Difference: TCADIrradSurfaceDamage (1 vs. 2)

Revision 22018-08-28 - AtlasjSilicon

META TOPICPARENT	name="TCADIrradSurfaceDamage"

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Title表面電荷のシミュレーション

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TCAD 表面電荷のシミュレーション

SDEVICE編集

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電荷を置くには，sdevice_des.cmdに下のようなPhysicsの項目を足します．

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基本的な情報はmanual/sdevice_ug.pdf/chapter17にあります．

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bulk damageやsurface damageについて書いてありますが，ここでは表面電荷の置き方について．

電荷を置くには，sdevice_des.cmdに下のようなPhysicsの項目を足します．

Physics (Material="Oxide"){
    Charge (Conc=<float>[cm-3])
}

Materialの所は，Material / Region / MaterialInterface / RegionInterface に変えられます．

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Interfaceの場合は下のように2つのMaterialをスラッシュで区切って指定します．

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因みにbulk damageの場合はChargeの所がTrapsになりますが，どこの領域かを指定する初めの所は共通です．

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Interfaceの場合は下のように2つのMaterialをスラッシュで区切って指定します．

Physics (MaterialInterface="Oxide/Silicon"){
    Charge (Uniform (or) Gaussian
          Conc=<float>[cm-2]
          SpaceMid=<vector>[um]
          SpaceSig=<vector>[um])
}

MateirialやRegionで領域を指定した場合は，変数はConc(concentration)のみ．

Interfaceを指定した場合はUniformならConcのみ．GaussianならSpaceMid/SpaceSigを指定して分布を決定．

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Gaussianの中心値の座標をSpaceMidで指定し，自分で決めた1σ分離れた座標をSpaceSigで指定します．

concentrationを実際にどの程度に設定するべきかは調査中です．

次に示す例ではちょうど変化が見える値を採用しています．

ダイオードの例

下のようなダイオードを用意しました．

sde file : /home/swada/work/Sentaurus/TCAD_WS_2/sde_dvs.cmd

上から酸化膜(Oxide)，n+電極(P:1e+20)，p bulk(B:1e+12)，p+電極(B:1e+20)．

sdeviceに

Physics (MaterialInterface="Oxide/Silicon") {
 Charge(Conc=2.5e10)
}

を書く前後でIVシミュレーションを行い，eDencity分布を比較します．

前 sdevice file : /home/swada/work/Sentaurus/TCAD_WS_2/IV_des.cmd

後 sdevice file : /home/swada/work/Sentaurus/TCAD_WS_2/IVirrad_des.cmd

Oxide/Silicon境界にプラス電荷を置いたため，境界に電子が集まっているのが見えます．

CVシミュレーションについても同様にsdevice fileを用意しました．

前 sdevice file : /home/swada/work/Sentaurus/TCAD_WS_2/CV_des.cmd

後 sdevice file : /home/swada/work/Sentaurus/TCAD_WS_2/CVirrad_des.cmd

IV測定とCV測定の結果を前後で比較してみます．

電荷を置いたことによって変化が生じているのが分かります．

Atlasj Silicon - 2018-08-28

Comments

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META FILEATTACHMENT	attachment="fig1.png" attr="" comment="" date="1535471964" name="fig1.png" path="fig1.png" size="66618" user="AtlasjSilicon" version="1"
META FILEATTACHMENT	attachment="fig2_e_wo.png" attr="" comment="" date="1535472512" name="fig2_e_wo.png" path="fig2_e_wo.png" size="59537" user="AtlasjSilicon" version="1"
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Revision 12018-08-28 - AtlasjSilicon

META TOPICPARENT	name="TCADIrradSurfaceDamage"

Title表面電荷のシミュレーション

SDEVICE編集

電荷を置くには，sdevice_des.cmdに下のようなPhysicsの項目を足します．

Physics (Material="Oxide"){
    Charge (Conc=<float>[cm-3])
}

Materialの所は，Material / Region / MaterialInterface / RegionInterface に変えられます．

Interfaceの場合は下のように2つのMaterialをスラッシュで区切って指定します．

Physics (MaterialInterface="Oxide/Silicon"){
    Charge (Uniform (or) Gaussian
          Conc=<float>[cm-2]
          SpaceMid=<vector>[um]
          SpaceSig=<vector>[um])
}

MateirialやRegionで領域を指定した場合は，変数はConc(concentration)のみ．

Interfaceを指定した場合はUniformならConcのみ．GaussianならSpaceMid/SpaceSigを指定して分布を決定．

-- Atlasj Silicon - 2018-08-28

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