もし間違っている場合は、プルダウンで変更してください。
使用する機械の確認が取れたら、測定するサンプルの名前を記入してください。
サンプルの名前と属性は以下のスプレッドシートで確認することができます。
https://docs.google.com/spreadsheets/d/1mlUcnUTPKlGmD6PUIn9hh5Zky5EJmUY1wDjHUVpYtlU/edit#gid=0
測定の際にも使用するのでこのタイミングで開いておくことをお勧めします。
温度、湿度を記入してください
Raspiの温度計で温度と湿度を読み取ってください。(今後自動化されるかもしれません。)
ここまで出来たら各測定に進めます。
デフォルトでは-5~5VまでをnVステップで測定しています。
測定可能な抵抗3つすべての電流値が記録されます。
1kHzでの静電容量と複素インピーダンスの絶対値が記録されます。
この測定はGUI上で測定周波数をを変更することができません。
照射前後でバイアス抵抗が異なります。
照射前は-150V
照射後は-500V
測定範囲はどちらも-5~5Vを0.1Vステップで測定します。
測定するサンプルの特性に合わせてパラメーターを(手動で)変更してください。
照射前後でバイアス抵抗が異なります。
照射前は-150V
照射後は-500V
測定は、1MHzでの静電容量を測り、静電容量と複素インピーダンスの絶対値が記録されます。
測定するサンプルの特性に合わせてパラメーターを(手動で)変更してください。
照射前後でバイアス抵抗が異なります。
照射前は-150V
照射後は-500V
測定範囲はどちらも0~-40Vを0.2Vステップで測定します。
この先の測定をする場合は、別の基盤に付け替える必要があります
照射前後で測定が異なります
照射前 周波数10kHz、測定範囲-20~10V、0.1Vステップ
照射後 周波数1MHz、測定範囲-50~10V、0.1Vステップ
どちらも静電容量と複素インピーダンスの絶対値が記録されます。
サンプルの特性に合わせてパラメーターを変更してください。
0~-500V(?)を10Vステップで測定します。
電流、静電容量、複素インピーダンスの絶対値が記録されます。
To be written.
マニュアルなど
- ソースメーター
- Keythley Model 2410 1100 V SourceMeter
- Keythley Model 6517A Electrometer/High Resistance Meter
- LCRメーター
- Agilent 4284A Precision LCR Meter
- 温湿度計 on Raspberry Pi