Difference: ITkStripQA (19 vs. 20)

Revision 202022-02-17 - AtlasjSilicon

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ITk strip QA

Line: 15 to 15
  すべての測定には最低でもPC、LCRメーター2台、ソースメーター2台、スイッチ操作装置(TUSB-PIO)、Raspiを用いた温度計システムと測定サンプルを装着する基盤が必要です。
Changed:
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To be written.

測定方法

測定開始前にすること

LCRメーターのcalibration

サンプル以外のセットアップをすべてつなげた状態で、calibration用の基盤を設置します。

LCRメーターのMENUにあるMEAS SETUPボタンを押し、画面に表示されるCORRECTIONに対応するボタンを押します。

カーソルをOPEN/SHORT(自分が設置した基板の種類)にあわせ、MEAS OPEN/SHORTを押すとcalibrationが始まります。

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B4奥クリーンルームのデスク、左のWindowsマシン上で、StripQAControlGUIソフトウェアから機器を操作して測定する。
 
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LCRメーター2台とも、OPEN、SHORT2種類のcalibrationを行ってください。

calibrationが終わったら、測定したいサンプルを取り付けてください。

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テストチップの測定サイクルは、
  1. 配線を繋ぎ変え・確認
  2. LCRメータのキャリブレーション
  3. サンプルをtestChip用基盤に装着
  4. -20℃に冷却
  5. HVが問題なくかかるかどうか、手動でチェック
  6. 測定 (5項目:バイアス抵抗、カップリング容量、ストリップ間抵抗、ストリップ間容量、PTP作動)
  7. 常温に戻し、テストチップをしまう
MD8の測定サイクルは、
  1. 配線を繋ぎ変え・確認
  2. LCRメータのキャリブレーション
  3. サンプルをMD8用基盤に装着
  4. -20℃に冷却
  5. Ccpl測定
  6. HVケーブルをつなぎ変え
  7. CMOS 酸化膜容量測定
  8. MD8測定
  9. 常温に戻し、テストチップをしまう

測定サンプルを装着する基盤

恒温槽内に2つの測定サンプル装着用基板がある。

  1. (左)テストチップ測定用基板―バイアス抵抗、カップリング容量、ストリップ間抵抗、ストリップ間容量、PTP作動
  2. (右)MD8測定用基板―カップリングの暗電流、酸化膜容量、MD8のIVCV測定
To be written.

StripQAControlGUI ソフトウェアの起動 (To be updated)

  デスクトップにあるショートカット「StripQA」をダブルクリックし、ソリューションを開きます。

画面中央上にある「Local Windows Debugger」をクリックし、GUIを実行します。

最初の画面でLCRメーターとソースメーターの選択画面が表示されるので、使用する機械を選択(Setを緑に)したのち、StripQAをクリックします。

Added:
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テストチップ測定方法

配線

テストチップを測定する際のケーブルは、以下の通り接続する。

  • HV2410 → ITk Strip Teg Boardの”Vtest”
  • CCPL A → 上のLCRメータ H_CUR
  • CCPL B → 上のLCRメータ H_POT
  • CCPL C → 上のLCRメータ L_POT
  • CCPL D → 上のLCRメータ L_CUR

LCRメーターのcalibration

Calibrationは、常温で行う。

  1. OPEN Calibration
    1. testChip装着用基板に、OPEN(何も書いていない方)のCalibrationサンプルを装着。
    2. StripQAControlGUI にて、LCR Calibrationの「Open」をクリック。
    3. Calibrationが完了すると、LCRメータのフロントパネルに、"OPEN measurement completed"が表示される。
      1. 失敗した時は、もう一度走らせてみる。
  2. SHORT Calibtation
    1. testChip装着用基板に、SHORTのCalibrationサンプルを装着。
    2. StripQAControlGUI にて、LCR Calibrationの「Short」をクリック。
    3. Calibrationが完了すると、LCRメータのフロントパネルに、"SHORT measurement completed"が表示される。

測定サンプルのセットアップ・冷却

  1. testChip測定用基板は、恒温槽内左の基盤。ピン番号が対応するように確認しながら、サンプルを基盤に装着する。
  2. 恒温槽を―20℃に設定・運転し、-20℃に下がってから測定は開始する。

StripQAControlGUI のパラメータ設定

  General Settingsで、測定するサンプルのBatchNo.(VPXを除いた数字5桁)を記入してください。
Line: 50 to 86
  もしRunNo.に重複がある場合、自動でファイル名を変更し、重複を回避するようになっています。
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各測定の測定中にDataFilePathボタンを押すと、現在測定中のデータのファイル名が表示されます。

解析やログの記録の際に活用してください。

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(各測定の測定中にDataFilePathボタンを押すと、現在測定中のデータのファイル名が表示されます。解析やログの記録の際に活用してください。)

測定

  ここまで出来たら各測定に進めます。
  • バイアス抵抗
Line: 95 to 130
 照射後は-500V

測定範囲はどちらも0~-40Vを0.2Vステップで測定します。

Added:
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MD8測定方法

配線

 
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この先の測定をする場合は、別の基盤に付け替える必要があります
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MD8を測定する際のケーブルは、以下の通り接続する。
  • HV2410 →はじめ、"Ccpl IV"LEMOケーブルにつなぐ。
    • "MD8・MOS" または”Ccpl IV”に測定項目によって繋ぎ変える。両方ともオレンジのLEMOケーブル。
  • MD8 A → 上のLCRメータ H_CUR
  • MD8 B → 上のLCRメータ H_POT
  • MD8 C → 上のLCRメータ L_POT
  • MD8 D → 上のLCRメータ L_CUR

Calibration

配線を付け替えたら、再度Calibrationを行いましょう。やり方は、TestChipのときのCalibrationと同じ。

Calibrationは、常温で行う。

  1. OPEN Calibration
    1. testChip装着用基板に、OPEN(何も書いていない方)のCalibrationサンプルを装着。
    2. StripQAControlGUI にて、LCR Calibrationの「Open」をクリック。
    3. Calibrationが完了すると、LCRメータのフロントパネルに、"OPEN measurement completed"が表示される。
      1. 失敗した時は、もう一度走らせてみる。
  2. SHORT Calibtation
    1. testChip装着用基板に、SHORTのCalibrationサンプルを装着。
    2. StripQAControlGUI にて、LCR Calibrationの「Short」をクリック。
    3. Calibrationが完了すると、LCRメータのフロントパネルに、"SHORT measurement completed"が表示される。
 
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別の基板に付け替えたら、再度Calibrationを行いましょう。
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<!--
  Calibrationの前に、Local Windows Debuggerを押して最初に出てくるGUIにあるTUSB Formのボタンをクリックし、スイッチ操作用GUIを起動してください。
Line: 106 to 163
  最初と同じ方法でCalibrationをしてください。
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  • カップリングの暗電流

二枚目の基板、LEMO0にTestVからつながるケーブルがつながっていることを確認してください。

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!-->
 
Changed:
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0~10Vまでは0.5Vステップ、0~100Vまで5Vステップで、カップリング部に電圧をかけたときの暗電流を測定します。
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サンプルの装着

  1. 測定用基板に装着する前に、サンプル(カバーの中)に窒素ガスに流して霜をよく飛ばす。霜がついていると、HVがかかったときにサンプルを破壊してしまう場合がある。
  2. MD8用基板に測定サンプルを装着する。

測定

カップリングの暗電流

  1. HV2410ケーブルが、”CCPL IV”LEMOケーブルにつながっていることを必ず確認する。
  2. GUIで、”Ccpl_leak”をクリック。
    1. 0~10Vまでは0.5Vステップ、0~100Vまで5Vステップで、カップリング部に電圧をかけたときの暗電流を測定します。

酸化膜容量 

 
Deleted:
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  • 酸化膜容量
 二枚目の基板、MOS HVにTestVからつながるケーブルがつながっていることを確認してください。

照射前後で測定が異なります

Line: 126 to 188
 どちらも静電容量と複素インピーダンスの絶対値が記録されます。

サンプルの特性に合わせてパラメーターを変更してください。

Changed:
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  • MD8のIVCV

二枚目の基板、MOS HVにTestVからつながるケーブルがつながっていることを確認してください。

0~-500Vを10Vステップで測定します。

電流、静電容量、複素インピーダンスの絶対値が記録されます。

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>

MD8のIVCV

  1. HV2410ケーブルを”MD8・MOS”レモケーブルにつながっていることを確認してください。
  2. GUIで、”MD8”をクリックする。
    1. 0~-500Vを10Vステップで測定します。
    2. 電流、静電容量、複素インピーダンスの絶対値が記録されます。
 

温湿度計について

Line: 215 to 276
 
Added:
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>
 
  • Strip sensor meeting
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  \ No newline at end of file
Added:
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メモ

佐藤が編集するまえのバージョン:r19

META FILEATTACHMENT attachment="IMG_4750.jpeg" attr="" comment="恒温槽の中。左から順に、testChip測定用基板、MD8測定用基板、CCE測定セットアップ。" date="1645078948" name="IMG_4750.jpeg" path="IMG_4750.jpeg" size="857206" user="AtlasjSilicon" version="1"
 
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