Difference: ITkStripQA (1 vs. 30)

Revision 302023-08-22 - AtlasjSilicon

Line: 1 to 1
 
META TOPICPARENT name="WebHome"

ITk strip QA

Line: 42 to 42
 
  1. (右)MD8測定用基板―カップリングの暗電流、酸化膜容量、MD8のIVCV測定
To be written.

StripQAControlGUI ソフトウェアの起動 (To be updated)

Added:
>
>
  1. 温度測定スクリプトがまだ走っていなければ、本ページ末尾のほうにある「温湿度計について」を見ながらスクリプトを走らせておく。
 
  1. WindowsマシンのメニューバーにあるVisual Studio(紫色の∞アイコン)を起動。
  2. SiliconTestSetupApp.sln をクリックして読み込む。(full pathは c:Users\atlas\Source\Repos\SiliconTestSetupApp_update)
  3. 画面中央上にある「Local Windows Debugger」をクリックし、GUIを実行します。
Line: 76 to 77
 注:測定用基板に装着する前に、サンプル(カバーの中)を恒温槽もしくはデシケータ(窒素ガスが流れている)に入れて、表面が乾燥するまで待つこと!霜や水滴がついたままだと、HVがかかったときにサンプルを破壊してしまう場合がある。

StripQAControlGUI のパラメータ設定

Changed:
<
<
General Settingsで、測定するサンプルのBatchNo.(VPXもしくはVPAを除いた数字5桁)を記入した後、SETをクリックしてください。もし同じバッチで2つ以上のテストチップがある場合には、メッセージが表示されますので、その場合はWafer No.も入力してください。
>
>
Sample Settingsで、測定するサンプルのBatchNo.(VPXもしくはVPAを除いた数字5桁)を記入した後、SETをクリックしてください。もし同じバッチで2つ以上のテストチップがある場合には、メッセージが表示されますので、その場合はWafer No.も入力してください。
  忘れずにOperator Nameに名前を入力してください。
Line: 91 to 92
  必ず、以下の順番で測定を進めてください。ストリップ間抵抗は微妙な温度のふらつきに敏感なので、センサーの温度が十分に安定するよう、一番最後に測定します。
Changed:
<
<
(PTP測定後、Rint測定のために恒温槽が-20℃になってから1時間経過するのを待機する間にMD8のIVCV,カップリングの暗電流を測定をするように変更#20230821)
>
>
※※※※※※HVケーブルがPCB3につながっていることを確認!※※※※※※

(恒温槽が-20℃になってから測定を開始し、PTP測定後にRint測定のために1時間経過を待つ間にMD8のIVCV,カップリングの暗電流を測定をする#20230821)

 
  • バイアス抵抗(「Rbias」と書かれた緑のボタンをクリック)
デフォルトでは-5~5Vまでを0.5Vステップで測定しています。
Line: 123 to 126
  測定範囲はどちらも0~-40Vを0.2Vステップで測定します。
Added:
>
>
  • ここでMD8の測定をする
※※※※※※HVケーブルをHV-MD8に繋ぎ変えること※※※※※※
 
  • ストリップ間抵抗(必ずnonirradかirradか、適切な方が選択されていることを確認!その後、「Rint」と書かれた緑のボタンをクリック)
必ず、恒温槽の表示が-20度になってから1時間以上経過したことを確認して、測定を始めること!
Line: 219 to 225
  温湿度計のテクニカルな詳細はこちら→ 温湿度計 on Raspberry Pi
Changed:
<
<
Strip test chip QAで使っているものはラズベリーパイ(130.87.242.194)に接続されている。atlasjユーザー(パスワードは誰かに聞いてください)でログインし、~/work/stripQAにあるthermohydrometer.pyというPythonスクリプトで温湿度を読み出せる。このスクリプトは温湿度を記録・表示し続けると同時に、/var/samba/trh以下に最新の測定結果をtemp.datとして保存する。/var/sambaはWindows(130.87.243.248)のデスクトップにあるsharedというフォルダーと共有されているため、最新の温湿度をWindows側から読み出せる。
>
>
Strip test chip QAで使っているものはラズベリーパイ(130.87.242.194)に接続されている。
  • ssh -l atlasj 130.87.242.194
  • cd ~/work/stripQA
  • sh i2cget.sh
  • nohup python thermohydrometer.py
以上で、温湿度を読み出せる。このスクリプトは温湿度を記録・表示し続けると同時に、/var/samba/trh以下に最新の測定結果をtemp.datとして保存する。/var/sambaはWindows(130.87.243.248)のデスクトップにあるsharedというフォルダーと共有されているため、最新の温湿度をWindows側から読み出せる。
  設定方法は以下の通り。 --> あるタイミングでSambaでのマウントがうまく行かなくなったのと、あまり必要もないのでやめました。

Revision 292023-08-21 - AtlasjSilicon

Line: 1 to 1
 
META TOPICPARENT name="WebHome"

ITk strip QA

Line: 68 to 68
 
    1. StripQAControlGUI にて、LCR Calibrationの「Short」をクリック。
    2. Calibrationが完了すると、LCRメータのフロントパネルに、"SHORT measurement completed"が表示される。
注:それぞれのキャリブレーション後、"XXXXX measurement completed"が表示されていることを、必ず確認すること!時々、E43: measurement failedが出てしまうことがあり、その場合はキャリブレーションをやり直す必要があります。
Added:
>
>
calibration時の配線ではHV2410とHV-MD8を繋いでください
 

測定サンプルのセットアップ・冷却

  1. testChip測定用基板は、恒温槽内左の基盤。ピン番号が対応するように確認しながら、サンプルを基板に装着する。
  2. 照射済みサンプルの場合は、恒温槽を―20℃に設定・運転し、-20℃に下がってから測定は開始する。(未照射サンプルは20℃)

Revision 282023-08-21 - AtlasjSilicon

Line: 1 to 1
 
META TOPICPARENT name="WebHome"

ITk strip QA

Line: 43 to 43
 To be written.

StripQAControlGUI ソフトウェアの起動 (To be updated)

  1. WindowsマシンのメニューバーにあるVisual Studio(紫色の∞アイコン)を起動。
Changed:
<
<
  1. SiliconTestSetupApp.sln をクリックして読み込む。(full pathは c:Users\atlas\Source\Repos\SiliconTestSetupApp)
>
>
  1. SiliconTestSetupApp.sln をクリックして読み込む。(full pathは c:Users\atlas\Source\Repos\SiliconTestSetupApp_update)
 
  1. 画面中央上にある「Local Windows Debugger」をクリックし、GUIを実行します。
  2. 最初の画面でLCRメーターとソースメーターの選択画面が表示されるが、Strip QA用のデバイスはコードの中のパラメータとして設定しているので、何も選択せずにStrip QAをクリックしてください。

テストチップ測定方法

Revision 272023-08-21 - AtlasjSilicon

Line: 1 to 1
 
META TOPICPARENT name="WebHome"

ITk strip QA

Line: 67 to 67
 
    1. testChip装着用基板に、SHORTのCalibrationサンプルを装着。
    2. StripQAControlGUI にて、LCR Calibrationの「Short」をクリック。
    3. Calibrationが完了すると、LCRメータのフロントパネルに、"SHORT measurement completed"が表示される。
Changed:
<
<
注:それぞれのキャリブレーション後、"XXXXX measurement completed"が表示されていることを、必ず確認すること!時々、E43: measurement failedが出てしまうことがあり、その場合はキャリブレーションをやり直す必要があります。
>
>
注:それぞれのキャリブレーション後、"XXXXX measurement completed"が表示されていることを、必ず確認すること!時々、E43: measurement failedが出てしまうことがあり、その場合はキャリブレーションをやり直す必要があります。
 

測定サンプルのセットアップ・冷却

  1. testChip測定用基板は、恒温槽内左の基盤。ピン番号が対応するように確認しながら、サンプルを基板に装着する。
  2. 照射済みサンプルの場合は、恒温槽を―20℃に設定・運転し、-20℃に下がってから測定は開始する。(未照射サンプルは20℃)
Changed:
<
<
注:測定用基板に装着する前に、サンプル(カバーの中)を恒温槽もしくはデシケータ(窒素ガスが流れている)に入れて、表面が乾燥するまで待つこと!霜や水滴がついたままだと、HVがかかったときにサンプルを破壊してしまう場合がある。
>
>
注:測定用基板に装着する前に、サンプル(カバーの中)を恒温槽もしくはデシケータ(窒素ガスが流れている)に入れて、表面が乾燥するまで待つこと!霜や水滴がついたままだと、HVがかかったときにサンプルを破壊してしまう場合がある。
 

StripQAControlGUI のパラメータ設定

General Settingsで、測定するサンプルのBatchNo.(VPXもしくはVPAを除いた数字5桁)を記入した後、SETをクリックしてください。もし同じバッチで2つ以上のテストチップがある場合には、メッセージが表示されますので、その場合はWafer No.も入力してください。

Line: 87 to 87
  ここまで出来たら各測定に進めます。
Changed:
<
<
必ず、以下の順番で測定を進めてください。ストリップ間抵抗は微妙な温度のふらつきに敏感なので、センサーの温度が十分に安定するよう、一番最後に測定します。
>
>
必ず、以下の順番で測定を進めてください。ストリップ間抵抗は微妙な温度のふらつきに敏感なので、センサーの温度が十分に安定するよう、一番最後に測定します。

(PTP測定後、Rint測定のために恒温槽が-20℃になってから1時間経過するのを待機する間にMD8のIVCV,カップリングの暗電流を測定をするように変更#20230821)

 
  • バイアス抵抗(「Rbias」と書かれた緑のボタンをクリック)
デフォルトでは-5~5Vまでを0.5Vステップで測定しています。
Line: 99 to 101
  この測定はGUI上で測定周波数を変更することができません。
Changed:
<
<
  • ストリップ間容量(必ずnonirradかirradか、適切な方が選択されていることを確認!その後、「Cint」と書かれた緑のボタンをクリック)
>
>
  • ストリップ間容量(必ずnonirradかirradか、適切な方が選択されていることを確認!その後、「Cint」と書かれた緑のボタンをクリック)
 照射前後でバイアス抵抗が異なります。

照射前は-150V

Line: 110 to 112
  測定するサンプルの特性に合わせてパラメーターを(ボタンで)変更してください。
Changed:
<
<
  • PTP(必ずnonirradかirradか、適切な方が選択されていることを確認!その後、「PTP」と書かれた緑のボタンをクリック)
>
>
  • PTP(必ずnonirradかirradか、適切な方が選択されていることを確認!その後、「PTP」と書かれた緑のボタンをクリック)
 照射前後でバイアス抵抗が異なります。

照射前は-150V

Line: 119 to 121
  測定範囲はどちらも0~-40Vを0.2Vステップで測定します。
Changed:
<
<
  • ストリップ間抵抗(必ずnonirradかirradか、適切な方が選択されていることを確認!その後、「Rint」と書かれた緑のボタンをクリック)
>
>
  • ストリップ間抵抗(必ずnonirradかirradか、適切な方が選択されていることを確認!その後、「Rint」と書かれた緑のボタンをクリック)
 必ず、恒温槽の表示が-20度になってから1時間以上経過したことを確認して、測定を始めること!
Added:
>
>
待機中にMD8の測定を行う。カップリングの暗電流測定後に配線を戻してストリップ間抵抗を測定する。

配線,PCB3にささっているHV2410の赤タグの付いたケーブルを"HV-MD8"のタグが付いた緑色Lemoコネクタ(Iコネクタ付き)に繋ぐ#20230821

 照射前後でバイアス抵抗が異なります。

照射前は-150V

Line: 134 to 140
 
Changed:
<
<
ここまで測定が終わったら、次にMD8とカップリング漏れ電流の測定のため、基板を切りかえます。基板切り替えのために恒温槽をあける場合には、常温まで戻すこと!
>
>
ここまで測定が終わったら、次にMD8とカップリング漏れ電流の測定のため、基板を切りかえます。基板切り替えのために恒温槽をあける場合には、常温まで戻すこと

基板の切り替えなく測定できるように変更

PCB3にささっているHV2410の赤色タグの付いたケーブルを"HV-MD8"のタグが付いた緑色Lemoコネクタ(Iコネクタ付き)に繋ぐ。

 

配線

MD8を測定する際のケーブルは、以下の通り接続する。

Line: 146 to 156
 
  • MD8 D → 上のLCRメータ L_CUR (H)

Calibration

Changed:
<
<
配線を付け替えたら、再度Calibrationを行いましょう。
testChip用でなくMD8用基板を使用することと、Shortサンプルに「MD8・MOS用」の方を使う以外は、TestChipのときのCalibrationと同じやり方。
>
>
配線を付け替えたら、再度Calibrationを行いましょう。
testChip用でなくMD8用基板を使用することと、Shortサンプルに「MD8・MOS用」の方を使う以外は、TestChipのときのCalibrationと同じやり方。
  Calibrationは、常温で行う。
  1. OPEN Calibration
Line: 169 to 179
  !-->
Changed:
<
<
注:それぞれのキャリブレーション後、"XXXXX measurement completed"が表示されていることを、必ず確認すること!時々、E43: measurement failedが出てしまうことがあり、その場合はキャリブレーションをやり直す必要があります。
>
>
注:それぞれのキャリブレーション後、"XXXXX measurement completed"が表示されていることを、必ず確認すること!時々、E43: measurement failedが出てしまうことがあり、その場合はキャリブレーションをやり直す必要があります。
 
Changed:
<
<
キャリブレーションが終わったら、サンプルを基板に装着する。照射サンプルの場合は、-20度に冷やす。
>
>
キャリブレーションが終わったら、サンプルを基板に装着する。照射サンプルの場合は、-20度に冷やす。
 

カップリング漏れ電流、MD8の測定

MD8のIVCV

Changed:
<
<
  1. HV2410ケーブルを”MD8・MOS”レモケーブルにつながっていることを確認してください。
    CCPL IVにつながっているとチップを壊してしまうので、かならず配線を確認すること!
>
>
  1. HV2410ケーブルを”MD8・MOS”レモケーブルにつながっていることを確認してください。
    CCPL IVにつながっているとチップを壊してしまうので、かならず配線を確認すること!
 
  1. GUIで、”MD8”をクリックする。
    1. 0~-500Vを10Vステップで測定します。
    2. 電流、静電容量、複素インピーダンスの絶対値が記録されます。
Line: 183 to 193
 必ず、恒温槽の表示が-20度になってから1時間以上経過したことを確認して、測定を始めること!
  1. HV2410ケーブルが、”CCPL IV”LEMOケーブルにつながっていることを必ず確認する。
  2. GUIで、”Ccpl_leak”をクリック。
Changed:
<
<
    1. 0~10Vまでは0.5Vステップ、0~100Vまで5Vステップで、カップリング部に電圧をかけたときの暗電流を測定します。
>
>
    1. 0~10Vまでは0.5Vステップ、0~100Vまで5Vステップで、カップリング部に電圧をかけたときの暗電流を測定します。

ここまで終了したら"HV-MD8"に繋いだHV2410をPCB3に戻してRintの測定を行う。

 

酸化膜容量(QA測定からは除外) 

注:酸化膜容量の測定は、陽子照射後にはうまくできないことがわかったので、やらないことになっています。

Revision 262023-07-27 - ShigekiHirose

Line: 1 to 1
 
META TOPICPARENT name="WebHome"

ITk strip QA

Line: 74 to 74
 注:測定用基板に装着する前に、サンプル(カバーの中)を恒温槽もしくはデシケータ(窒素ガスが流れている)に入れて、表面が乾燥するまで待つこと!霜や水滴がついたままだと、HVがかかったときにサンプルを破壊してしまう場合がある。

StripQAControlGUI のパラメータ設定

Changed:
<
<
General Settingsで、測定するサンプルのBatchNo.(VPXを除いた数字5桁)を記入してください。
>
>
General Settingsで、測定するサンプルのBatchNo.(VPXもしくはVPAを除いた数字5桁)を記入した後、SETをクリックしてください。もし同じバッチで2つ以上のテストチップがある場合には、メッセージが表示されますので、その場合はWafer No.も入力してください。
 
Changed:
<
<
OperatorName,RunNo.を記入した後、SETをクリックしてください。
>
>
忘れずにOperator Nameに名前を入力してください。
  以下のスプレッドシートを開き、WaferNo.やSerialNo.が正しいものになっているかを確認してください。

https://docs.google.com/spreadsheets/d/1mlUcnUTPKlGmD6PUIn9hh5Zky5EJmUY1wDjHUVpYtlU/edit#gid=0

間違っていたり、うまく表示されない場合は、手入力で変更してください。

Deleted:
<
<
もしRunNo.に重複がある場合、自動でファイル名を変更し、重複を回避するようになっています。
 

バイアス抵抗、カップリング容量、ストリップ間容量/抵抗、PTP測定

ここまで出来たら各測定に進めます。

必ず、以下の順番で測定を進めてください。ストリップ間抵抗は微妙な温度のふらつきに敏感なので、センサーの温度が十分に安定するよう、一番最後に測定します。

Changed:
<
<
  • バイアス抵抗
>
>
  • バイアス抵抗(「Rbias」と書かれた緑のボタンをクリック)
 デフォルトでは-5~5Vまでを0.5Vステップで測定しています。

測定可能な抵抗3つすべての電流値が記録されます。

Changed:
<
<
  • カップリング容量
>
>
  • カップリング容量(「Ccpl」と書かれた緑のボタンをクリック)
 1kHzでの静電容量と複素インピーダンスの絶対値が記録されます。

この測定はGUI上で測定周波数を変更することができません。

Changed:
<
<
  • ストリップ間容量
>
>
  • ストリップ間容量(必ずnonirradかirradか、適切な方が選択されていることを確認!その後、「Cint」と書かれた緑のボタンをクリック)
 照射前後でバイアス抵抗が異なります。

照射前は-150V

Line: 112 to 110
  測定するサンプルの特性に合わせてパラメーターを(ボタンで)変更してください。
Changed:
<
<
  • PTP
>
>
  • PTP(必ずnonirradかirradか、適切な方が選択されていることを確認!その後、「PTP」と書かれた緑のボタンをクリック)
 照射前後でバイアス抵抗が異なります。

照射前は-150V

Line: 121 to 119
  測定範囲はどちらも0~-40Vを0.2Vステップで測定します。
Changed:
<
<
  • ストリップ間抵抗
>
>
  • ストリップ間抵抗(必ずnonirradかirradか、適切な方が選択されていることを確認!その後、「Rint」と書かれた緑のボタンをクリック)
 必ず、恒温槽の表示が-20度になってから1時間以上経過したことを確認して、測定を始めること!

照射前後でバイアス抵抗が異なります。

Line: 136 to 134
 
Changed:
<
<
ここまで測定が終わったら、次にMD8とカップリング漏れ電流の測定のため、基板を切りかえます。
>
>
ここまで測定が終わったら、次にMD8とカップリング漏れ電流の測定のため、基板を切りかえます。基板切り替えのために恒温槽をあける場合には、常温まで戻すこと!
 

配線

MD8を測定する際のケーブルは、以下の通り接続する。

  • HV2410 →はじめ、Calibrationのために、"MD8・MOS"LEMOケーブルにつなぐ。
    • 冷却後の測定時に、"MD8・MOS" または”Ccpl IV”に測定項目によって繋ぎ変える。両方ともオレンジのLEMOケーブル。
Changed:
<
<
  • MD8 A → 上のLCRメータ H_CUR
  • MD8 B → 上のLCRメータ H_POT
  • MD8 C → 上のLCRメータ L_POT
  • MD8 D → 上のLCRメータ L_CUR
>
>
  • MD8 A → 上のLCRメータ H_CUR (E)
  • MD8 B → 上のLCRメータ H_POT (F)
  • MD8 C → 上のLCRメータ L_POT (G)
  • MD8 D → 上のLCRメータ L_CUR (H)
 

Calibration

配線を付け替えたら、再度Calibrationを行いましょう。
testChip用でなくMD8用基板を使用することと、Shortサンプルに「MD8・MOS用」の方を使う以外は、TestChipのときのCalibrationと同じやり方。

Line: 173 to 171
  注:それぞれのキャリブレーション後、"XXXXX measurement completed"が表示されていることを、必ず確認すること!時々、E43: measurement failedが出てしまうことがあり、その場合はキャリブレーションをやり直す必要があります。
Changed:
<
<
キャリブレーションが終わったら、サンプルを基板に装着する。
>
>
キャリブレーションが終わったら、サンプルを基板に装着する。照射サンプルの場合は、-20度に冷やす。
 

カップリング漏れ電流、MD8の測定

MD8のIVCV

  1. HV2410ケーブルを”MD8・MOS”レモケーブルにつながっていることを確認してください。
    CCPL IVにつながっているとチップを壊してしまうので、かならず配線を確認すること!

Revision 252023-06-18 - ShigekiHirose

Line: 1 to 1
 
META TOPICPARENT name="WebHome"

ITk strip QA

Under construction.

Changed:
<
<
-- Shigeki Hirose - 2020-08-19
>
>
-- Shigeki Hirose - 2020-08-19
 

QAシステム概要

TestChip+MD8(Halfmoon)で測定する8項目の測定ができるシステムです。

Line: 45 to 45
 
  1. WindowsマシンのメニューバーにあるVisual Studio(紫色の∞アイコン)を起動。
  2. SiliconTestSetupApp.sln をクリックして読み込む。(full pathは c:Users\atlas\Source\Repos\SiliconTestSetupApp)
  3. 画面中央上にある「Local Windows Debugger」をクリックし、GUIを実行します。
Changed:
<
<
  1. 最初の画面でLCRメーターとソースメーターの選択画面が表示されるので、使用する機械を選択(Setを緑に)したのち、StripQAをクリックします。
    • 7つの認識されている機器全部をSetすればよい。
>
>
  1. 最初の画面でLCRメーターとソースメーターの選択画面が表示されるが、Strip QA用のデバイスはコードの中のパラメータとして設定しているので、何も選択せずにStrip QAをクリックしてください。
 

テストチップ測定方法

配線

Line: 64 to 63
 
    1. StripQAControlGUI にて、LCR Calibrationの「Open」をクリック。
    2. Calibrationが完了すると、LCRメータのフロントパネルに、"OPEN measurement completed"が表示される。
      1. 失敗した時は、もう一度走らせてみる。
Changed:
<
<
  1. SHORT Calibtation
>
>
  1. SHORT Calibtation
 
    1. testChip装着用基板に、SHORTのCalibrationサンプルを装着。
    2. StripQAControlGUI にて、LCR Calibrationの「Short」をクリック。
    3. Calibrationが完了すると、LCRメータのフロントパネルに、"SHORT measurement completed"が表示される。
Added:
>
>
注:それぞれのキャリブレーション後、"XXXXX measurement completed"が表示されていることを、必ず確認すること!時々、E43: measurement failedが出てしまうことがあり、その場合はキャリブレーションをやり直す必要があります。
 

測定サンプルのセットアップ・冷却

Changed:
<
<
  1. testChip測定用基板は、恒温槽内左の基盤。ピン番号が対応するように確認しながら、サンプルを基盤に装着する。
  2. 恒温槽を―20℃に設定・運転し、-20℃に下がってから測定は開始する。
>
>
  1. testChip測定用基板は、恒温槽内左の基盤。ピン番号が対応するように確認しながら、サンプルを基板に装着する。
  2. 照射済みサンプルの場合は、恒温槽を―20℃に設定・運転し、-20℃に下がってから測定は開始する。(未照射サンプルは20℃)
注:測定用基板に装着する前に、サンプル(カバーの中)を恒温槽もしくはデシケータ(窒素ガスが流れている)に入れて、表面が乾燥するまで待つこと!霜や水滴がついたままだと、HVがかかったときにサンプルを破壊してしまう場合がある。
 

StripQAControlGUI のパラメータ設定

General Settingsで、測定するサンプルのBatchNo.(VPXを除いた数字5桁)を記入してください。

Line: 79 to 80
  以下のスプレッドシートを開き、WaferNo.やSerialNo.が正しいものになっているかを確認してください。
Changed:
<
<
https://docs.google.com/spreadsheets/d/1mlUcnUTPKlGmD6PUIn9hh5Zky5EJmUY1wDjHUVpYtlU/edit#gid=0
>
>
https://docs.google.com/spreadsheets/d/1mlUcnUTPKlGmD6PUIn9hh5Zky5EJmUY1wDjHUVpYtlU/edit#gid=0
  間違っていたり、うまく表示されない場合は、手入力で変更してください。

もしRunNo.に重複がある場合、自動でファイル名を変更し、重複を回避するようになっています。

Changed:
<
<
(各測定の測定中にDataFilePathボタンを押すと、現在測定中のデータのファイル名が表示されます。解析やログの記録の際に活用してください。)

測定

>
>

バイアス抵抗、カップリング容量、ストリップ間容量/抵抗、PTP測定

  ここまで出来たら各測定に進めます。
Changed:
<
<
各測定が完了した時に、データファイル(テキストファイル)をメモ帳などで開いてみて、ちゃんと中身があることを確認してください。過去に、空ファイルが生成されていただけだったことが何度かありました。
>
>
必ず、以下の順番で測定を進めてください。ストリップ間抵抗は微妙な温度のふらつきに敏感なので、センサーの温度が十分に安定するよう、一番最後に測定します。
 
  • バイアス抵抗
デフォルトでは-5~5Vまでを0.5Vステップで測定しています。
Line: 102 to 101
  この測定はGUI上で測定周波数を変更することができません。
Changed:
<
<
  • ストリップ間抵抗
>
>
  • ストリップ間容量
 照射前後でバイアス抵抗が異なります。

照射前は-150V

照射後は-500V

Changed:
<
<
測定範囲はどちらも-5~5Vを0.1Vステップで測定します。
>
>
測定は、100kHzでの静電容量を測り、静電容量と複素インピーダンスの絶対値が記録されます。
  測定するサンプルの特性に合わせてパラメーターを(ボタンで)変更してください。
Changed:
<
<
  • ストリップ間容量
>
>
  • PTP
 照射前後でバイアス抵抗が異なります。

照射前は-150V

照射後は-500V

Changed:
<
<
測定は、100kHzでの静電容量を測り、静電容量と複素インピーダンスの絶対値が記録されます。
>
>
測定範囲はどちらも0~-40Vを0.2Vステップで測定します。
 
Changed:
<
<
測定するサンプルの特性に合わせてパラメーターを(ボタンで)変更してください。
>
>
  • ストリップ間抵抗
必ず、恒温槽の表示が-20度になってから1時間以上経過したことを確認して、測定を始めること!
 
Deleted:
<
<
  • PTP
 照射前後でバイアス抵抗が異なります。

照射前は-150V

照射後は-500V

Changed:
<
<
測定範囲はどちらも0~-40Vを0.2Vステップで測定します。

MD8測定方法

>
>
測定範囲はどちらも-5~5Vを0.1Vステップで測定します。

測定するサンプルの特性に合わせてパラメーターを(ボタンで)変更してください。


ここまで測定が終わったら、次にMD8とカップリング漏れ電流の測定のため、基板を切りかえます。

 

配線

MD8を測定する際のケーブルは、以下の通り接続する。

Line: 167 to 171
  !-->
Changed:
<
<

サンプルの装着

  1. 測定用基板に装着する前に、サンプル(カバーの中)に窒素ガスに流して霜をよく飛ばす霜がついていると、HVがかかったときにサンプルを破壊してしまう場合がある。
  2. MD8用基板に測定サンプルを装着する。

測定

>
>
注:それぞれのキャリブレーション後、"XXXXX measurement completed"が表示されていることを、必ず確認すること!時々、E43: measurement failedが出てしまうことがあり、その場合はキャリブレーションをやり直す必要があります。

キャリブレーションが終わったら、サンプルを基板に装着する。

カップリング漏れ電流、MD8の測定

MD8のIVCV

  1. HV2410ケーブルを”MD8・MOS”レモケーブルにつながっていることを確認してください。
    CCPL IVにつながっているとチップを壊してしまうので、かならず配線を確認すること!
  2. GUIで、”MD8”をクリックする。
    1. 0~-500Vを10Vステップで測定します。
    2. 電流、静電容量、複素インピーダンスの絶対値が記録されます。
 

カップリングの暗電流

Added:
>
>
必ず、恒温槽の表示が-20度になってから1時間以上経過したことを確認して、測定を始めること!
 
  1. HV2410ケーブルが、”CCPL IV”LEMOケーブルにつながっていることを必ず確認する。
  2. GUIで、”Ccpl_leak”をクリック。
    1. 0~10Vまでは0.5Vステップ、0~100Vまで5Vステップで、カップリング部に電圧をかけたときの暗電流を測定します。
Changed:
<
<

酸化膜容量 

>
>

酸化膜容量(QA測定からは除外) 

注:酸化膜容量の測定は、陽子照射後にはうまくできないことがわかったので、やらないことになっています。

  二枚目の基板、MOS HVにTestVからつながるケーブルがつながっていることを確認してください。
Line: 190 to 203
 どちらも静電容量と複素インピーダンスの絶対値が記録されます。

サンプルの特性に合わせてパラメーターを変更してください。

Deleted:
<
<

MD8のIVCV

  1. HV2410ケーブルを”MD8・MOS”レモケーブルにつながっていることを確認してください。
    CCPL IVにつながっているとチップを壊してしまうので、かならず配線を確認すること!
  2. GUIで、”MD8”をクリックする。
    1. 0~-500Vを10Vステップで測定します。
    2. 電流、静電容量、複素インピーダンスの絶対値が記録されます。
 

温湿度計について

温湿度計のテクニカルな詳細はこちら→ 温湿度計 on Raspberry Pi

Strip test chip QAで使っているものはラズベリーパイ(130.87.242.194)に接続されている。atlasjユーザー(パスワードは誰かに聞いてください)でログインし、~/work/stripQAにあるthermohydrometer.pyというPythonスクリプトで温湿度を読み出せる。このスクリプトは温湿度を記録・表示し続けると同時に、/var/samba/trh以下に最新の測定結果をtemp.datとして保存する。/var/sambaはWindows(130.87.243.248)のデスクトップにあるsharedというフォルダーと共有されているため、最新の温湿度をWindows側から読み出せる。

Changed:
<
<
設定方法は以下の通り。
>
>
設定方法は以下の通り。 --> あるタイミングでSambaでのマウントがうまく行かなくなったのと、あまり必要もないのでやめました。
  [Windows側]
Changed:
<
<
1. 共有フォルダ―を作る。例えばsharedというフォルダーを作り、右クリック→プロパティから共有設定をする。参考→ https://pc-karuma.net/windows-10-share-files-folders/
>
>
1. 共有フォルダ―を作る。例えばsharedというフォルダーを作り、右クリック→プロパティから共有設定をする。参考→ https://pc-karuma.net/windows-10-share-files-folders/
  ネットワークとかの設定をしなきゃダメかも(色々試行錯誤したので、どれが必要でどれが必要じゃなかったのかわかりません。。。)
Line: 244 to 251
 

測定ログ

8月 (QAMeasurementLog202008)

Added:
>
>
以後はE-logへ → Strip E-log
 

マニュアルなど

  • ソースメーター
Changed:
<
<
      • Datasheet: https://www.tek.com/document/specification/models-2410-and-2410-c-sourcemeter-specifications-rev-d
      • Manual: https://download.tek.com/manual/2410_902_01B.pdf
>
>
 
    • Keythley Model 486 Pico Ammeter
Changed:
<
<
      • Manual: https://bee.mif.pg.gda.pl/ciasteczkowypotwor/Keithley/KEI%20486,%20487%20Instruction.pdf
>
>
 
    • Keythley Model 6517A Electrometer/High Resistance Meter
Changed:
<
<
      • Datasheet: http://www.testequipmenthq.com/datasheets/KEITHLEY-6517A-Datasheet.pdf
      • Manual: https://www.tek.com/manual/model-6517a-electrometer-high-resistance-meter-getting-started-manual-rev-b
>
>
 
      • Keithley エラーメッセージマニュアル
Changed:
<
<
        • http://ena.support.keysight.com/e5071c/manuals/webhelp/jpn/product_information/error_messages/error_messages.htm
>
>
 
Added:
>
>
 

参考資料

Line: 271 to 282
 
Added:
>
>
 
  • ATLAS-J-ITk

Revision 232022-03-02 - AtlasjSilicon

Line: 1 to 1
 
META TOPICPARENT name="WebHome"

ITk strip QA

Line: 42 to 42
 
  1. (右)MD8測定用基板―カップリングの暗電流、酸化膜容量、MD8のIVCV測定
To be written.

StripQAControlGUI ソフトウェアの起動 (To be updated)

Changed:
<
<
デスクトップにあるショートカット「StripQA」をダブルクリックし、ソリューションを開きます。

画面中央上にある「Local Windows Debugger」をクリックし、GUIを実行します。

最初の画面でLCRメーターとソースメーターの選択画面が表示されるので、使用する機械を選択(Setを緑に)したのち、StripQAをクリックします。

>
>
  1. WindowsマシンのメニューバーにあるVisual Studio(紫色の∞アイコン)を起動。
  2. SiliconTestSetupApp.sln をクリックして読み込む。(full pathは c:Users\atlas\Source\Repos\SiliconTestSetupApp)
  3. 画面中央上にある「Local Windows Debugger」をクリックし、GUIを実行します。
  4. 最初の画面でLCRメーターとソースメーターの選択画面が表示されるので、使用する機械を選択(Setを緑に)したのち、StripQAをクリックします。
    • 7つの認識されている機器全部をSetすればよい。
 

テストチップ測定方法

配線

Line: 90 to 89
 

測定

ここまで出来たら各測定に進めます。

Added:
>
>
各測定が完了した時に、データファイル(テキストファイル)をメモ帳などで開いてみて、ちゃんと中身があることを確認してください。過去に、空ファイルが生成されていただけだったことが何度かありました。
 
  • バイアス抵抗
デフォルトでは-5~5Vまでを0.5Vステップで測定しています。

Revision 222022-02-25 - AtlasjSilicon

Line: 1 to 1
 
META TOPICPARENT name="WebHome"

ITk strip QA

Line: 134 to 134
 

配線

MD8を測定する際のケーブルは、以下の通り接続する。

Changed:
<
<
  • HV2410 →はじめ、"Ccpl IV"LEMOケーブルにつなぐ。
    • "MD8・MOS" または”Ccpl IV”に測定項目によって繋ぎ変える。両方ともオレンジのLEMOケーブル。
>
>
  • HV2410 →はじめ、Calibrationのために、"MD8・MOS"LEMOケーブルにつなぐ。
    • 冷却後の測定時に、"MD8・MOS" または”Ccpl IV”に測定項目によって繋ぎ変える。両方ともオレンジのLEMOケーブル。
 
  • MD8 A → 上のLCRメータ H_CUR
  • MD8 B → 上のLCRメータ H_POT
  • MD8 C → 上のLCRメータ L_POT
  • MD8 D → 上のLCRメータ L_CUR

Calibration

Changed:
<
<
配線を付け替えたら、再度Calibrationを行いましょう。やり方は、TestChipのときのCalibrationと同じ。
>
>
配線を付け替えたら、再度Calibrationを行いましょう。
testChip用でなくMD8用基板を使用することと、Shortサンプルに「MD8・MOS用」の方を使う以外は、TestChipのときのCalibrationと同じやり方。
  Calibrationは、常温で行う。
  1. OPEN Calibration
Changed:
<
<
    1. testChip装着用基板に、OPEN(何も書いていない方)のCalibrationサンプルを装着。
>
>
    1. MD8装着用基板に、OPEN(何も書いていない方)のCalibrationサンプルを装着。
 
    1. StripQAControlGUI にて、LCR Calibrationの「Open」をクリック。
    2. Calibrationが完了すると、LCRメータのフロントパネルに、"OPEN measurement completed"が表示される。
      1. 失敗した時は、もう一度走らせてみる。
  1. SHORT Calibtation
Changed:
<
<
    1. testChip装着用基板に、SHORTのCalibrationサンプルを装着。
>
>
    1. MD8装着用基板に、SHORTのCalibrationサンプルを装着。
 
    1. StripQAControlGUI にて、LCR Calibrationの「Short」をクリック。
    2. Calibrationが完了すると、LCRメータのフロントパネルに、"SHORT measurement completed"が表示される。
Line: 166 to 166
 !-->

サンプルの装着

Changed:
<
<
  1. 測定用基板に装着する前に、サンプル(カバーの中)に窒素ガスに流して霜をよく飛ばす。霜がついていると、HVがかかったときにサンプルを破壊してしまう場合がある。
>
>
  1. 測定用基板に装着する前に、サンプル(カバーの中)に窒素ガスに流して霜をよく飛ばす霜がついていると、HVがかかったときにサンプルを破壊してしまう場合がある。
 
  1. MD8用基板に測定サンプルを装着する。

測定

カップリングの暗電流

Line: 189 to 189
  サンプルの特性に合わせてパラメーターを変更してください。

MD8のIVCV

Changed:
<
<
  1. HV2410ケーブルを”MD8・MOS”レモケーブルにつながっていることを確認してください。
>
>
  1. HV2410ケーブルを”MD8・MOS”レモケーブルにつながっていることを確認してください。
    CCPL IVにつながっているとチップを壊してしまうので、かならず配線を確認すること!
 
  1. GUIで、”MD8”をクリックする。
    1. 0~-500Vを10Vステップで測定します。
    2. 電流、静電容量、複素インピーダンスの絶対値が記録されます。

Revision 212022-02-22 - ShigekiHirose

Line: 1 to 1
 
META TOPICPARENT name="WebHome"

ITk strip QA

Line: 281 to 285
 
Added:
>
>
 

メモ

Revision 202022-02-17 - AtlasjSilicon

Line: 1 to 1
 
META TOPICPARENT name="WebHome"

ITk strip QA

Line: 15 to 15
  すべての測定には最低でもPC、LCRメーター2台、ソースメーター2台、スイッチ操作装置(TUSB-PIO)、Raspiを用いた温度計システムと測定サンプルを装着する基盤が必要です。
Changed:
<
<
To be written.

測定方法

測定開始前にすること

LCRメーターのcalibration

サンプル以外のセットアップをすべてつなげた状態で、calibration用の基盤を設置します。

LCRメーターのMENUにあるMEAS SETUPボタンを押し、画面に表示されるCORRECTIONに対応するボタンを押します。

カーソルをOPEN/SHORT(自分が設置した基板の種類)にあわせ、MEAS OPEN/SHORTを押すとcalibrationが始まります。

>
>
B4奥クリーンルームのデスク、左のWindowsマシン上で、StripQAControlGUIソフトウェアから機器を操作して測定する。
 
Changed:
<
<
LCRメーター2台とも、OPEN、SHORT2種類のcalibrationを行ってください。

calibrationが終わったら、測定したいサンプルを取り付けてください。

>
>
テストチップの測定サイクルは、
  1. 配線を繋ぎ変え・確認
  2. LCRメータのキャリブレーション
  3. サンプルをtestChip用基盤に装着
  4. -20℃に冷却
  5. HVが問題なくかかるかどうか、手動でチェック
  6. 測定 (5項目:バイアス抵抗、カップリング容量、ストリップ間抵抗、ストリップ間容量、PTP作動)
  7. 常温に戻し、テストチップをしまう
MD8の測定サイクルは、
  1. 配線を繋ぎ変え・確認
  2. LCRメータのキャリブレーション
  3. サンプルをMD8用基盤に装着
  4. -20℃に冷却
  5. Ccpl測定
  6. HVケーブルをつなぎ変え
  7. CMOS 酸化膜容量測定
  8. MD8測定
  9. 常温に戻し、テストチップをしまう

測定サンプルを装着する基盤

恒温槽内に2つの測定サンプル装着用基板がある。

  1. (左)テストチップ測定用基板―バイアス抵抗、カップリング容量、ストリップ間抵抗、ストリップ間容量、PTP作動
  2. (右)MD8測定用基板―カップリングの暗電流、酸化膜容量、MD8のIVCV測定
To be written.

StripQAControlGUI ソフトウェアの起動 (To be updated)

  デスクトップにあるショートカット「StripQA」をダブルクリックし、ソリューションを開きます。

画面中央上にある「Local Windows Debugger」をクリックし、GUIを実行します。

最初の画面でLCRメーターとソースメーターの選択画面が表示されるので、使用する機械を選択(Setを緑に)したのち、StripQAをクリックします。

Added:
>
>

テストチップ測定方法

配線

テストチップを測定する際のケーブルは、以下の通り接続する。

  • HV2410 → ITk Strip Teg Boardの”Vtest”
  • CCPL A → 上のLCRメータ H_CUR
  • CCPL B → 上のLCRメータ H_POT
  • CCPL C → 上のLCRメータ L_POT
  • CCPL D → 上のLCRメータ L_CUR

LCRメーターのcalibration

Calibrationは、常温で行う。

  1. OPEN Calibration
    1. testChip装着用基板に、OPEN(何も書いていない方)のCalibrationサンプルを装着。
    2. StripQAControlGUI にて、LCR Calibrationの「Open」をクリック。
    3. Calibrationが完了すると、LCRメータのフロントパネルに、"OPEN measurement completed"が表示される。
      1. 失敗した時は、もう一度走らせてみる。
  2. SHORT Calibtation
    1. testChip装着用基板に、SHORTのCalibrationサンプルを装着。
    2. StripQAControlGUI にて、LCR Calibrationの「Short」をクリック。
    3. Calibrationが完了すると、LCRメータのフロントパネルに、"SHORT measurement completed"が表示される。

測定サンプルのセットアップ・冷却

  1. testChip測定用基板は、恒温槽内左の基盤。ピン番号が対応するように確認しながら、サンプルを基盤に装着する。
  2. 恒温槽を―20℃に設定・運転し、-20℃に下がってから測定は開始する。

StripQAControlGUI のパラメータ設定

  General Settingsで、測定するサンプルのBatchNo.(VPXを除いた数字5桁)を記入してください。
Line: 50 to 86
  もしRunNo.に重複がある場合、自動でファイル名を変更し、重複を回避するようになっています。
Changed:
<
<
各測定の測定中にDataFilePathボタンを押すと、現在測定中のデータのファイル名が表示されます。

解析やログの記録の際に活用してください。

>
>
(各測定の測定中にDataFilePathボタンを押すと、現在測定中のデータのファイル名が表示されます。解析やログの記録の際に活用してください。)

測定

  ここまで出来たら各測定に進めます。
  • バイアス抵抗
Line: 95 to 130
 照射後は-500V

測定範囲はどちらも0~-40Vを0.2Vステップで測定します。

Added:
>
>

MD8測定方法

配線

 
Changed:
<
<
この先の測定をする場合は、別の基盤に付け替える必要があります
>
>
MD8を測定する際のケーブルは、以下の通り接続する。
  • HV2410 →はじめ、"Ccpl IV"LEMOケーブルにつなぐ。
    • "MD8・MOS" または”Ccpl IV”に測定項目によって繋ぎ変える。両方ともオレンジのLEMOケーブル。
  • MD8 A → 上のLCRメータ H_CUR
  • MD8 B → 上のLCRメータ H_POT
  • MD8 C → 上のLCRメータ L_POT
  • MD8 D → 上のLCRメータ L_CUR

Calibration

配線を付け替えたら、再度Calibrationを行いましょう。やり方は、TestChipのときのCalibrationと同じ。

Calibrationは、常温で行う。

  1. OPEN Calibration
    1. testChip装着用基板に、OPEN(何も書いていない方)のCalibrationサンプルを装着。
    2. StripQAControlGUI にて、LCR Calibrationの「Open」をクリック。
    3. Calibrationが完了すると、LCRメータのフロントパネルに、"OPEN measurement completed"が表示される。
      1. 失敗した時は、もう一度走らせてみる。
  2. SHORT Calibtation
    1. testChip装着用基板に、SHORTのCalibrationサンプルを装着。
    2. StripQAControlGUI にて、LCR Calibrationの「Short」をクリック。
    3. Calibrationが完了すると、LCRメータのフロントパネルに、"SHORT measurement completed"が表示される。
 
Changed:
<
<
別の基板に付け替えたら、再度Calibrationを行いましょう。
>
>
<!--
  Calibrationの前に、Local Windows Debuggerを押して最初に出てくるGUIにあるTUSB Formのボタンをクリックし、スイッチ操作用GUIを起動してください。
Line: 106 to 163
  最初と同じ方法でCalibrationをしてください。
Changed:
<
<
  • カップリングの暗電流

二枚目の基板、LEMO0にTestVからつながるケーブルがつながっていることを確認してください。

>
>
!-->
 
Changed:
<
<
0~10Vまでは0.5Vステップ、0~100Vまで5Vステップで、カップリング部に電圧をかけたときの暗電流を測定します。
>
>

サンプルの装着

  1. 測定用基板に装着する前に、サンプル(カバーの中)に窒素ガスに流して霜をよく飛ばす。霜がついていると、HVがかかったときにサンプルを破壊してしまう場合がある。
  2. MD8用基板に測定サンプルを装着する。

測定

カップリングの暗電流

  1. HV2410ケーブルが、”CCPL IV”LEMOケーブルにつながっていることを必ず確認する。
  2. GUIで、”Ccpl_leak”をクリック。
    1. 0~10Vまでは0.5Vステップ、0~100Vまで5Vステップで、カップリング部に電圧をかけたときの暗電流を測定します。

酸化膜容量 

 
Deleted:
<
<
  • 酸化膜容量
 二枚目の基板、MOS HVにTestVからつながるケーブルがつながっていることを確認してください。

照射前後で測定が異なります

Line: 126 to 188
 どちらも静電容量と複素インピーダンスの絶対値が記録されます。

サンプルの特性に合わせてパラメーターを変更してください。

Changed:
<
<
  • MD8のIVCV

二枚目の基板、MOS HVにTestVからつながるケーブルがつながっていることを確認してください。

0~-500Vを10Vステップで測定します。

電流、静電容量、複素インピーダンスの絶対値が記録されます。

>
>

MD8のIVCV

  1. HV2410ケーブルを”MD8・MOS”レモケーブルにつながっていることを確認してください。
  2. GUIで、”MD8”をクリックする。
    1. 0~-500Vを10Vステップで測定します。
    2. 電流、静電容量、複素インピーダンスの絶対値が記録されます。
 

温湿度計について

Line: 215 to 276
 
Added:
>
>
 
  • Strip sensor meeting
Added:
>
>
  \ No newline at end of file
Added:
>
>

メモ

佐藤が編集するまえのバージョン:r19

META FILEATTACHMENT attachment="IMG_4750.jpeg" attr="" comment="恒温槽の中。左から順に、testChip測定用基板、MD8測定用基板、CCE測定セットアップ。" date="1645078948" name="IMG_4750.jpeg" path="IMG_4750.jpeg" size="857206" user="AtlasjSilicon" version="1"

Revision 192022-02-14 - ShigekiHirose

Line: 1 to 1
 
META TOPICPARENT name="WebHome"

ITk strip QA

Line: 213 to 209
 
Added:
>
>
 

Revision 182022-02-07 - ShigekiHirose

Line: 1 to 1
 
META TOPICPARENT name="WebHome"

ITk strip QA

Under construction.

Changed:
<
<
-- Shigeki Hirose - 2020-08-19
>
>
-- Shigeki Hirose - 2020-08-19
 

QAシステム概要

TestChip+MD8(Halfmoon)で測定する8項目の測定ができるシステムです。

Line: 44 to 44
  以下のスプレッドシートを開き、WaferNo.やSerialNo.が正しいものになっているかを確認してください。
Changed:
<
<
https://docs.google.com/spreadsheets/d/1mlUcnUTPKlGmD6PUIn9hh5Zky5EJmUY1wDjHUVpYtlU/edit#gid=0
>
>
https://docs.google.com/spreadsheets/d/1mlUcnUTPKlGmD6PUIn9hh5Zky5EJmUY1wDjHUVpYtlU/edit#gid=0
  間違っていたり、うまく表示されない場合は、手入力で変更してください。
Line: 145 to 145
  [Windows側]
Changed:
<
<
1. 共有フォルダ―を作る。例えばsharedというフォルダーを作り、右クリック→プロパティから共有設定をする。参考→ https://pc-karuma.net/windows-10-share-files-folders/
>
>
1. 共有フォルダ―を作る。例えばsharedというフォルダーを作り、右クリック→プロパティから共有設定をする。参考→ https://pc-karuma.net/windows-10-share-files-folders/
  ネットワークとかの設定をしなきゃダメかも(色々試行錯誤したので、どれが必要でどれが必要じゃなかったのかわかりません。。。)
Line: 186 to 190
 

マニュアルなど

  • ソースメーター
Changed:
<
<
>
>
      • Datasheet: https://www.tek.com/document/specification/models-2410-and-2410-c-sourcemeter-specifications-rev-d
      • Manual: https://download.tek.com/manual/2410_902_01B.pdf
 
    • Keythley Model 486 Pico Ammeter
Changed:
<
<
>
>
      • Manual: https://bee.mif.pg.gda.pl/ciasteczkowypotwor/Keithley/KEI%20486,%20487%20Instruction.pdf
 
    • Keythley Model 6517A Electrometer/High Resistance Meter
Changed:
<
<
>
>
      • Datasheet: http://www.testequipmenthq.com/datasheets/KEITHLEY-6517A-Datasheet.pdf
      • Manual: https://www.tek.com/manual/model-6517a-electrometer-high-resistance-meter-getting-started-manual-rev-b
 
      • Keithley エラーメッセージマニュアル
Changed:
<
<
>
>
        • http://ena.support.keysight.com/e5071c/manuals/webhelp/jpn/product_information/error_messages/error_messages.htm
 

参考資料

Changed:
<
<
>
>
 
Changed:
<
<
>
>
 
Line: 220 to 221
 
Deleted:
<
<

Revision 162021-02-10 - ShigekiHirose

Line: 1 to 1
 
META TOPICPARENT name="WebHome"

ITk strip QA

Line: 217 to 221
 
Deleted:
<
<
*
 \ No newline at end of file
Added:
>
>
 \ No newline at end of file

Revision 152020-11-16 - ShigekiHirose

Line: 1 to 1
 
META TOPICPARENT name="WebHome"

ITk strip QA

Line: 218 to 214
  \ No newline at end of file
Added:
>
>
 \ No newline at end of file

Revision 142020-11-16 - ShigekiHirose

Line: 1 to 1
 
META TOPICPARENT name="WebHome"

ITk strip QA

Line: 209 to 213
  \ No newline at end of file
Added:
>
>
 \ No newline at end of file

Revision 132020-11-03 - ShigekiHirose

Line: 1 to 1
 
META TOPICPARENT name="WebHome"

ITk strip QA

Line: 210 to 206
 
Added:
>
>
    • QAドキュメント(2020/11/03時点の最新版)https://indico.cern.ch/event/964058/#sc-66-8-document-on-test-chip
  \ No newline at end of file

Revision 122020-10-26 - ShigekiHirose

Line: 1 to 1
 
META TOPICPARENT name="WebHome"

ITk strip QA

Line: 158 to 159
 $ sudo apt install samba $ sudo apt install winbind $ sudo apt install libnss-winbind
Changed:
<
<
$ sudo apt install sama-client
>
>
$ sudo apt install samba-client
  2. smbuserというユーザーを作り、共有フォルダ―へのアクセスを許可する。
Added:
>
>
 
$ sudo useradd smbuser
$ sudo chown smbuser:smbuser /var/samba/
$ sudo pdbedit -a smbuser

Revision 112020-10-20 - KotaSaito

Line: 1 to 1
 
META TOPICPARENT name="WebHome"

ITk strip QA

Line: 18 to 18
 To be written.

測定方法

Changed:
<
<
測定は、VisualStudioのStripQAControl.slnを用いて行います。
>
>
測定開始前にすること
 
Changed:
<
<
ソリューションを開くと、接続したLCRメーターとソースメーターの選択画面が表示されるので、使用する機械を選択(Setを緑に)したのち、StripQAを選択します。
>
>
LCRメーターのcalibration
 
Changed:
<
<
新たに表示されるQA測定の画面で、選択したLCRメーターとソースメーターがそれぞれ正しく設定されているかを確認してください。
>
>
サンプル以外のセットアップをすべてつなげた状態で、calibration用の基盤を設置します。
 
Changed:
<
<
もし間違っている場合は、プルダウンで変更してください。
>
>
LCRメーターのMENUにあるMEAS SETUPボタンを押し、画面に表示されるCORRECTIONに対応するボタンを押します。
 
Changed:
<
<
使用する機械の確認が取れたら、測定するサンプルの名前を記入してください。
>
>
カーソルをOPEN/SHORT(自分が設置した基板の種類)にあわせ、MEAS OPEN/SHORTを押すとcalibrationが始まります。
 
Changed:
<
<
サンプルの名前と属性は以下のスプレッドシートで確認することができます。
>
>
LCRメーター2台とも、OPEN、SHORT2種類のcalibrationを行ってください。
 
Changed:
<
<
https://docs.google.com/spreadsheets/d/1mlUcnUTPKlGmD6PUIn9hh5Zky5EJmUY1wDjHUVpYtlU/edit#gid=0
>
>
calibrationが終わったら、測定したいサンプルを取り付けてください。

デスクトップにあるショートカット「StripQA」をダブルクリックし、ソリューションを開きます。

画面中央上にある「Local Windows Debugger」をクリックし、GUIを実行します。

最初の画面でLCRメーターとソースメーターの選択画面が表示されるので、使用する機械を選択(Setを緑に)したのち、StripQAをクリックします。

 
Changed:
<
<
測定の際にも使用するのでこのタイミングで開いておくことをお勧めします。
>
>
General Settingsで、測定するサンプルのBatchNo.(VPXを除いた数字5桁)を記入してください。

OperatorName,RunNo.を記入した後、SETをクリックしてください。

以下のスプレッドシートを開き、WaferNo.やSerialNo.が正しいものになっているかを確認してください。

https://docs.google.com/spreadsheets/d/1mlUcnUTPKlGmD6PUIn9hh5Zky5EJmUY1wDjHUVpYtlU/edit#gid=0

 
Changed:
<
<
温度、湿度を記入してください
>
>
間違っていたり、うまく表示されない場合は、手入力で変更してください。
 
Changed:
<
<
Raspiの温度計で温度と湿度を読み取ってください。(今後自動化されるかもしれません。)
>
>
もしRunNo.に重複がある場合、自動でファイル名を変更し、重複を回避するようになっています。
 
Changed:
<
<
LCRメーターを使った測定がしたい場合は、キャリブレーションをしましょう。
>
>
各測定の測定中にDataFilePathボタンを押すと、現在測定中のデータのファイル名が表示されます。
 
Changed:
<
<
B4デシケーター内にshort、openそれぞれのキャリブレーションのための基盤があるので、それを接続してキャリブレーションをします。
>
>
解析やログの記録の際に活用してください。
  ここまで出来たら各測定に進めます。
  • バイアス抵抗
Changed:
<
<
デフォルトでは-5~5VまでをnVステップで測定しています。
>
>
デフォルトでは-5~5Vまでを0.5Vステップで測定しています。
  測定可能な抵抗3つすべての電流値が記録されます。

  • カップリング容量
1kHzでの静電容量と複素インピーダンスの絶対値が記録されます。
Changed:
<
<
この測定はGUI上で測定周波数をを変更することができません。
>
>
この測定はGUI上で測定周波数を変更することができません。
 
  • ストリップ間抵抗
照射前後でバイアス抵抗が異なります。
Line: 62 to 74
  測定範囲はどちらも-5~5Vを0.1Vステップで測定します。
Changed:
<
<
測定するサンプルの特性に合わせてパラメーターを(手動で)変更してください。
>
>
測定するサンプルの特性に合わせてパラメーターを(ボタンで)変更してください。
 
  • ストリップ間容量
照射前後でバイアス抵抗が異なります。
Line: 71 to 83
  照射後は-500V
Changed:
<
<
測定は、1MHzでの静電容量を測り、静電容量と複素インピーダンスの絶対値が記録されます。
>
>
測定は、100kHzでの静電容量を測り、静電容量と複素インピーダンスの絶対値が記録されます。
 
Changed:
<
<
測定するサンプルの特性に合わせてパラメーターを(手動で)変更してください。
>
>
測定するサンプルの特性に合わせてパラメーターを(ボタンで)変更してください。
 
  • PTP
照射前後でバイアス抵抗が異なります。
Line: 86 to 98
  この先の測定をする場合は、別の基盤に付け替える必要があります
Added:
>
>
別の基板に付け替えたら、再度Calibrationを行いましょう。

Calibrationの前に、Local Windows Debuggerを押して最初に出てくるGUIにあるTUSB Formのボタンをクリックし、スイッチ操作用GUIを起動してください。

GUIでDev_Open、(PortAをOutputにしてDirectionSet)をクリックし、PortAのスイッチがすべてOnになっていること(数字の横の赤いランプが光ること)を確認します。

最初と同じ方法でCalibrationをしてください。

 
  • カップリングの暗電流

二枚目の基板、LEMO0にTestVからつながるケーブルがつながっていることを確認してください。

Line: 96 to 117
  照射前後で測定が異なります
Changed:
<
<
照射前 周波数10kHz、測定範囲-20~10V、0.1Vステップ
>
>
照射前 周波数10kHz、測定範囲-60~0V、0.1Vステップ

γ線照射後 周波数100kHz、測定範囲-60~0V、0.1Vステップ

 
Changed:
<
<
照射後 周波数1MHz、測定範囲-50~10V、0.1Vステップ
>
>
陽子照射後は測定しない予定です。
  どちらも静電容量と複素インピーダンスの絶対値が記録されます。
Line: 107 to 131
  二枚目の基板、MOS HVにTestVからつながるケーブルがつながっていることを確認してください。
Changed:
<
<
0~-500V(?)を10Vステップで測定します。
>
>
0~-500Vを10Vステップで測定します。
  電流、静電容量、複素インピーダンスの絶対値が記録されます。
Deleted:
<
<
To be written.
 

温湿度計について

温湿度計のテクニカルな詳細はこちら→ 温湿度計 on Raspberry Pi

Revision 102020-09-07 - ShigekiHirose

Line: 1 to 1
 
META TOPICPARENT name="WebHome"

ITk strip QA

Line: 122 to 122
  [Windows側]
Changed:
<
<
1. 共有フォルダ―を作る。参考→
>
>
1. 共有フォルダ―を作る。例えばsharedというフォルダーを作り、右クリック→プロパティから共有設定をする。参考→ https://pc-karuma.net/windows-10-share-files-folders/

ネットワークとかの設定をしなきゃダメかも(色々試行錯誤したので、どれが必要でどれが必要じゃなかったのかわかりません。。。)

共有に成功していると、File Explorer → Network → 自分のPCを選択(130.87.243.248の場合はDESKTOP-KCK793P)で共有フォルダ―が見えているはず。

  [ラズパイ側]
Line: 139 to 143
 $ sudo pdbedit -a smbuser

3. /etc/samba/smb.confに以下を書き込む。

Added:
>
>
[share]
   comment = Share Folder
   browseable = yes
   path = /var/samba
   writable = yes
   valid users = smbuser
   force user = smbuser
 
Changed:
<
<
[share]
comment = Share Folder
browseable = yes
path = /var/samba
writable = yes
valid users = smbuser
force user = smbuser
書き込んだら、sudo /etc/init.d/samba restartでサービスをrestartする。
>
>
書き込んだら、sudo /etc/init.d/samba restartでサービスをrestartする。
  4. 共有フォルダーをマウントする。
sudo mount.cifs //130.87.243.248/shared /var/samba/ -o user=smbuser
Added:
>
>
IPの直後の"shared"は、先ほどWindowsマシンでつくった共有フォルダーの名前になる。
 

測定ログ

8月 (QAMeasurementLog202008)

Revision 92020-09-07 - ShigekiHirose

Line: 1 to 1
 
META TOPICPARENT name="WebHome"

ITk strip QA

Line: 112 to 112
 電流、静電容量、複素インピーダンスの絶対値が記録されます。

To be written.

Added:
>
>

温湿度計について

温湿度計のテクニカルな詳細はこちら→ 温湿度計 on Raspberry Pi

Strip test chip QAで使っているものはラズベリーパイ(130.87.242.194)に接続されている。atlasjユーザー(パスワードは誰かに聞いてください)でログインし、~/work/stripQAにあるthermohydrometer.pyというPythonスクリプトで温湿度を読み出せる。このスクリプトは温湿度を記録・表示し続けると同時に、/var/samba/trh以下に最新の測定結果をtemp.datとして保存する。/var/sambaはWindows(130.87.243.248)のデスクトップにあるsharedというフォルダーと共有されているため、最新の温湿度をWindows側から読み出せる。

設定方法は以下の通り。

[Windows側]

1. 共有フォルダ―を作る。参考→

[ラズパイ側]

1. Sambaをインストールする

$ sudo apt update
$ sudo apt install samba
$ sudo apt install winbind
$ sudo apt install libnss-winbind
$ sudo apt install sama-client

2. smbuserというユーザーを作り、共有フォルダ―へのアクセスを許可する。

$ sudo useradd smbuser
$ sudo chown smbuser:smbuser /var/samba/
$ sudo pdbedit -a smbuser

3. /etc/samba/smb.confに以下を書き込む。

[share]
comment = Share Folder
browseable = yes
path = /var/samba
writable = yes
valid users = smbuser
force user = smbuser
書き込んだら、sudo /etc/init.d/samba restartでサービスをrestartする。

4. 共有フォルダーをマウントする。

sudo mount.cifs //130.87.243.248/shared /var/samba/ -o user=smbuser
 

測定ログ

8月 (QAMeasurementLog202008)

Line: 129 to 162
 
Deleted:
<
<
 

参考資料

Revision 82020-09-02 - ShigekiHirose

Line: 1 to 1
 
META TOPICPARENT name="WebHome"

ITk strip QA

Line: 130 to 130
  \ No newline at end of file
Added:
>
>

参考資料

Revision 72020-08-28 - KotaSaito

Line: 1 to 1
 
META TOPICPARENT name="WebHome"

ITk strip QA

Line: 123 to 123
 
Added:
>
>
 

Revision 62020-08-20 - KotaSaito

Line: 1 to 1
 
META TOPICPARENT name="WebHome"

ITk strip QA

Line: 112 to 112
 電流、静電容量、複素インピーダンスの絶対値が記録されます。

To be written.

Added:
>
>

測定ログ

8月 (QAMeasurementLog202008)

 

マニュアルなど

  • ソースメーター

Revision 52020-08-19 - KotaSaito

Line: 1 to 1
 
META TOPICPARENT name="WebHome"

ITk strip QA

Line: 38 to 38
  Raspiの温度計で温度と湿度を読み取ってください。(今後自動化されるかもしれません。)
Added:
>
>
LCRメーターを使った測定がしたい場合は、キャリブレーションをしましょう。

B4デシケーター内にshort、openそれぞれのキャリブレーションのための基盤があるので、それを接続してキャリブレーションをします。

 ここまで出来たら各測定に進めます。
  • バイアス抵抗
デフォルトでは-5~5VまでをnVステップで測定しています。
Line: 78 to 85
 測定範囲はどちらも0~-40Vを0.2Vステップで測定します。

この先の測定をする場合は、別の基盤に付け替える必要があります

Added:
>
>
 
  • カップリングの暗電流
Added:
>
>
二枚目の基板、LEMO0にTestVからつながるケーブルがつながっていることを確認してください。

0~10Vまでは0.5Vステップ、0~100Vまで5Vステップで、カップリング部に電圧をかけたときの暗電流を測定します。

 
  • 酸化膜容量
Added:
>
>
二枚目の基板、MOS HVにTestVからつながるケーブルがつながっていることを確認してください。
 照射前後で測定が異なります

照射前 周波数10kHz、測定範囲-20~10V、0.1Vステップ

Line: 92 to 105
 サンプルの特性に合わせてパラメーターを変更してください。
  • MD8のIVCV
Added:
>
>
二枚目の基板、MOS HVにTestVからつながるケーブルがつながっていることを確認してください。
 0~-500V(?)を10Vステップで測定します。

電流、静電容量、複素インピーダンスの絶対値が記録されます。

Revision 42020-08-19 - KotaSaito

Line: 1 to 1
 
META TOPICPARENT name="WebHome"

ITk strip QA

Line: 45 to 45
 測定可能な抵抗3つすべての電流値が記録されます。

  • カップリング容量
Changed:
<
<
1点での静電容量が測定されます。
>
>
1kHzでの静電容量と複素インピーダンスの絶対値が記録されます。
 
Changed:
<
<
この測定はGUI上でパラメーターをいじることができません。
>
>
この測定はGUI上で測定周波数をを変更することができません。
 
  • ストリップ間抵抗
Changed:
<
<
照射前後で測定する範囲が異なります。
>
>
照射前後でバイアス抵抗が異なります。
 
Changed:
<
<
照射前は
>
>
照射前は-150V
 
Changed:
<
<
照射後は
>
>
照射後は-500V
 
Changed:
<
<
測定するサンプルの特性に合わせてパラメーターを変更してください。
  • ああ
  • ああ
>
>
測定範囲はどちらも-5~5Vを0.1Vステップで測定します。

測定するサンプルの特性に合わせてパラメーターを(手動で)変更してください。

  • ストリップ間容量
照射前後でバイアス抵抗が異なります。

照射前は-150V

照射後は-500V

測定は、1MHzでの静電容量を測り、静電容量と複素インピーダンスの絶対値が記録されます。

測定するサンプルの特性に合わせてパラメーターを(手動で)変更してください。

  • PTP
照射前後でバイアス抵抗が異なります。

照射前は-150V

照射後は-500V

測定範囲はどちらも0~-40Vを0.2Vステップで測定します。

この先の測定をする場合は、別の基盤に付け替える必要があります

  • カップリングの暗電流

  • 酸化膜容量
照射前後で測定が異なります

照射前 周波数10kHz、測定範囲-20~10V、0.1Vステップ

照射後 周波数1MHz、測定範囲-50~10V、0.1Vステップ

どちらも静電容量と複素インピーダンスの絶対値が記録されます。

サンプルの特性に合わせてパラメーターを変更してください。

  • MD8のIVCV

0~-500V(?)を10Vステップで測定します。

電流、静電容量、複素インピーダンスの絶対値が記録されます。

  To be written.

マニュアルなど

Revision 22020-08-19 - KotaSaito

Line: 1 to 1
 
META TOPICPARENT name="WebHome"

ITk strip QA

Line: 7 to 7
 -- Shigeki Hirose - 2020-08-19

QAシステム概要

Added:
>
>
TestChip+MD8(Halfmoon)で測定する8項目の測定ができるシステムです。

具体的な項目

バイアス抵抗、カップリング容量、ストリップ間抵抗、ストリップ間容量、PTP作動、カップリングの暗電流、酸化膜容量、MD8のIVCV測定

すべての測定には最低でもPC、LCRメーター2台、ソースメーター2台、スイッチ操作装置(TUSB-PIO)、Raspiを用いた温度計システムと測定サンプルを装着する基盤が必要です。

 To be written.

測定方法

Added:
>
>
測定は、VisualStudioのStripQAControl.slnを用いて行います。

ソリューションを開くと、接続したLCRメーターとソースメーターの選択画面が表示されるので、使用する機械を選択(Setを緑に)したのち、StripQAを選択します。

新たに表示されるQA測定の画面で、選択したLCRメーターとソースメーターがそれぞれ正しく設定されているかを確認してください。

もし間違っている場合は、プルダウンで変更してください。

使用する機械の確認が取れたら、測定するサンプルの名前を記入してください。

サンプルの名前と属性は以下のスプレッドシートで確認することができます。

https://docs.google.com/spreadsheets/d/1mlUcnUTPKlGmD6PUIn9hh5Zky5EJmUY1wDjHUVpYtlU/edit#gid=0

測定の際にも使用するのでこのタイミングで開いておくことをお勧めします。

温度、湿度を記入してください

Raspiの温度計で温度と湿度を読み取ってください。(今後自動化されるかもしれません。)

ここまで出来たら各測定に進めます。

  • バイアス抵抗
デフォルトでは-5~5VまでをnVステップで測定しています。

測定可能な抵抗3つすべての電流値が記録されます。

  • カップリング容量
1点での静電容量が測定されます。

この測定はGUI上でパラメーターをいじることができません。

  • ストリップ間抵抗
照射前後で測定する範囲が異なります。

照射前は

照射後は

測定するサンプルの特性に合わせてパラメーターを変更してください。

  • ああ
  • ああ
 To be written.

マニュアルなど

\ No newline at end of file

Revision 12020-08-19 - ShigekiHirose

Line: 1 to 1
Added:
>
>
META TOPICPARENT name="WebHome"

ITk strip QA

Under construction.

-- Shigeki Hirose - 2020-08-19

QAシステム概要

To be written.

測定方法

To be written.

マニュアルなど

 
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