Difference: Chargesimulation(2ndWS) (1 vs. 2)

Revision 22018-08-28 - AtlasjSilicon

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META TOPICPARENT name="Tutorial2ndTCADWorkshop"

点電荷による電荷分布

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  新しくプロジェクトを作りIV,CVと同様にsde_dvs.cmd,sdevice_des.cmdをコピー。
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/home/dharada/work/Sentaurus/Silicon/TCAD/2ndworkshop/charge/sdevice_des.cmd
 シミュレーションの結果を保存するファイル,resultsをmkdirする。

今回のシミュレーションは変数がVop(バイアス電圧),LocX,LocY(点電荷の位置)の3つあるので3つのパラメータを与える。

Revision 12018-08-28 - AtlasjSilicon

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点電荷による電荷分布

Article text.

-- Atlasj Silicon - 2018-08-28

新しくプロジェクトを作りIV,CVと同様にsde_dvs.cmd,sdevice_des.cmdをコピー。

シミュレーションの結果を保存するファイル,resultsをmkdirする。

今回のシミュレーションは変数がVop(バイアス電圧),LocX,LocY(点電荷の位置)の3つあるので3つのパラメータを与える。

シミュレーションの結果は目のSentaurus Fileから左上のFile>Openからresultsの中に入っているので各ファイルを開いて確認できる。

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