
 ITk strip QAUnder construction. --QAシステム概要TestChip+MD8(Halfmoon)で測定する8項目の測定ができるシステムです。 具体的な項目 バイアス抵抗、カップリング容量、ストリップ間抵抗、ストリップ間容量、PTP作動、カップリングの暗電流、酸化膜容量、MD8のIVCV測定 すべての測定には最低でもPC、LCRメーター2台、ソースメーター2台、スイッチ操作装置(TUSB-PIO)、Raspiを用いた温度計システムと測定サンプルを装着する基盤が必要です。 B4奥クリーンルームのデスク、左のWindowsマシン上で、StripQAControlGUIソフトウェアから機器を操作して測定する。 テストチップの測定サイクルは、
 
 測定サンプルを装着する基盤恒温槽内に2つの測定サンプル装着用基板がある。
 StripQAControlGUI ソフトウェアの起動 (To be updated)
 テストチップ測定方法配線テストチップを測定する際のケーブルは、以下の通り接続する。
 LCRメーターのcalibrationCalibrationは、常温で行う。
 測定サンプルのセットアップ・冷却
 StripQAControlGUI のパラメータ設定 | ||||||||
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| < <  | General Settingsで、測定するサンプルのBatchNo.(VPXを除いた数字5桁)を記入してください。 | |||||||
| > >  | General Settingsで、測定するサンプルのBatchNo.(VPXもしくはVPAを除いた数字5桁)を記入した後、SETをクリックしてください。もし同じバッチで2つ以上のテストチップがある場合には、メッセージが表示されますので、その場合はWafer No.も入力してください。 | |||||||
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| < <  | OperatorName,RunNo.を記入した後、SETをクリックしてください。 | |||||||
| > >  | 忘れずにOperator Nameに名前を入力してください。 | |||||||
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以下のスプレッドシートを開き、WaferNo.やSerialNo.が正しいものになっているかを確認してください。
https://docs.google.com/spreadsheets/d/1mlUcnUTPKlGmD6PUIn9hh5Zky5EJmUY1wDjHUVpYtlU/edit#gid=0 | ||||||||
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| < <  | もしRunNo.に重複がある場合、自動でファイル名を変更し、重複を回避するようになっています。 | |||||||
バイアス抵抗、カップリング容量、ストリップ間容量/抵抗、PTP測定ここまで出来たら各測定に進めます。 必ず、以下の順番で測定を進めてください。ストリップ間抵抗は微妙な温度のふらつきに敏感なので、センサーの温度が十分に安定するよう、一番最後に測定します。 | ||||||||
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| デフォルトでは-5~5Vまでを0.5Vステップで測定しています。 測定可能な抵抗3つすべての電流値が記録されます。 | ||||||||
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| 1kHzでの静電容量と複素インピーダンスの絶対値が記録されます。 この測定はGUI上で測定周波数を変更することができません。 | ||||||||
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| 照射前後でバイアス抵抗が異なります。 照射前は-150V 照射後は-500V 測定は、100kHzでの静電容量を測り、静電容量と複素インピーダンスの絶対値が記録されます。 測定するサンプルの特性に合わせてパラメーターを(ボタンで)変更してください。 | ||||||||
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| 照射前後でバイアス抵抗が異なります。 照射前は-150V 照射後は-500V 測定範囲はどちらも0~-40Vを0.2Vステップで測定します。 | ||||||||
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| 必ず、恒温槽の表示が-20度になってから1時間以上経過したことを確認して、測定を始めること!
照射前後でバイアス抵抗が異なります。
照射前は-150V
照射後は-500V
測定範囲はどちらも-5~5Vを0.1Vステップで測定します。
測定するサンプルの特性に合わせてパラメーターを(ボタンで)変更してください。
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| < <  | ここまで測定が終わったら、次にMD8とカップリング漏れ電流の測定のため、基板を切りかえます。 | |||||||
| > >  | ここまで測定が終わったら、次にMD8とカップリング漏れ電流の測定のため、基板を切りかえます。基板切り替えのために恒温槽をあける場合には、常温まで戻すこと! | |||||||
配線MD8を測定する際のケーブルは、以下の通り接続する。
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Calibration配線を付け替えたら、再度Calibrationを行いましょう。testChip用でなくMD8用基板を使用することと、Shortサンプルに「MD8・MOS用」の方を使う以外は、TestChipのときのCalibrationと同じやり方。 Calibrationは、常温で行う。 
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| < <  | キャリブレーションが終わったら、サンプルを基板に装着する。 | |||||||
| > >  | キャリブレーションが終わったら、サンプルを基板に装着する。照射サンプルの場合は、-20度に冷やす。 | |||||||
カップリング漏れ電流、MD8の測定MD8のIVCV
 カップリングの暗電流必ず、恒温槽の表示が-20度になってから1時間以上経過したことを確認して、測定を始めること!
 酸化膜容量(QA測定からは除外)注:酸化膜容量の測定は、陽子照射後にはうまくできないことがわかったので、やらないことになっています。 二枚目の基板、MOS HVにTestVからつながるケーブルがつながっていることを確認してください。 照射前後で測定が異なります 照射前 周波数10kHz、測定範囲-60~0V、0.1Vステップ γ線照射後 周波数100kHz、測定範囲-60~0V、0.1Vステップ 陽子照射後は測定しない予定です。 どちらも静電容量と複素インピーダンスの絶対値が記録されます。 サンプルの特性に合わせてパラメーターを変更してください。温湿度計について温湿度計のテクニカルな詳細はこちら→ 温湿度計 on Raspberry Pi Strip test chip QAで使っているものはラズベリーパイ(130.87.242.194)に接続されている。atlasjユーザー(パスワードは誰かに聞いてください)でログインし、~/work/stripQAにあるthermohydrometer.pyというPythonスクリプトで温湿度を読み出せる。このスクリプトは温湿度を記録・表示し続けると同時に、/var/samba/trh以下に最新の測定結果をtemp.datとして保存する。/var/sambaはWindows(130.87.243.248)のデスクトップにあるsharedというフォルダーと共有されているため、最新の温湿度をWindows側から読み出せる。 設定方法は以下の通り。 --> あるタイミングでSambaでのマウントがうまく行かなくなったのと、あまり必要もないのでやめました。 [Windows側] 1. 共有フォルダ―を作る。例えばsharedというフォルダーを作り、右クリック→プロパティから共有設定をする。参考→ https://pc-karuma.net/windows-10-share-files-folders/ | ||||||||
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$ sudo apt update $ sudo apt install samba $ sudo apt install winbind $ sudo apt install libnss-winbind $ sudo apt install samba-client2. smbuserというユーザーを作り、共有フォルダ―へのアクセスを許可する。  | ||||||||
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$ sudo useradd smbuser $ sudo chown smbuser:smbuser /var/samba/ $ sudo pdbedit -a smbuser3. /etc/samba/smb.confに以下を書き込む。  | ||||||||
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[share] comment = Share Folder browseable = yes path = /var/samba writable = yes valid users = smbuser force user = smbuser書き込んだら、sudo /etc/init.d/samba restartでサービスをrestartする。 4. 共有フォルダーをマウントする。  | ||||||||
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sudo mount.cifs //130.87.243.248/shared /var/samba/ -o user=smbuserIPの直後の"shared"は、先ほどWindowsマシンでつくった共有フォルダーの名前になる。 測定ログ8月 (QAMeasurementLog202008) 以後はE-logへ → Strip E-logマニュアルなど
 
 参考資料
 
 
 
 
 メモ佐藤が編集するまえのバージョン:r19
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