Line: 1 to 1 | |||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TCAD バルク損傷のシミュレーション | |||||||||||||
Line: 63 to 61 | |||||||||||||
node 1 を走らせる。 | |||||||||||||
Changed: | |||||||||||||
< < | |||||||||||||
> > | |||||||||||||
3 pixelと左右3つづつのガードリングがある。電極間はPsprayで分離。 | |||||||||||||
Line: 78 to 77 | |||||||||||||
図のようなプロットができる。 | |||||||||||||
Changed: | |||||||||||||
< < | |||||||||||||
> > | |||||||||||||
照射量に応じて案電流の増加と、Break down 電圧の上昇がみられる。 | |||||||||||||
Line: 96 to 94 | |||||||||||||
図のようなプロットができる。 | |||||||||||||
Changed: | |||||||||||||
< < | |||||||||||||
> > | |||||||||||||
同じ電圧で静電容量が照射量とともに増えている。これは空乏層の厚みが薄いから。 1e16と1e17は要調査
実際に100Vでどこまで空乏化しているか?Non-irrad, 1e12 , 1e13, 1e14, 1e15, 1e16, 1e17 neq/cm2の照射量でIRRADIATIONを走らせる。これはSDEにtrapの情報を加えただけ。 | |||||||||||||
Changed: | |||||||||||||
< < | node 32-38を走らせた後 node 25-31でプロットを見る。 | ||||||||||||
> > | node 32-38を走らせた後 node 25-31でプロットを見る。WDEP_ins.tcl
create_field -dataset TDR -name n -function max(<DopingConcentration>/(abs(<DopingConcentration>)+1.0),0) create_field -dataset TDR -name p -function max((-1.0*<DopingConcentration>)/(abs(<DopingConcentration>)+1.0),0) create_field -dataset TDR -name DEP -function <n>*<eDensity>/(<DopingConcentration>+10)-<p>*<hDensity>/(<DopingConcentration>-10)-0.051e13 と1e14 @ 100Vでのキャリア密度分布 | ||||||||||||
MIP simulation | |||||||||||||
Changed: | |||||||||||||
< < | Pixel2DMIPのSDEを走らせる。 n46-52 はMIPの垂直入射。n212は点電荷。n175は45度入射 | ||||||||||||
> > | Pixel2DMIPのSDEを走らせる。 n46-52 はMIPの垂直入射。n212は点電荷。n175は45度入射 電極に流れる電流分布 | ||||||||||||
-- Koji Nakamura - 2018-08-28 | |||||||||||||
Line: 114 to 131 | |||||||||||||
| |||||||||||||
Added: | |||||||||||||
> > |
|