Difference: Tutorial6thTCADDay2Question (1 vs. 9)

Revision 92022-06-30 - KojiNakamura

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META TOPICPARENT name="Tutorial4thTCADWorkshop"

2日目 (様々なサンプルプログラムとsdeの構築) -- 演習問題

Line: 20 to 20
  (難しい場合は前回のmyexampleの例を参考にしてみるとよい)
Added:
>
>		北先生によるありがたい回答例 : Simple2D_dvs.cmd
 -- Koji Nakamura - 2020-05-16

Comments

Line: 28 to 30
 
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Added:
>
>
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Revision 82022-06-16 - KojiNakamura

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2日目 (様々なサンプルプログラムとsdeの構築) -- 演習問題

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問題1

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問題1 (橋本)

  Simple2Dの例題のSimple2D_des.cmdファイルで行っていること理解して説明せよ。
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問題2

>
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問題2(今村)

  Simple3Dの例題で作った構造体のpixel数を5x5にして構造体を作ってみよ。
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問題3

>
>

問題3(鈴木)

  Simple2Dの例題で作った構造体のn+電極の形を知るため、リンのドープ量の垂直および水平方向のプロファイルをプロットして、どのような形になっているかを調べよ。

また、リンドープのgaussian-profileの Gauss の "Factor" の値を変えてどのようなプロファイルに変化するかを調べよ。

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問題4(応用)

>
>

問題4(応用) (今村)

  Simple2Dの例題で電極間分離のために p-sprayを使っているが、これを電極と電極の間の中央に幅2um深さ1.2umのホウ素のドープ(p-stop)を生成せよ。svisualでうまく作れたことを確認する。

Revision 72022-06-15 - KojiNakamura

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META TOPICPARENT name="Tutorial4thTCADWorkshop"

2日目 (様々なサンプルプログラムとsdeの構築) -- 演習問題

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問題1 (五屋)

>
>

問題1

  Simple2Dの例題のSimple2D_des.cmdファイルで行っていること理解して説明せよ。
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問題2 (倉持)

>
>

問題2

  Simple3Dの例題で作った構造体のpixel数を5x5にして構造体を作ってみよ。
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問題3 (大森)

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>

問題3

  Simple2Dの例題で作った構造体のn+電極の形を知るため、リンのドープ量の垂直および水平方向のプロファイルをプロットして、どのような形になっているかを調べよ。

また、リンドープのgaussian-profileの Gauss の "Factor" の値を変えてどのようなプロファイルに変化するかを調べよ。

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問題4(応用) (比江森)

>
>

問題4(応用)

  Simple2Dの例題で電極間分離のために p-sprayを使っているが、これを電極と電極の間の中央に幅2um深さ1.2umのホウ素のドープ(p-stop)を生成せよ。svisualでうまく作れたことを確認する。

Revision 62021-06-01 - AtlasjSilicon

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META TOPICPARENT name="Tutorial4thTCADWorkshop"

2日目 (様々なサンプルプログラムとsdeの構築) -- 演習問題

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Comments 

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Added:
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>
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Revision 52021-05-25 - AtlasjSilicon

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2日目 (様々なサンプルプログラムとsdeの構築) -- 演習問題

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問題1 ()

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問題1 (五屋)

  Simple2Dの例題のSimple2D_des.cmdファイルで行っていること理解して説明せよ。
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問題2 ()

>
>

問題2 (倉持)

  Simple3Dの例題で作った構造体のpixel数を5x5にして構造体を作ってみよ。
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問題3 ()

>
>

問題3 (大森)

  Simple2Dの例題で作った構造体のn+電極の形を知るため、リンのドープ量の垂直および水平方向のプロファイルをプロットして、どのような形になっているかを調べよ。

また、リンドープのgaussian-profileの Gauss の "Factor" の値を変えてどのようなプロファイルに変化するかを調べよ。

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問題4(応用) ()

>
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問題4(応用) (比江森)

  Simple2Dの例題で電極間分離のために p-sprayを使っているが、これを電極と電極の間の中央に幅2um深さ1.2umのホウ素のドープ(p-stop)を生成せよ。svisualでうまく作れたことを確認する。
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Deleted:
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META FILEATTACHMENT attachment="TCAD2-3.pdf" attr="" comment="問題3(北)" date="1590626859" name="TCAD2-3.pdf" path="TCAD2-3.pdf" size="631148" user="AtlasjSilicon" version="1"
META FILEATTACHMENT attachment="TCADday2kadai4.pdf" attr="" comment="問題４　熊倉" date="1590627162" name="TCADday2kadai4.pdf" path="TCADday2kadai4.pdf" size="268763" user="AtlasjSilicon" version="1"

Revision 42021-05-23 - KojiNakamura

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META TOPICPARENT name="Tutorial4thTCADWorkshop"

2日目 (様々なサンプルプログラムとsdeの構築) -- 演習問題

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問題1 (鈴木)

>
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問題1 ()

  Simple2Dの例題のSimple2D_des.cmdファイルで行っていること理解して説明せよ。
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問題2 (石井)

>
>

問題2 ()

  Simple3Dの例題で作った構造体のpixel数を5x5にして構造体を作ってみよ。
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問題3 (北)

>
>

問題3 ()

  Simple2Dの例題で作った構造体のn+電極の形を知るため、リンのドープ量の垂直および水平方向のプロファイルをプロットして、どのような形になっているかを調べよ。

また、リンドープのgaussian-profileの Gauss の "Factor" の値を変えてどのようなプロファイルに変化するかを調べよ。

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<

問題4(応用) (熊倉)

>
>

問題4(応用) ()

  Simple2Dの例題で電極間分離のために p-sprayを使っているが、これを電極と電極の間の中央に幅2um深さ1.2umのホウ素のドープ(p-stop)を生成せよ。svisualでうまく作れたことを確認する。

Revision 32020-05-28 - AtlasjSilicon

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META TOPICPARENT name="Tutorial4thTCADWorkshop"

2日目 (様々なサンプルプログラムとsdeの構築) -- 演習問題

Line: 25 to 25
 

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\ No newline at end of file
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META FILEATTACHMENT attachment="TCAD_284363272221839389881_3742826408.xlsx" attr="" comment="" date="1590626619" name="TCAD_284363272221839389881_3742826408.xlsx" path="TCAD_284363272221839389881_3742826408.xlsx" size="226372" user="AtlasjSilicon" version="1"
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META FILEATTACHMENT attachment="TCADday2kadai4.pdf" attr="" comment="問題４　熊倉" date="1590627162" name="TCADday2kadai4.pdf" path="TCADday2kadai4.pdf" size="268763" user="AtlasjSilicon" version="1"

Revision 22020-05-21 - AtlasjSilicon

Line: 1 to 1
 
META TOPICPARENT name="Tutorial4thTCADWorkshop"

2日目 (様々なサンプルプログラムとsdeの構築) -- 演習問題

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<
<

問題1

>
>

問題1 (鈴木)

  Simple2Dの例題のSimple2D_des.cmdファイルで行っていること理解して説明せよ。
Changed:
<
<

問題2

>
>

問題2 (石井)

  Simple3Dの例題で作った構造体のpixel数を5x5にして構造体を作ってみよ。
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<
<

問題3

>
>

問題3 (北)

  Simple2Dの例題で作った構造体のn+電極の形を知るため、リンのドープ量の垂直および水平方向のプロファイルをプロットして、どのような形になっているかを調べよ。

また、リンドープのgaussian-profileの Gauss の "Factor" の値を変えてどのようなプロファイルに変化するかを調べよ。

Changed:
<
<

問題4(応用)

>
>

問題4(応用) (熊倉)

 
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<
<		電極間分離のために p-sprayを使っているが、これを電極と電極の間の中央に幅2um深さ1.2umのホウ素のドープ(p-stop)を生成せよ。svisualでうまく作れたことを確認する。
>
>		Simple2Dの例題で電極間分離のために p-sprayを使っているが、これを電極と電極の間の中央に幅2um深さ1.2umのホウ素のドープ(p-stop)を生成せよ。svisualでうまく作れたことを確認する。
  (難しい場合は前回のmyexampleの例を参考にしてみるとよい)

Revision 12020-05-16 - KojiNakamura

Line: 1 to 1
Added:
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>
META TOPICPARENT name="Tutorial4thTCADWorkshop"

2日目 (様々なサンプルプログラムとsdeの構築) -- 演習問題

問題1

Simple2Dの例題のSimple2D_des.cmdファイルで行っていること理解して説明せよ。

問題2

Simple3Dの例題で作った構造体のpixel数を5x5にして構造体を作ってみよ。

問題3

Simple2Dの例題で作った構造体のn+電極の形を知るため、リンのドープ量の垂直および水平方向のプロファイルをプロットして、どのような形になっているかを調べよ。

また、リンドープのgaussian-profileの Gauss の "Factor" の値を変えてどのようなプロファイルに変化するかを調べよ。

問題4(応用)

電極間分離のために p-sprayを使っているが、これを電極と電極の間の中央に幅2um深さ1.2umのホウ素のドープ(p-stop)を生成せよ。svisualでうまく作れたことを確認する。

(難しい場合は前回のmyexampleの例を参考にしてみるとよい)

-- Koji Nakamura - 2020-05-16

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