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sdeの復習2個の電極を持つLGADの構造を作るチュートリアル. | ||||||||
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先ほどの右側にもう一つ電極ができているはず. | ||||||||
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> > | 失敗する場合はn1_dev.logでログが見れるので確認してみてください. | |||||||
-- Atlasj Silicon - 2018-08-28 |
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> > | sdeの復習2個の電極を持つLGADの構造を作るチュートリアル. 最初に実際にTCADを動かしてみた後、sde_dev.cmdをいじっていきます.プロジェクトを作るcd /home/[username]/work/Silicon/TCAD/Synopsys/tutorials swb&
GUI中のtool barから
Project -> New -> New Project
Project -> Save As -> Project
/home/[username]/work/Silicon/TCAD/Synopsys/tutorials/LGAD/Strip
->OK
sde_dvs.cmdを作る今回はできているものをコピー .cd ~/work/Silicon/TCAD/Synopsys/tutorials/LGAD/Strip
cp /home/onaru/work/Silicon/TCAD/Synopsys/tutorials/LGAD/example/sde_dvs.cmd ./
Project tabでNo toolsを右クリック->Add
Name: sde
Run As: batch
->OK
///
node番号の表示.
tool barで View-> Tree Options-> Show Node Numbers
///
変数の設定(p-well層の濃度)Project tab中 SDEアイコン下のセルを右クリック-> Add Parameter/Values Parameter: Dpwell List of Values: 1e+16 ->OK 走らせてみる. [n1]右クリック->Run 保存するか聞かれるのでyes. Concurrency Mode: Limited ->OK ステータスによってnodeの色が変わる. doneになったら, [n1] 右クリック -> Visualize -> Sentaurus Visual (selected file) n1_msh.tdr -> OK 現状では電極1つの構造が見えるはず. sde_dvs.cmdを編集してもう一つの電極を作る.sde_dvs.cmdの編集sde_dev.cmdを見ながらもう一つの電極を作っていく. 中身は大きく分けて4つのパートから成る.
(define substrate_thickness 150.) = センサーの厚みを150µmに設定する.
L62 (define p_well_L_position (+ n_electrode_L_position 10) = pwell層のx方向の開始地点を(N電極のx方向の開始地点+10)µmに設定する.
L75 (define p_well_doping_concentration @ Dpwell@) = 変数Dpwellとしてpwell層の濃度を定義する.
セミコロンはコメントアウト.
今は左側の電極n_electrode_L, p_well_Lに関するところだけが有効になっているので、右側の電極n_electrode_R, p_well_Rに関するコメントアウトを外していってください.
<GEOMETRY>
デバイスの大きさやデバイスシミュレーションの際に使う電極を決めるところ.
はじめにバルク部の領域の定義をした後、それぞれの電極を作っている.
ここでもn_electrode_Rに関するところがコメントアウトされているので、外してください.
<DOPING>
不純物濃度を決めるところ.
はじめがバルク部に対する一様な不純物濃度の定義.
その後にN+, P+, Pwellに対する端がガウシアンで減少する分布の定義.
ここでもn_electrode_R, p_well_Rに関するところがコメントアウトされているので、外してください.
<MESH>
シミュレーションの細かさを決めるところ.全体に対する定義は,
;Refinament SUBSTRATE (ALL)(sdedr:define-refeval-window "RFW1" "Rectangle" (position Xmin Ymin 0) (position Xmax Ymax 0)) (sdedr:define-refinement-size "RFS1" (/ Xmax 50) (/ Ymax 10) (/ Xmax 500) (/ Ymax 100)) (sdedr:define-refinement-placement "RFP1" "RFS1" "RFW1") 2行目で領域、3行目で分割、4行目でmeshをかける. その後、電極に対してさらに細かいメッシュを作っている. ここでもn_electrode_Rに関するところがコメントアウトされているので、外してください. コメントアウトを全て外したらもう一度走らせて、sentaurus visualで見てみてください. 先ほどの右側にもう一つ電極ができているはず. 失敗する場合はn1_dev.logでエラーを確認できます. -- Atlasj Silicon - 2018-08-28 Comments
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