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IV simulation | ||||||||
Line: 60 to 60 | ||||||||
センサーの断面の様子を確認したい場合。 | ||||||||
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< < | 確認したいセルをクリックし、”目”のアイコンー>Sentaurus Visual(svisual)を選択。".tdr"/".msh"のものを選択すると、センサーの断面の様子が分かる。 | |||||||
> > | 確認したいセルをクリックし、”目”のアイコンー>Sentaurus Visual(svisual)を選択。"n4_bnd.tdr"/"n4_msh.tdr"のものを選択すると、センサーの断面の様子が分かる。 | |||||||
Line: 102 to 102 | ||||||||
読み込むファイル、及び今回のアウトプットするファイルの指定。 | ||||||||
Changed: | ||||||||
< < | 読み込むファイルは拡張子“.tdr”,".msh"。 | |||||||
> > | 読み込むファイルは拡張子“.tdr”。 | |||||||
今回生成されるplotはplot/の中に生成される。 |
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IV simulation | ||||||||
Line: 54 to 54 | ||||||||
今回はElectronodeP(センサーの上側)に電圧をかけた時のIVシミュレーション。 | ||||||||
Changed: | ||||||||
< < | ElectronodeP のOutVoltageをx軸/TotalCurrentをy軸に設定。 | |||||||
> > | ElectronodeP のOuterVoltageをx軸/TotalCurrentをy軸に設定。 | |||||||
Line: 68 to 68 | ||||||||
ここから中身について。 | ||||||||
Changed: | ||||||||
< < | Sdeviceは以下の構造から構成される。(今回はDevice mode) | |||||||
> > | Sdeviceは以下の構造から構成される。 | |||||||
・File |
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IV simulation | ||||||||
Line: 48 to 48 | ||||||||
完了したら走らせたセルをクリック。 | ||||||||
Changed: | ||||||||
< < | 青状態になったら、ツールバーの”目”のマークをクリック。(svisualの立ち上げ) | |||||||
> > | 青状態になったら、ツールバーの”目”のマーク->inspectをクリック。 今回はElectronodeP(センサーの上側)に電圧をかけた時のIVシミュレーション。 | |||||||
ElectronodeP のOutVoltageをx軸/TotalCurrentをy軸に設定。 | ||||||||
Changed: | ||||||||
< < | 今回は図の位置に電圧をかけた場合のシミュレーションを行った。 | |||||||
> > | センサーの断面の様子を確認したい場合。 確認したいセルをクリックし、”目”のアイコンー>Sentaurus Visual(svisual)を選択。".tdr"/".msh"のものを選択すると、センサーの断面の様子が分かる。 | |||||||
プログラム | ||||||||
Line: 166 to 176 | ||||||||
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Added: | ||||||||
> > |
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IV simulation | ||||||||
Line: 10 to 10 | ||||||||
IV測定のシミュレーションを行うためのプログラムの動かし方、中身について紹介を行う。 | ||||||||
Changed: | ||||||||
< < | サンプルは以下の場所にある。 | |||||||
> > | まずは作業ディレクトリを作成。
mkdir Pixel/IV
cd Pixel/IV
今回のプログラムは以下の場所にある。 | |||||||
sde | ||||||||
Changed: | ||||||||
< < | cp | |||||||
> > | cp /home/yunakamu/work/Sentaurus/tutorial/IV/sde_dvs.cmd . | |||||||
sdevice | ||||||||
Changed: | ||||||||
< < | cp | |||||||
> > | cp /home/yunakamu/work/Sentaurus/tutorial/IV/sdevice_dvs.cmd . | |||||||
Changed: | ||||||||
< < | cd ~ mkdir plot | |||||||
> > | mkdir plot | |||||||
まずはとにかく走らせてみる。 | ||||||||
Line: 46 to 50 | ||||||||
青状態になったら、ツールバーの”目”のマークをクリック。(svisualの立ち上げ) | ||||||||
Changed: | ||||||||
< < | ElectronodeP のOutVoltageをx軸/をy軸に設定。 | |||||||
> > | ElectronodeP のOutVoltageをx軸/TotalCurrentをy軸に設定。 | |||||||
今回は図の位置に電圧をかけた場合のシミュレーションを行った。 | ||||||||
Added: | ||||||||
> > | プログラム | |||||||
ここから中身について。 Sdeviceは以下の構造から構成される。(今回はDevice mode) |
Line: 1 to 1 | ||||||||
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IV simulation | ||||||||
Line: 38 to 38 | ||||||||
ツールバー上の走っている人をクリックすると、runが始まる。 | ||||||||
Changed: | ||||||||
< < | セルが青ー>緑ー>代々になったらrunが完了。 | |||||||
> > | セルが青ー>緑ー>橙になったらrunが完了。 | |||||||
Line: 96 to 96 | ||||||||
今回の物理的なシミュレーションの指定。 | ||||||||
Changed: | ||||||||
< < | 移動度の設定。温度/MI粒子/放射線損傷など、半導体センサーに細かな条件を加えることができる。 | |||||||
> > | ドリフト拡散輸送モデルを使用。このphysics全体がドリフト拡散輸送モデルの形になっている。 温度/MI粒子/放射線損傷など、半導体センサーに細かな条件を加えることができる。 | |||||||
温度は300[K]。 | ||||||||
Changed: | ||||||||
< < | Mobilityは | |||||||
> > | Recombinationは不純物濃度などの動きをしていする方程式を指定。ここで定義しているSRH統計。 | |||||||
Changed: | ||||||||
< < | Recombinationは不純物濃度などの動きをしていする方程式を指定している。 | |||||||
> > | SRH統計(Shockley-Read-Hall)は、半導体中の深い準位によるキャリアの生成再結合(捕獲及び放出)の時定数に関してあらわしたモデル。 | |||||||
Line: 116 to 118 | ||||||||
今回アウトプットとして出力される値の一覧。 | ||||||||
Changed: | ||||||||
< < | IVシミュレーションに必要なパラメータではなく、 | |||||||
> > | IVシミュレーションに必要なパラメータではなく、svisal上で視覚的に見たいものを記述。 例えばeDensityは、デバイスの電荷密度の様子を見ることができる。 | |||||||
Added: | ||||||||
> > | System Mixed Modelの場合、Deviceの電極を再設定する必要がある。 PIXEL pixel(Device名 任意の名前)として、電極を定義していく。 | |||||||
Changed: | ||||||||
< < | Solve | |||||||
> > | Solve | |||||||
解析の手法を選択。 | ||||||||
Line: 130 to 140 | ||||||||
以下はElectronodePに電圧をかけていく様子。 | ||||||||
Added: | ||||||||
> > | Vopの値に向かって、IV測定のシミュレーションが行われる。 | |||||||
Comments |
Line: 1 to 1 | ||||||||
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IV simulation | ||||||||
Line: 6 to 6 | ||||||||
-- Atlasj Silicon - 2018-06-24 | ||||||||
Changed: | ||||||||
< < | sdevice(Sentaurus Device)は、さまざまな半導体デバイスの電気的、熱的、および光学的特性をシミュレートできる、半導体デバイスシミュレータ。 | |||||||
> > | sdevice(Sentaurus Device)は、さまざまな半導体デバイスの電気的、熱的、および光学的特性をシミュレートできる、半導体デバイスシミュレータ。 | |||||||
Changed: | ||||||||
< < | IV測定のシミュレーションを行うためのプログラムの動かし方、中身について紹介を行う。 | |||||||
> > | IV測定のシミュレーションを行うためのプログラムの動かし方、中身について紹介を行う。 | |||||||
Changed: | ||||||||
< < | サンプルは以下の場所にある。 | |||||||
> > | サンプルは以下の場所にある。 | |||||||
Changed: | ||||||||
< < | 今回はsdeに変数はないため、特にswb上で設定する必要はない。 | |||||||
> > | sde cp sdevice cp cd ~ mkdir plot まずはとにかく走らせてみる。 今回はsdeに変数はないため、特にswb上で設定する必要はない。(変数は"@"で囲まれている。) | |||||||
sdeviceのアイコンの下のセルを右クリックして一番上のadd parameter をクリック。 | ||||||||
Line: 34 to 48 | ||||||||
ElectronodeP のOutVoltageをx軸/をy軸に設定。 | ||||||||
Added: | ||||||||
> > | 今回は図の位置に電圧をかけた場合のシミュレーションを行った。 | |||||||
ここから中身について。 | ||||||||
Changed: | ||||||||
< < | Sdeviceは以下の構造から構成される。(今回はDevice mode) | |||||||
> > | Sdeviceは以下の構造から構成される。(今回はDevice mode) ・File | |||||||
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< < | ・File | |||||||
> > | ・Electronode | |||||||
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< < | ・Electronode | |||||||
> > | ・Physics | |||||||
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< < | ・Physics | |||||||
> > | ・Math | |||||||
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< < | ・Math | |||||||
> > | ・Plot | |||||||
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< < | ・Plot | |||||||
> > | ・Solve | |||||||
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< < | ・Solve | |||||||
> > | プログラムの書き方は主に二種類あり、Device ModeとMixed Mode。 Mixd ModeはDeviceを一つの構造として、複数の構造を持たせた状態でシミュレーションを行うことができる。 今回はDeviceは一つだが、このmodeで行う。 | |||||||
Changed: | ||||||||
< < | 今回は右側の構造になっている。 | |||||||
> > | まずはDeviceの設定。 Device の後に任意の名前を指定し、"{","}"で書こうと一つの構造になる。今回はDevice PIXELの中身はElectronode/File/Physicsから構成されている。 Electronode | |||||||
Changed: | ||||||||
< < | File | |||||||
> > | 電極の設定。sdeなどで作った半導体に割り当てた電極名を指定することで測定のシミュレーションを行うことができる。 | |||||||
Changed: | ||||||||
< < | 読み込むファイル、及び今回のアウトプットするファイルの指定。 | |||||||
> > | File | |||||||
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< < | 読み込むファイルは拡張子“.tdr”。 | |||||||
> > | 読み込むファイル、及び今回のアウトプットするファイルの指定。 | |||||||
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< < | Electronode | |||||||
> > | 読み込むファイルは拡張子“.tdr”,".msh"。 | |||||||
Changed: | ||||||||
< < | 電極の設定。sdeなどで作った半導体に割り当てた電極名を指定することで測定のシミュレーションを行うことができる。 | |||||||
> > | 今回生成されるplotはplot/の中に生成される。 | |||||||
Changed: | ||||||||
< < | Physics | |||||||
> > | Physics | |||||||
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< < | 今回の物理的なシミュレーションの指定。 | |||||||
> > | 今回の物理的なシミュレーションの指定。 | |||||||
Changed: | ||||||||
< < | 移動度の設定。温度/MI粒子/放射線損傷など、半導体センサーに細かな条件を加えることができる。 | |||||||
> > | 移動度の設定。温度/MI粒子/放射線損傷など、半導体センサーに細かな条件を加えることができる。 温度は300[K]。 Mobilityは Recombinationは不純物濃度などの動きをしていする方程式を指定している。 | |||||||
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< < | Math | |||||||
> > | Math | |||||||
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< < | シミュレーションするときの条件設定。 | |||||||
> > | シミュレーションするときの条件設定。 | |||||||
Changed: | ||||||||
< < | Plot | |||||||
> > | Plot 今回アウトプットとして出力される値の一覧。 | |||||||
Changed: | ||||||||
< < | 今回アウトプットとして出力される値の一覧。 | |||||||
> > | IVシミュレーションに必要なパラメータではなく、 | |||||||
Changed: | ||||||||
< < | Solve | |||||||
> > | Solve | |||||||
Changed: | ||||||||
< < | 解析の手法を選択。 | |||||||
> > | 解析の手法を選択。 | |||||||
Changed: | ||||||||
< < | IV測定、CV測定、時間変移など必要に応じてシミュレーションを行う。 | |||||||
> > | IV測定、CV測定、時間変移など必要に応じてシミュレーションを行う。 | |||||||
Changed: | ||||||||
< < | 以下はElectronodePに電圧をかけていく様子。 | |||||||
> > | 以下はElectronodePに電圧をかけていく様子。 | |||||||
Comments |
Line: 1 to 1 | |||||||||
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IV simulation | |||||||||
Line: 12 to 12 | |||||||||
サンプルは以下の場所にある。 | |||||||||
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< < | |||||||||
> > | 今回はsdeに変数はないため、特にswb上で設定する必要はない。 sdeviceのアイコンの下のセルを右クリックして一番上のadd parameter をクリック。 Parameter "Vop"/Default Value "-30"と入力 -> ok 走らせたいセルをクリックし、青色になったことを確認。 ツールバー上の走っている人をクリックすると、runが始まる。 セルが青ー>緑ー>代々になったらrunが完了。 | ||||||||
Added: | |||||||||
> > | 完了したら走らせたセルをクリック。 青状態になったら、ツールバーの”目”のマークをクリック。(svisualの立ち上げ) ElectronodeP のOutVoltageをx軸/をy軸に設定。 ここから中身について。 | ||||||||
Sdeviceは以下の構造から構成される。(今回はDevice mode) ・File | |||||||||
Line: 40 to 60 | |||||||||
読み込むファイルは拡張子“.tdr”。 | |||||||||
Deleted: | |||||||||
< < | |||||||||
Electronode 電極の設定。sdeなどで作った半導体に割り当てた電極名を指定することで測定のシミュレーションを行うことができる。 | |||||||||
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< < | |||||||||
> > | |||||||||
Physics | |||||||||
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移動度の設定。温度/MI粒子/放射線損傷など、半導体センサーに細かな条件を加えることができる。 | |||||||||
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> > | |||||||||
Math シミュレーションするときの条件設定。 | |||||||||
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Added: | |||||||||
> > | |||||||||
Solve 解析の手法を選択。 | |||||||||
Line: 74 to 96 | |||||||||
以下はElectronodePに電圧をかけていく様子。 | |||||||||
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> > | |||||||||
Comments | |||||||||
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Changed: | |||||||||
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IV simulationArticle text. -- Atlasj Silicon - 2018-06-24 sdevice(Sentaurus Device)は、さまざまな半導体デバイスの電気的、熱的、および光学的特性をシミュレートできる、半導体デバイスシミュレータ。 IV測定のシミュレーションを行うためのプログラムの動かし方、中身について紹介を行う。 サンプルは以下の場所にある。 Sdeviceは以下の構造から構成される。(今回はDevice mode) ・File ・Electronode ・Physics ・Math ・Plot ・Solve 今回は右側の構造になっている。 File 読み込むファイル、及び今回のアウトプットするファイルの指定。 読み込むファイルは拡張子“.tdr”。 Electronode 電極の設定。sdeなどで作った半導体に割り当てた電極名を指定することで測定のシミュレーションを行うことができる。 Physics 今回の物理的なシミュレーションの指定。 移動度の設定。温度/MI粒子/放射線損傷など、半導体センサーに細かな条件を加えることができる。 Math シミュレーションするときの条件設定。 Plot 今回アウトプットとして出力される値の一覧。 Solve 解析の手法を選択。 IV測定、CV測定、時間変移など必要に応じてシミュレーションを行う。 以下はElectronodePに電圧をかけていく様子。Comments
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