sdeの復習

2個の電極を持つLGADの構造を作るチュートリアル.

最初に実際にTCADを動かしてみた後、sde_dev.cmdをいじっていきます.

プロジェクトを作る

cd /home/[username]/work/Silicon/TCAD/Synopsys/tutorials
mkdir LGAD

swb&

GUI中のtool barから

Project -> New -> New Project

Project -> Save As -> Project

/home/[username]/work/Silicon/TCAD/Synopsys/tutorials/LGAD/Strip

->OK

sde_dvs.cmdを作る

今回はできているものをコピー .

cd ~/work/Silicon/TCAD/Synopsys/tutorials/LGAD/Strip
cp /home/onaru/work/Silicon/TCAD/Synopsys/tutorials/LGAD/example/sde_dvs.cmd ./

Project tabでNo toolsを右クリック->Add

Name: sde

Run As: batch

->OK

///

node番号の表示.

tool barで　View-> Tree Options-> Show Node Numbers

///

変数の設定(p-well層の濃度)

Project tab中　SDEアイコン下のセルを右クリック-> Add Parameter/Values

Parameter: Dpwell

List of Values: 1e+16

->OK

走らせてみる.

[n1]右クリック->Run

保存するか聞かれるのでyes.

Concurrency Mode: Limited

->OK

ステータスによってnodeの色が変わる.

doneになったら,

[n1] 右クリック -> Visualize -> Sentaurus Visual (selected file)

n1_msh.tdr -> OK

現状では電極1つの構造が見えるはず.

sde_dvs.cmdを編集してもう一つの電極を作る.

sde_dvs.cmdの編集

sde_dev.cmdを見ながらもう一つの電極を作っていく.

中身は大きく分けて4つのパートから成る.

• PARAMETERS
• GEOMETRY
• DOPING
• MESH

後々使う構造の長さや、濃度などを定義するところ.

定義の仕方は,

(define パラメータ名　数).

数の単位は長さ:マイクロメートル, 濃度:立方センチメートル当たりのatom数.

四則演算は記号を前に出して括弧でくくる.

足し算A+B: (+ A B)

引き算A-B: (- A B)

掛け算A×B: (* A B)

割り算A/B: (/ A B)

変数は@変数名@で定義する.

例えば,

L46 (define substrate_thickness 150.) = センサーの厚みを150µmに設定する.

L62 (define p_well_L_position (+ n_electrode_L_position 10) = pwell層のx方向の開始地点を(N電極のx方向の開始地点+10)µmに設定する.

L75 (define p_well_doping_concentration @ Dpwell@) = 変数Dpwellとしてpwell層の濃度を定義する.

セミコロンはコメントアウト.

今は左側の電極n_electrode_L, p_well_Lに関するところだけが有効になっているので、右側の電極n_electrode_R, p_well_Rに関するコメントアウトを外していってください.

<GEOMETRY>

デバイスの大きさやデバイスシミュレーションの際に使う電極を決めるところ.

はじめにバルク部の領域の定義をした後、それぞれの電極を作っている.

ここでもn_electrode_Rに関するところがコメントアウトされているので、外してください.

<DOPING>

不純物濃度を決めるところ.

はじめがバルク部に対する一様な不純物濃度の定義.

その後にN+, P+, Pwellに対する端がガウシアンで減少する分布の定義.

ここでもn_electrode_R, p_well_Rに関するところがコメントアウトされているので、外してください.

<MESH>

シミュレーションの細かさを決めるところ.全体に対する定義は,

;Refinament SUBSTRATE (ALL)
(sdedr:define-refeval-window "RFW1" "Rectangle" (position Xmin Ymin 0) (position Xmax Ymax 0))
(sdedr:define-refinement-size "RFS1" (/ Xmax 50) (/ Ymax 10) (/ Xmax 500) (/ Ymax 100))
(sdedr:define-refinement-placement "RFP1" "RFS1" "RFW1")

2行目で領域、3行目で分割、4行目でmeshをかける.

その後、電極に対してさらに細かいメッシュを作っている.

ここでもn_electrode_Rに関するところがコメントアウトされているので、外してください.

コメントアウトを全て外したらもう一度走らせて、sentaurus visualで見てみてください.

先ほどの右側にもう一つ電極ができているはず.

Atlasj Silicon - 2018-08-28

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sdeの復習

2個の電極を持つLGADの構造を作るチュートリアル.

最初に実際にTCADを動かしてみた後、sde_dev.cmdをいじっていきます.

プロジェクトを作る

cd /home/[username]/work/Silicon/TCAD/Synopsys/tutorials
mkdir LGAD

swb&

GUI中のtool barから

Project -> New -> New Project

Project -> Save As -> Project

/home/[username]/work/Silicon/TCAD/Synopsys/tutorials/LGAD/Strip

->OK

sde_dvs.cmdを作る

今回はできているものをコピー .

cd ~/work/Silicon/TCAD/Synopsys/tutorials/LGAD/Strip
cp /home/onaru/work/Silicon/TCAD/Synopsys/tutorials/LGAD/example/sde_dvs.cmd ./

Project tabでNo toolsを右クリック->Add

Name: sde

Run As: batch

->OK

///

node番号の表示.

tool barで　View-> Tree Options-> Show Node Numbers

///

変数の設定(p-well層の濃度)

Project tab中　SDEアイコン下のセルを右クリック-> Add Parameter/Values

Parameter: Dpwell

List of Values: 1e+16

->OK

走らせてみる.

[n1]右クリック->Run

保存するか聞かれるのでyes.

Concurrency Mode: Limited

->OK

ステータスによってnodeの色が変わる.

doneになったら,

[n1] 右クリック -> Visualize -> Sentaurus Visual (selected file)

n1_msh.tdr -> OK

現状では電極1つの構造が見えるはず.

sde_dvs.cmdを編集してもう一つの電極を作る.

sde_dvs.cmdの編集

sde_dev.cmdを見ながらもう一つの電極を作っていく.

中身は大きく分けて4つのパートから成る.

• PARAMETERS
• GEOMETRY
• DOPING
• MESH

後々使う構造の長さや、濃度などを定義するところ.

定義の仕方は,

(define パラメータ名　数).

数の単位は長さ:マイクロメートル, 濃度:立方センチメートル当たりのatom数.

四則演算は記号を前に出して括弧でくくる.

足し算A+B: (+ A B)

引き算A-B: (- A B)

掛け算A×B: (* A B)

割り算A/B: (/ A B)

変数は@変数名@で定義する.

例えば,

L46 (define substrate_thickness 150.) = センサーの厚みを150µmに設定する.

L62 (define p_well_L_position (+ n_electrode_L_position 10) = pwell層のx方向の開始地点を(N電極のx方向の開始地点+10)µmに設定する.

L75 (define p_well_doping_concentration @ Dpwell@) = 変数Dpwellとしてpwell層の濃度を定義する.

セミコロンはコメントアウト.

今は左側の電極n_electrode_L, p_well_Lに関するところだけが有効になっているので、右側の電極n_electrode_R, p_well_Rに関するコメントアウトを外していってください.

<GEOMETRY>

デバイスの大きさやデバイスシミュレーションの際に使う電極を決めるところ.

はじめにバルク部の領域の定義をした後、それぞれの電極を作っている.

ここでもn_electrode_Rに関するところがコメントアウトされているので、外してください.

<DOPING>

不純物濃度を決めるところ.

はじめがバルク部に対する一様な不純物濃度の定義.

その後にN+, P+, Pwellに対する端がガウシアンで減少する分布の定義.

ここでもn_electrode_R, p_well_Rに関するところがコメントアウトされているので、外してください.

<MESH>

シミュレーションの細かさを決めるところ.全体に対する定義は,

;Refinament SUBSTRATE (ALL)
(sdedr:define-refeval-window "RFW1" "Rectangle" (position Xmin Ymin 0) (position Xmax Ymax 0))
(sdedr:define-refinement-size "RFS1" (/ Xmax 50) (/ Ymax 10) (/ Xmax 500) (/ Ymax 100))
(sdedr:define-refinement-placement "RFP1" "RFS1" "RFW1")

2行目で領域、3行目で分割、4行目でmeshをかける.

その後、電極に対してさらに細かいメッシュを作っている.

ここでもn_electrode_Rに関するところがコメントアウトされているので、外してください.

コメントアウトを全て外したらもう一度走らせて、sentaurus visualで見てみてください.

先ほどの右側にもう一つ電極ができているはず.

失敗する場合はn1_dev.logでエラーを確認できます.

-- Atlasj Silicon - 2018-08-28

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