Difference: Tutorial6thTCADDay1Question (1 vs. 12)

Revision 122022-06-16 - AtlasjSilicon

 
META TOPICPARENT name="Tutorial4thTCADWorkshop"

1日目(最初の例題を動かす) -- 演習問題

まず、

sde_dev.cmd とsdevice_dev.cmdの二つのファイルの中身を眺めてみて、何をやっているか何となく理解してみる。

問題1 (今村)

同じ構造の検出器を用いて-300VまでのI-V特性を計算させる

問題2 (鈴木)

バルクのシリコンの厚みを100um/150um/300um と変えてI-V特性を計算させてみて、暗電流の大きさの相対的な関係が理論的な計算と合っているかを確認する

問題3 (橋本)

デバイス構築(sde_dev.cmd)の中でPSub(バルク)のドープ量を 1e12 cm^-3から0.5e12cm^-3に変えて150um厚の暗電流の大きさを比較せよ。

問題4 (五屋)

センサーに準バイアスをかけて電流値がどうなるか調べよ。

-- Koji Nakamura - 2020-05-11

Comments 

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META FILEATTACHMENT attachment="TCAD_day1_No4.pdf" attr="" comment="" date="1655356271" name="TCAD_day1_No4.pdf" path="TCAD_day1_No4.pdf" size="415039" user="IkumiGoya" version="1"
Added:
>
>
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Revision 112022-06-16 - IkumiGoya

 
META TOPICPARENT name="Tutorial4thTCADWorkshop"

1日目(最初の例題を動かす) -- 演習問題

まず、

sde_dev.cmd とsdevice_dev.cmdの二つのファイルの中身を眺めてみて、何をやっているか何となく理解してみる。

問題1 (今村)

同じ構造の検出器を用いて-300VまでのI-V特性を計算させる

問題2 (鈴木)

バルクのシリコンの厚みを100um/150um/300um と変えてI-V特性を計算させてみて、暗電流の大きさの相対的な関係が理論的な計算と合っているかを確認する

問題3 (橋本)

デバイス構築(sde_dev.cmd)の中でPSub(バルク)のドープ量を 1e12 cm^-3から0.5e12cm^-3に変えて150um厚の暗電流の大きさを比較せよ。

問題4 (五屋)

センサーに準バイアスをかけて電流値がどうなるか調べよ。

-- Koji Nakamura - 2020-05-11

Comments 

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Added:
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>
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Revision 102022-06-09 - KojiNakamura

 
META TOPICPARENT name="Tutorial4thTCADWorkshop"

1日目(最初の例題を動かす) -- 演習問題

まず、

sde_dev.cmd とsdevice_dev.cmdの二つのファイルの中身を眺めてみて、何をやっているか何となく理解してみる。

Changed:
<
<

問題1

>
>

問題1 (今村)

  同じ構造の検出器を用いて-300VまでのI-V特性を計算させる
Changed:
<
<

問題2

>
>

問題2 (鈴木)

  バルクのシリコンの厚みを100um/150um/300um と変えてI-V特性を計算させてみて、暗電流の大きさの相対的な関係が理論的な計算と合っているかを確認する
Changed:
<
<

問題3

>
>

問題3 (橋本)

  デバイス構築(sde_dev.cmd)の中でPSub(バルク)のドープ量を 1e12 cm^-3から0.5e12cm^-3に変えて150um厚の暗電流の大きさを比較せよ。
Changed:
<
<

問題4

>
>

問題4 (五屋)

  センサーに準バイアスをかけて電流値がどうなるか調べよ。

-- Koji Nakamura - 2020-05-11

Comments 

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Deleted:
<
<
META FILEATTACHMENT attachment="sdevis.png" attr="" comment="" date="1621669994" name="sdevis.png" path="sdevis.png" size="97361" user="KojiNakamura" version="1"
META FILEATTACHMENT attachment="sdevis2.png" attr="" comment="" date="1621670011" name="sdevis2.png" path="sdevis2.png" size="96244" user="KojiNakamura" version="1"
META FILEATTACHMENT attachment="tcad_1st.pdf" attr="" comment="第1回の演習問題回答（HIemori）。" date="1621905296" name="tcad_1st.pdf" path="tcad_1st.pdf" size="407883" user="AtlasjSilicon" version="1"
 

Revision 92022-06-08 - KojiNakamura

 
META TOPICPARENT name="Tutorial4thTCADWorkshop"

1日目(最初の例題を動かす) -- 演習問題

まず、

sde_dev.cmd とsdevice_dev.cmdの二つのファイルの中身を眺めてみて、何をやっているか何となく理解してみる。

Changed:
<
<

問題1 (柏木)

>
>

問題1

  同じ構造の検出器を用いて-300VまでのI-V特性を計算させる
Changed:
<
<

問題2 (比江森)

>
>

問題2

  バルクのシリコンの厚みを100um/150um/300um と変えてI-V特性を計算させてみて、暗電流の大きさの相対的な関係が理論的な計算と合っているかを確認する
Changed:
<
<

問題3 (飯坂)

>
>

問題3

  デバイス構築(sde_dev.cmd)の中でPSub(バルク)のドープ量を 1e12 cm^-3から0.5e12cm^-3に変えて150um厚の暗電流の大きさを比較せよ。
Changed:
<
<

問題4 (大森)

>
>

問題4

  センサーに準バイアスをかけて電流値がどうなるか調べよ。
Deleted:
<
<

問題5 (中村) いろんな人に怒られたので...

新しいバージョンでなぜかsvisualで構造を表示するとX-Yが逆になる問題があった。

左下plot propertyのInterchange Axesというのをoffにすると直る。(言い訳するとこれは2019年度版のソフトからdefault値がかわったためです。)

sdevis.png　--> sdevis2.png

  -- Koji Nakamura - 2020-05-11

Comments 

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META FILEATTACHMENT attachment="sdevis2.png" attr="" comment="" date="1621670011" name="sdevis2.png" path="sdevis2.png" size="96244" user="KojiNakamura" version="1"
META FILEATTACHMENT attachment="tcad_1st.pdf" attr="" comment="第1回の演習問題回答（HIemori）。" date="1621905296" name="tcad_1st.pdf" path="tcad_1st.pdf" size="407883" user="AtlasjSilicon" version="1"

Revision 82021-05-25 - AtlasjSilicon

 
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1日目(最初の例題を動かす) -- 演習問題

まず、

sde_dev.cmd とsdevice_dev.cmdの二つのファイルの中身を眺めてみて、何をやっているか何となく理解してみる。

問題1 (柏木)

同じ構造の検出器を用いて-300VまでのI-V特性を計算させる

問題2 (比江森)

バルクのシリコンの厚みを100um/150um/300um と変えてI-V特性を計算させてみて、暗電流の大きさの相対的な関係が理論的な計算と合っているかを確認する

問題3 (飯坂)

デバイス構築(sde_dev.cmd)の中でPSub(バルク)のドープ量を 1e12 cm^-3から0.5e12cm^-3に変えて150um厚の暗電流の大きさを比較せよ。

問題4 (大森)

センサーに準バイアスをかけて電流値がどうなるか調べよ。

問題5 (中村) いろんな人に怒られたので...

新しいバージョンでなぜかsvisualで構造を表示するとX-Yが逆になる問題があった。

左下plot propertyのInterchange Axesというのをoffにすると直る。(言い訳するとこれは2019年度版のソフトからdefault値がかわったためです。)

sdevis.png　--> sdevis2.png

-- Koji Nakamura - 2020-05-11

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META FILEATTACHMENT attachment="sdevis.png" attr="" comment="" date="1621669994" name="sdevis.png" path="sdevis.png" size="97361" user="KojiNakamura" version="1"
META FILEATTACHMENT attachment="sdevis2.png" attr="" comment="" date="1621670011" name="sdevis2.png" path="sdevis2.png" size="96244" user="KojiNakamura" version="1"
Added:
>
>
META FILEATTACHMENT attachment="tcad_1st.pdf" attr="" comment="第1回の演習問題回答（HIemori）。" date="1621905296" name="tcad_1st.pdf" path="tcad_1st.pdf" size="407883" user="AtlasjSilicon" version="1"
 

Revision 72021-05-22 - KojiNakamura

 
META TOPICPARENT name="Tutorial4thTCADWorkshop"

1日目(最初の例題を動かす) -- 演習問題

まず、

sde_dev.cmd とsdevice_dev.cmdの二つのファイルの中身を眺めてみて、何をやっているか何となく理解してみる。

問題1 (柏木)

同じ構造の検出器を用いて-300VまでのI-V特性を計算させる

問題2 (比江森)

バルクのシリコンの厚みを100um/150um/300um と変えてI-V特性を計算させてみて、暗電流の大きさの相対的な関係が理論的な計算と合っているかを確認する

問題3 (飯坂)

デバイス構築(sde_dev.cmd)の中でPSub(バルク)のドープ量を 1e12 cm^-3から0.5e12cm^-3に変えて150um厚の暗電流の大きさを比較せよ。

問題4 (大森)

センサーに準バイアスをかけて電流値がどうなるか調べよ。

Added:
>
>

問題5 (中村) いろんな人に怒られたので...

 
Added:
>
>		新しいバージョンでなぜかsvisualで構造を表示するとX-Yが逆になる問題があった。

左下plot propertyのInterchange Axesというのをoffにすると直る。(言い訳するとこれは2019年度版のソフトからdefault値がかわったためです。)

sdevis.png　--> sdevis2.png

 -- Koji Nakamura - 2020-05-11

Comments 

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Added:
>
>
META FILEATTACHMENT attachment="sdevis.png" attr="" comment="" date="1621669994" name="sdevis.png" path="sdevis.png" size="97361" user="KojiNakamura" version="1"
META FILEATTACHMENT attachment="sdevis2.png" attr="" comment="" date="1621670011" name="sdevis2.png" path="sdevis2.png" size="96244" user="KojiNakamura" version="1"
 

Revision 62021-05-18 - KojiNakamura

 
META TOPICPARENT name="Tutorial4thTCADWorkshop"

1日目(最初の例題を動かす) -- 演習問題

まず、

sde_dev.cmd とsdevice_dev.cmdの二つのファイルの中身を眺めてみて、何をやっているか何となく理解してみる。

Changed:
<
<

問題1 ()

>
>

問題1 (柏木)

  同じ構造の検出器を用いて-300VまでのI-V特性を計算させる
Changed:
<
<

問題2 ()

>
>

問題2 (比江森)

  バルクのシリコンの厚みを100um/150um/300um と変えてI-V特性を計算させてみて、暗電流の大きさの相対的な関係が理論的な計算と合っているかを確認する
Changed:
<
<

問題3 ()

>
>

問題3 (飯坂)

  デバイス構築(sde_dev.cmd)の中でPSub(バルク)のドープ量を 1e12 cm^-3から0.5e12cm^-3に変えて150um厚の暗電流の大きさを比較せよ。
Changed:
<
<

問題4 ()

>
>

問題4 (大森)

  センサーに準バイアスをかけて電流値がどうなるか調べよ。

-- Koji Nakamura - 2020-05-11

Comments 

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Revision 52021-05-17 - KojiNakamura

 
META TOPICPARENT name="Tutorial4thTCADWorkshop"

1日目(最初の例題を動かす) -- 演習問題

まず、

sde_dev.cmd とsdevice_dev.cmdの二つのファイルの中身を眺めてみて、何をやっているか何となく理解してみる。

Changed:
<
<

問題1 (熊倉)

>
>

問題1 ()

  同じ構造の検出器を用いて-300VまでのI-V特性を計算させる
Changed:
<
<

問題2 (北)

>
>

問題2 ()

  バルクのシリコンの厚みを100um/150um/300um と変えてI-V特性を計算させてみて、暗電流の大きさの相対的な関係が理論的な計算と合っているかを確認する
Changed:
<
<

問題3 (石井)

>
>

問題3 ()

  デバイス構築(sde_dev.cmd)の中でPSub(バルク)のドープ量を 1e12 cm^-3から0.5e12cm^-3に変えて150um厚の暗電流の大きさを比較せよ。
Changed:
<
<

問題4 (鈴木)

>
>

問題4 ()

  センサーに準バイアスをかけて電流値がどうなるか調べよ。

-- Koji Nakamura - 2020-05-11

Comments 

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Deleted:
<
<
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Revision 42020-05-21 - AtlasjSilicon

 
META TOPICPARENT name="Tutorial4thTCADWorkshop"

1日目(最初の例題を動かす) -- 演習問題

まず、

sde_dev.cmd とsdevice_dev.cmdの二つのファイルの中身を眺めてみて、何をやっているか何となく理解してみる。

問題1 (熊倉)

同じ構造の検出器を用いて-300VまでのI-V特性を計算させる

問題2 (北)

バルクのシリコンの厚みを100um/150um/300um と変えてI-V特性を計算させてみて、暗電流の大きさの相対的な関係が理論的な計算と合っているかを確認する

問題3 (石井)

デバイス構築(sde_dev.cmd)の中でPSub(バルク)のドープ量を 1e12 cm^-3から0.5e12cm^-3に変えて150um厚の暗電流の大きさを比較せよ。

問題4 (鈴木)

センサーに準バイアスをかけて電流値がどうなるか調べよ。

-- Koji Nakamura - 2020-05-11

Comments 

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Added:
>
>
META FILEATTACHMENT attachment="TCAD.day1.kadai.pptx" attr="" comment="" date="1590023153" name="TCAD.day1.kadai.pptx" path="TCAD.day1.kadai.pptx" size="53328" user="AtlasjSilicon" version="1"
META FILEATTACHMENT attachment="shukudai.pdf" attr="" comment="課題2(北)" date="1590023247" name="shukudai.pdf" path="shukudai.pdf" size="691834" user="AtlasjSilicon" version="1"
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Revision 32020-05-14 - KojiNakamura

 
META TOPICPARENT name="Tutorial4thTCADWorkshop"

1日目(最初の例題を動かす) -- 演習問題

まず、

sde_dev.cmd とsdevice_dev.cmdの二つのファイルの中身を眺めてみて、何をやっているか何となく理解してみる。

Changed:
<
<

問題1

>
>

問題1 (熊倉)

  同じ構造の検出器を用いて-300VまでのI-V特性を計算させる
Changed:
<
<

問題2

>
>

問題2 (北)

  バルクのシリコンの厚みを100um/150um/300um と変えてI-V特性を計算させてみて、暗電流の大きさの相対的な関係が理論的な計算と合っているかを確認する
Changed:
<
<

問題3 (応用)

>
>

問題3 (石井)

  デバイス構築(sde_dev.cmd)の中でPSub(バルク)のドープ量を 1e12 cm^-3から0.5e12cm^-3に変えて150um厚の暗電流の大きさを比較せよ。
Added:
>
>

問題4 (鈴木)

センサーに準バイアスをかけて電流値がどうなるか調べよ。

  -- Koji Nakamura - 2020-05-11

Comments 

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Revision 22020-05-11 - KojiNakamura

 
META TOPICPARENT name="Tutorial4thTCADWorkshop"

1日目(最初の例題を動かす) -- 演習問題

Added:
>
>

まず、

sde_dev.cmd とsdevice_dev.cmdの二つのファイルの中身を眺めてみて、何をやっているか何となく理解してみる。

 

問題1

同じ構造の検出器を用いて-300VまでのI-V特性を計算させる

問題2

バルクのシリコンの厚みを100um/150um/300um と変えてI-V特性を計算させてみて、暗電流の大きさの相対的な関係が理論的な計算と合っているかを確認する

問題3 (応用)

Changed:
<
<		デバイス構築(sde_dev.cmd)の中でPSub(バルク)のドープ量を 1e12から0.5e12に変えて150um厚の暗電流の大きさを比較せよ
>
>		デバイス構築(sde_dev.cmd)の中でPSub(バルク)のドープ量を 1e12 cm^-3から0.5e12cm^-3に変えて150um厚の暗電流の大きさを比較せよ。
  -- Koji Nakamura - 2020-05-11

Comments 

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Revision 12020-05-11 - KojiNakamura

 
META TOPICPARENT name="Tutorial4thTCADWorkshop"

1日目(最初の例題を動かす) -- 演習問題

問題1

同じ構造の検出器を用いて-300VまでのI-V特性を計算させる

問題2

バルクのシリコンの厚みを100um/150um/300um と変えてI-V特性を計算させてみて、暗電流の大きさの相対的な関係が理論的な計算と合っているかを確認する

問題3 (応用)

デバイス構築(sde_dev.cmd)の中でPSub(バルク)のドープ量を 1e12から0.5e12に変えて150um厚の暗電流の大きさを比較せよ

-- Koji Nakamura - 2020-05-11

Comments 

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