簡単な使い方など

sde_dvs.cmd        :  geometry & mesh  
sdevice_des.cmd    :  device simulation IV/CV curve Transient for MIP charge collection.
inspect_ins.cmd    :  analysis for device simulation output.

Project -> New Projectとしてから Project -> Save As -> project

myexampleが treeのアイコンで表示されて入ればok

次にsde_dvs.cmdを書く。これは最初はあるものをコピー

Name のところ pull down menueから sdeを選択 Run Asは とりあえずbatchで。

Input Files でcommands がsde_dvs.cmdになっていることを確認して OK.

sde_dvs.cmdの中で

tPSub : substrate の厚み

XMIP : MIPを inject する位置 (meshを切るときに必要。)

が変数となっているのでこれをセットする必要がある。

SDEのアイコンがあるすぐしたのcellで右クリック　Addを選ぶ

tPSub/150/default0 とセットしてok

同じように XMIPもXMIP/30/default0 とする。

走らせてみる。各表のマスがnodeと呼ばれるもので、各stepの一番右のNodeを走らせるとsimulationが出来る。

30のところで右クリック -> Run (Do you want to save it? と聞かれるので yes)

Node は1でOK. Queueは特別な環境でない限り local:default とする。

(Node 番号を表示させるには View -> tree Option -> Show Node Numbersとする XMIPの30は[n1]と表示されている)

sde の設定を interactive にするとSentaurus Structure Editor と言うのが自動的に立ち上がる。てでいろいろと修正したい場合はそれをつかう。

走っている間はnodeの色は青。終わると黄色になる。

ジオメトリを見るには。

Node 1 を右クリック->Visualize -> Sentaurus visual (selected file)

n1_msh.tdr を選択 -> OK

Materials の Silicon の三つ目のチェックボックス(mesh)を on にすると mesh が見れる。

電極近くと、これからMIPを打ち込む場所(XMIP=30)の位置はメッシュを細かくしてある。

次はデバイス simulation

sdevice_des.cmdを使う。

% cp /home/kojin/work/Silicon/TCAD/Synopsys/tutorials/sample_v2/sdevice_des.cmd .

これをGUIから読み込む。

とりあえず走らせてみる。[n4]で右クリック Run。黄色くなったら終わり。

結果を見るには [n4]で右クリック。Visualize -> Inspect (selected file)

横軸を裏面電極(ElectrodeP)の電圧、縦軸を電流にするには、

ElectrodeP OuterVoltage を選択して To X-Axis

ElectrodeP TotalCurrent を選択して To Left Y-Axis