Difference: Tutorial4thTCADDay2Question (1 vs. 3)

Revision 32020-05-28 - AtlasjSilicon

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2日目 (様々なサンプルプログラムとsdeの構築) -- 演習問題

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Revision 22020-05-21 - AtlasjSilicon

  META TOPICPARENT 
 name="Tutorial4thTCADWorkshop" 

 2日目 (様々なサンプルプログラムとsdeの構築) -- 演習問題 

 
  2日目 (様々なサンプルプログラムとsdeの構築) -- 演習問題 
  問題1 (鈴木)
   問題2 (石井)
   問題3 (北)
   問題4(応用) (熊倉)
   Comments
- META TOPICPARENT
+ name="Tutorial4thTCADWorkshop"
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+ 問題1
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+ 問題1 (鈴木)
 Simple2Dの例題のSimple2D_des.cmdファイルで行っていること理解して説明せよ。
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+ 問題2
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+ 問題2 (石井)
 Simple3Dの例題で作った構造体のpixel数を5x5にして構造体を作ってみよ。
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+ 問題3
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+ 問題3 (北)
 Simple2Dの例題で作った構造体のn+電極の形を知るため、リンのドープ量の垂直および水平方向のプロファイルをプロットして、どのような形になっているかを調べよ。

また、リンドープのgaussian-profileの Gauss の "Factor" の値を変えてどのようなプロファイルに変化するかを調べよ。
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+ 問題4(応用)
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+ 問題4(応用) (熊倉)
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+電極間分離のために p-sprayを使っているが、これを電極と電極の間の中央に幅2um深さ1.2umのホウ素のドープ(p-stop)を生成せよ。svisualでうまく作れたことを確認する。
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+Simple2Dの例題で電極間分離のために p-sprayを使っているが、これを電極と電極の間の中央に幅2um深さ1.2umのホウ素のドープ(p-stop)を生成せよ。svisualでうまく作れたことを確認する。
 (難しい場合は前回のmyexampleの例を参考にしてみるとよい)