Difference: Tutorial4thTCADDay1Question (1 vs. 4)

Revision 42020-05-21 - AtlasjSilicon

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1日目(最初の例題を動かす) -- 演習問題

Line: 24 to 24
 

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Revision 32020-05-14 - KojiNakamura

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1日目(最初の例題を動かす) -- 演習問題

Line: 6 to 6
 

まず、

sde_dev.cmd とsdevice_dev.cmdの二つのファイルの中身を眺めてみて、何をやっているか何となく理解してみる。

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問題1

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問題1 (熊倉)

  同じ構造の検出器を用いて-300VまでのI-V特性を計算させる
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問題2

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問題2 (北)

  バルクのシリコンの厚みを100um/150um/300um と変えてI-V特性を計算させてみて、暗電流の大きさの相対的な関係が理論的な計算と合っているかを確認する
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問題3 (応用)

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問題3 (石井)

  デバイス構築(sde_dev.cmd)の中でPSub(バルク)のドープ量を 1e12 cm^-3から0.5e12cm^-3に変えて150um厚の暗電流の大きさを比較せよ。
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問題4 (鈴木)

センサーに準バイアスをかけて電流値がどうなるか調べよ。

  -- Koji Nakamura - 2020-05-11

Revision 22020-05-11 - KojiNakamura

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META TOPICPARENT name="Tutorial4thTCADWorkshop"

1日目(最初の例題を動かす) -- 演習問題

Added:
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まず、

sde_dev.cmd とsdevice_dev.cmdの二つのファイルの中身を眺めてみて、何をやっているか何となく理解してみる。

 

問題1

同じ構造の検出器を用いて-300VまでのI-V特性を計算させる

Line: 11 to 14
 バルクのシリコンの厚みを100um/150um/300um と変えてI-V特性を計算させてみて、暗電流の大きさの相対的な関係が理論的な計算と合っているかを確認する

問題3 (応用)

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<		デバイス構築(sde_dev.cmd)の中でPSub(バルク)のドープ量を 1e12から0.5e12に変えて150um厚の暗電流の大きさを比較せよ
>
>		デバイス構築(sde_dev.cmd)の中でPSub(バルク)のドープ量を 1e12 cm^-3から0.5e12cm^-3に変えて150um厚の暗電流の大きさを比較せよ。
  -- Koji Nakamura - 2020-05-11

Revision 12020-05-11 - KojiNakamura

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META TOPICPARENT name="Tutorial4thTCADWorkshop"

1日目(最初の例題を動かす) -- 演習問題

問題1

同じ構造の検出器を用いて-300VまでのI-V特性を計算させる

問題2

バルクのシリコンの厚みを100um/150um/300um と変えてI-V特性を計算させてみて、暗電流の大きさの相対的な関係が理論的な計算と合っているかを確認する

問題3 (応用)

デバイス構築(sde_dev.cmd)の中でPSub(バルク)のドープ量を 1e12から0.5e12に変えて150um厚の暗電流の大きさを比較せよ

-- Koji Nakamura - 2020-05-11

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